用于高功率、高頻率裝置之鉆石硅晶體晶圓（sp3 Diamond Technologies）

鉆石薄膜產(chǎn)品、設(shè)備與服務(wù)供應(yīng)商sp3 Diamond Technologies今日宣布該公司已開始接受作為氮化鎵(GaN)介質(zhì)基底使用的2吋和4吋鉆石硅晶體(SOD)晶圓訂單，并加速開發(fā)作為橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)應(yīng)用的6吋晶圓。

sp3的鉆石硅晶體晶圓較傳統(tǒng)的硅晶體晶圓擁有較佳的熱能傳導性，因此相較于既有的碳化硅 (SiC)選擇，能夠為氮化鎵和較高效能的 LDMOS裝置提供較高的熱能傳導性。

SOD晶圓通常使用于WiMax基地臺、雷達通訊設(shè)備、氣象與通訊衛(wèi)星設(shè)備和混合電力開關(guān)裝置等裝置當中。

 
鉆石硅晶體晶圓為表層具裝置品質(zhì)浮區(qū)融化硅(float-zone silicon)的架構(gòu)化介質(zhì)基底。該公司表示在固定功率之下，其相較于氮化鎵或碳化硅可以降低超過50度的接面溫度。在鉆石硅晶體上生長的氮化鎵會產(chǎn)出相當于氮化鎵硅基板的epi薄膜，而sp3可以將晶圓尺寸提升到 300-mm。

“高功率、高頻率的裝置，例如高功率雷達和射頻放大器，與DC-DC和AC-DC轉(zhuǎn)換器都因為標準硅介質(zhì)基底的物理結(jié)構(gòu)而有效能上的限制。”sp3 Diamond Technologies的總裁暨營運長Dwain Aidala認為?！败娛潞凸I(yè)應(yīng)用將會透過在具裝置品質(zhì)薄膜硅表層的鉆石介質(zhì)基底上建立裝置而大幅受益?！?/p>