Vishay的PowerPAIR®功率MOSFET榮獲年度電子成就獎(jiǎng)

21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR®功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器類別的2012中國年度電子成就獎(jiǎng)。

中國電子成就獎(jiǎng)的功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品年度獎(jiǎng)項(xiàng)授予在設(shè)計(jì)和技術(shù)上有突出優(yōu)點(diǎn)，為工程師提供了新的強(qiáng)大功能，能夠大大節(jié)省時(shí)間、成本、占用空間等資源的產(chǎn)品。此外，該獎(jiǎng)項(xiàng)頒發(fā)給將會(huì)在中國大陸地區(qū)產(chǎn)生重要影響的產(chǎn)品。

SiZ710DT是首款在6mm x 3.7mm的PowerPAIR封裝中采用TrenchFET Gen III技術(shù)的非對稱雙邊TrenchFET®功率MOSFET，可用于筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務(wù)器和游戲機(jī)中的系統(tǒng)電源、POL、低電流DC/DC和同步降壓應(yīng)用。器件的導(dǎo)通電阻比前一代MOSFET低43%，同時(shí)具有更高的最大電流并能提高效率。

SiZ710DT具有此類器件中最低的導(dǎo)通電阻，在小尺寸外形內(nèi)集成了低邊和高邊MOSFET，比DC/DC轉(zhuǎn)換器中由兩個(gè)分立器件組成的解決方案能節(jié)省很多空間。低邊的溝道2 MOSFET使用了針對非對稱結(jié)構(gòu)的優(yōu)化空間布局，在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻為3.3mΩ和4.3mΩ，高邊溝道1 MOSFET在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻為6.8mΩ和9.0mΩ。

頒獎(jiǎng)儀式與在深圳舉行的IIC-China 2012（3月23日至25日）同期舉行，Vishay的中國及香港區(qū)高級銷售總監(jiān)Eric Lo代表Vishay領(lǐng)取了該獎(jiǎng)項(xiàng)。