據(jù)韓國電子新聞報導，日前英特爾(Intel)宣布領先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術，韓國研究團隊早已開發(fā)完成。韓國向美國提出技術專利申請時間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術，韓國將可獲得龐大的專利權使用收入。
首爾大學電機工程學系教授李鍾浩(譯名)表示，在韓國及美國持有與英特爾發(fā)表的3D晶體管制程技術tri-gate MOSFET相同的bulk FinFET相關技術專利。他表示，2項技術只有名稱不同，但應用的方式是相同的。
李鍾浩表示，從英特爾目前為止公開的資料來看，與韓國持有的專利技術完全相同，相關技術韓國已取得韓國境內(nèi)及美國的專利權，并發(fā)表60多篇論文，在技術方面是已得到驗證的事實。
bulk FinFET技術2002年1月30日已在韓國申請專利，且于2003年8月成功登錄專利，接著2003年2月4日向美國申請專利，并于2年后的2005年4月26日完成登錄，而英特爾則在晚李鍾浩10天的2003年2月14日，才提出tri-gate MOSFET專利申請。
英特爾發(fā)表的3D墊晶體制程技術可增加晶體管通道數(shù)量，增加電流量，電流流失與目前的2D晶體管相比顯著減少，大幅提升其效率。此外，此3D晶體管技術也適合用在微細制程，提升芯片集積度。
英特爾計劃將該計數(shù)應用在22納米量產(chǎn)制程中，進入行動裝置芯片市場。行動芯片需求持續(xù)增加，李鍾浩的專利技術若審核后確定為同樣的技術，將可獲得數(shù)量龐大的專利金。
bulk FinFET技術的美國專利及發(fā)明者皆登錄為李鍾浩，專利權則由專利營銷專門公司PNIB所持有，此外，該技術相關的多數(shù)應用技術也由李鍾浩及其所屬的首爾大學共同持有。李鍾浩當時提出相關技術專利申請后，曾邀請韓國企業(yè)進行共同開發(fā)，然當時因技術不具商業(yè)性為由遭拒。
李鍾浩表示，先申請專利者可獲得專利權法保護，而經(jīng)過確認后，確實比英特爾更早提出專利申請，應沒有其它問題。為取得美國專利權保護，將會以英特爾為對象，與PNIB共同進入相關法律程序。
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