中電壓MOSFET可以減少優(yōu)異圖

功率密度和輕負(fù)載效率的提高是關(guān)鍵問題，服務(wù)器，電信和AC-DC電源設(shè)計(jì)師。此外，在這些開關(guān)模式電源的同步整流（SMPS）設(shè)計(jì)要求符合成本效益的電源解決方案，最大限度地減少電路板空間，同時(shí)提高效率和降低功耗。仙童半導(dǎo)體公司（NYSE：FCS的）幫助設(shè)計(jì)者滿足這些電源設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)與擴(kuò)大了的PowerTrench?MOSFET的家庭。

中期電壓電源的MOSFET組合的一部分，這些設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化相結(jié)合的一個(gè)小門電荷（QG），一個(gè)小的反向恢復(fù)電荷（QRR）和軟反向恢復(fù)體二極管，允許快速開關(guān)速度的電源開關(guān)。可在40V，60V和80V的評(píng)級(jí)，這些設(shè)備需要較少的緩沖電路的功耗，由于減少了競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的解決方案，以15％的電壓尖峰優(yōu)化軟體二極管。

設(shè)備采用屏蔽柵硅技術(shù)，提供了電荷平衡，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，低振鈴和更好的光負(fù)載效率。通過使用這種技術(shù)，設(shè)備的同時(shí)減少駕駛的損失，增加電源效率，實(shí)現(xiàn)較低的優(yōu)點(diǎn)（QG型x圖的RDS）。

第一個(gè)可用的設(shè)備包括40V FDMS015N04B在Power56封裝提供80V FDMS039N08B，和60V FDP020N06B和80V FDP027N08B在TO-220 3引線封裝。

特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)：

• 小封裝尺寸（Power56和TO-220 3鉛）系統(tǒng)規(guī)模最大的熱性能
• 降低QG型降低柵極驅(qū)動(dòng)損耗
• 低QGD / Qgs比防止反過來提高了系統(tǒng)的可靠性的不良
• 低動(dòng)態(tài)的寄生電容，以減少高頻應(yīng)用的大門駕駛虧損
• 100％UIL的測(cè)試
• 符合RoHS

除了這些新的PowerTrench MOSFET的小號(hào)，增強(qiáng)新時(shí)代的中電壓MOSFET產(chǎn)品。該設(shè)備是全面的PowerTrench技術(shù)組合的一部分，是實(shí)現(xiàn)更高的能源效率，以滿足當(dāng)今電子電氣和熱性能要求。