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功率器件

所屬頻道 電源

  • 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：了解電流額定值

    如果我們?cè)?jīng)尋找過德州儀器 (TI) 的設(shè)備，那么我們可能已經(jīng)看到過圖 1 中所示的工具。這個(gè)產(chǎn)品選擇工具是一個(gè)強(qiáng)大的工具，可以幫助我們快速查看成百上千的設(shè)備。

  • ST有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

    意法半導(dǎo)體的STSPIN有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器集成了雙電流控制內(nèi)核和雙全橋功率級(jí)，用于驅(qū)動(dòng)兩個(gè)有刷直流電機(jī)。 STSPIN有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC可提供多種節(jié)省空間的散熱增強(qiáng)型封裝，為各種額定電壓和電流范圍的電機(jī)和運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)提供優(yōu)化的即用型解決方案。

  • GaN 會(huì)在市場(chǎng)上大獲成功嗎？

    新 IC 工藝的開發(fā)和商業(yè)化，尤其是有些激進(jìn)的工藝，在我看來一直是設(shè)備技術(shù)的神奇和神秘的終結(jié)。是的，有聰明的電路、架構(gòu)和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，但是構(gòu)思一個(gè)新的過程，然后讓它成為現(xiàn)實(shí)和可制造的——以及現(xiàn)實(shí)所需要的一切——似乎需要對(duì)物理定律、材料科學(xué)、量子理論、以及更多。事情并沒有就此結(jié)束：在工藝技術(shù)進(jìn)步之后，我們?nèi)匀恍枰岢鲈O(shè)計(jì)規(guī)則和模型，以便 IC 設(shè)計(jì)人員和生產(chǎn)流程能夠真正利用該工藝。

    電源
    2022-04-16

  • 氮化鎵將走向何方？

    增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) 晶體管已商用五年多。市售的 GaN FET 設(shè)計(jì)為比最先進(jìn)的硅基功率 MOSFET 具有更高的性能和更低的成本。這一成就標(biāo)志著 60 年來第一次在性能和成本方面任何技術(shù)都可以與硅相媲美，并標(biāo)志著古老但老化的功率 MOSFET 的最終取代。

  • 如何為 SiC MOSFET 選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器

    碳化硅 (SiC) MOSFET 在功率半導(dǎo)體行業(yè)取得了重大進(jìn)展，這要?dú)w功于與硅基開關(guān)相比的一系列優(yōu)勢(shì)。這些包括更快的開關(guān)、更高的效率、更高的工作電壓和更高的溫度，從而產(chǎn)生更小、更輕的設(shè)計(jì)。 這些屬性導(dǎo)致了一系列汽車和工業(yè)應(yīng)用。但是像 SiC 這樣的寬帶隙器件也帶來了設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，包括電磁干擾 (EMI)、過熱和過壓條件，這些可以通過選擇正確的柵極驅(qū)動(dòng)器來解決。

  • 碳化硅技術(shù)推動(dòng)向全電動(dòng)未來的轉(zhuǎn)變

    Wolfspeed，前身為 Cree，以一項(xiàng)重大的設(shè)計(jì)勝利開始了其品牌重塑：與通用汽車達(dá)成供應(yīng)鏈協(xié)議，為汽車制造商的電動(dòng)汽車開發(fā)和生產(chǎn)碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體。8 月，Wolfspeed 以 8 億美元的價(jià)格擴(kuò)大了與 STMicroelectronics 的多年協(xié)議，以供應(yīng) 150 毫米裸片和外延 SiC 晶圓。

  • 碳化硅的成本和EV 應(yīng)用的性能提升之間的衡量，成本問題可能影響碳化硅使用

    電力電子仍然主要基于標(biāo)準(zhǔn)硅器件。雖然三電平和其他硅電路拓?fù)湔诔霈F(xiàn)以提高效率，但新的碳化硅 (SiC) 設(shè)計(jì)正在出現(xiàn)，以滿足電動(dòng)汽車不斷增長(zhǎng)的高功率要求。 三菱電機(jī)美國(guó)公司的功率器件經(jīng)理強(qiáng)調(diào)了碳化硅與標(biāo)準(zhǔn)硅實(shí)現(xiàn)相比的前景。他們表示，可以通過將硅與碳化硅相結(jié)合的混合技術(shù)來提高效率。例如，具有碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管的硅基絕緣柵雙極晶體管 (IBGT) 以相對(duì)較小的成本增加實(shí)現(xiàn)了效率提高。對(duì)于許多應(yīng)用來說，這代表了成本和性能之間的折衷。

  • SiC 和 GaN：兩種半導(dǎo)體的故事

    在過去的幾十年中，碳化硅和氮化鎵技術(shù)的進(jìn)步一直以發(fā)展、行業(yè)接受度不斷提高和有望實(shí)現(xiàn)數(shù)十億美元收入為特征。第一個(gè)商用 SiC 器件于 2001 年以德國(guó)英飛凌的肖特基二極管的形式問世。隨之而來的是快速發(fā)展，到 2026 年，工業(yè)部門現(xiàn)在有望超過 40 億美元。 2010 年，當(dāng)總部位于美國(guó)的 EPC 交付其超快速開關(guān)晶體管時(shí)，GaN 首次驚艷了整個(gè)行業(yè)。市場(chǎng)采用率尚未與 SiC 相匹配，但到 2026 年，功率 GaN 收入可能達(dá)到 10 億美元。

    電源
    2022-04-15

  • S-MOS 單元技術(shù)提高了 SiC MOSFET 的效率

    初創(chuàng)公司mqSemi提出了一種適用于基于功率 MOS 的器件的單點(diǎn)源 MOS (S-MOS) 單元概念。S-MOS 概念已通過使用 Silvaco Victory 工藝和設(shè)備軟件的 3D-TCAD 模擬在 1200V SiC MOSFET 結(jié)構(gòu)上進(jìn)行了調(diào)整和實(shí)施。提供了全套靜態(tài)和動(dòng)態(tài)結(jié)果，用于比較 S-MOS 與采用平面和溝槽 MOS 單元設(shè)計(jì)的參考 SiC MOSFET 2D 結(jié)構(gòu)。

  • 超級(jí)電容器讓電池市場(chǎng)受到?jīng)_擊

    超級(jí)電容器正在超越電池，提供安全性、更快的充電和尺寸優(yōu)勢(shì)，同時(shí)有助于消除一系列汽車、電網(wǎng)和 IT 應(yīng)用中的復(fù)雜電池管理系統(tǒng)。 超級(jí)電容器在當(dāng)今的電子設(shè)備和能源系統(tǒng)中變得越來越重要。據(jù)估計(jì)，到2025年，超級(jí)電容器市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到35億美元，到2020年至2025年之間的復(fù)合年均增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)為20％。

  • 固態(tài)電池競(jìng)相取代電動(dòng)汽車中的鋰離子電池

    固態(tài)電池技術(shù)正在成為目前為電動(dòng)汽車供電的鋰離子電池的一種更輕、可能更安全的替代品。雖然鋰離子電源在成本、功率密度和續(xù)航里程方面取得了長(zhǎng)足進(jìn)步，但在本周的網(wǎng)絡(luò)峰會(huì)上推廣的固態(tài)替代品有望提供更好的性能和更高的安全性。 固態(tài)電池是一種電池科技。與現(xiàn)今普遍使用的鋰離子電池和鋰離子聚合物電池不同的是，固態(tài)電池是一種使用固體電極和固體電解質(zhì)的電池。

  • 使用高 CMTI 的隔離器可以做什么？

    在討論了使用隔離器來防止高壓。在這篇文章中，我將討論隔離器的一個(gè)關(guān)鍵性能參數(shù)：共模瞬態(tài)抗擾度或 CMTI。 CMTI 描述了隔離器能夠容忍其兩個(gè)接地之間的高轉(zhuǎn)換率電壓瞬變，而不會(huì)破壞通過它的信號(hào)。一般來說，較高的 CMTI 表示對(duì)噪聲的魯棒性，并且在任何隔離應(yīng)用中都是一個(gè)優(yōu)勢(shì)。但是，在某些特殊應(yīng)用中，高 CMTI 隔離器可以使最終產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)顯著差異化。

    電源
    2022-04-12

  • 使用單個(gè) PWM 信號(hào)控制 GaN 半橋功率級(jí)

    分立氮化鎵 (GaN) FET 的興起增加了對(duì)更用戶友好界面的需求，同時(shí)也提高了效率。半橋 GaN 功率級(jí)（例如LMG5200）具有用于高低 GaN FET 的單獨(dú)驅(qū)動(dòng)輸入。兩個(gè)輸入（圖 1 中的引腳 4 和 5）使我們能夠優(yōu)化效率，因?yàn)槲覀兛梢哉{(diào)整每個(gè) FET 開啟和關(guān)閉的確切點(diǎn)。

  • TI的FemtoFET功率 MOSFET 減少PCB體積

    《星際迷航》如何預(yù)測(cè)未來的技術(shù)進(jìn)步繼續(xù)讓我感到驚訝?！缎请H迷航：原始系列》中的手持通訊器在 1960 年代作為道具出現(xiàn)在電視節(jié)目中時(shí)似乎是一個(gè)奇跡。然而，它又大又笨重，而且在幾集中，通訊器丟失或停止工作，這使得傳送回船上是不可能的。

    電源
    2022-04-11

  • 如何使用柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)備來控制繼電器

    雖然 MOSFET/IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于以短時(shí)間高峰值電流驅(qū)動(dòng)高頻容性負(fù)載，但我們知道它們還可以驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載，例如功率繼電器線圈嗎？這就是 MOSFET/IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器的秘密生命。 這不是新概念。當(dāng)它們驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載時(shí)，它們通常以低得多的頻率切換，驅(qū)動(dòng)電流受線圈電阻的限制。柵極驅(qū)動(dòng) IC 已用于驅(qū)動(dòng)電感負(fù)載，例如柵極驅(qū)動(dòng)變壓器，但頻率范圍為數(shù)十至數(shù)百千赫。

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