業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET（恩智浦）

恩智浦半導(dǎo)體（NXPI）發(fā)布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，擁有業(yè)界最低RDSon，4.5V時僅為1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，專門針對4.5V開關(guān)應(yīng)用優(yōu)化，采用LFPAK封裝技術(shù)，是目前業(yè)界最牢固的Power-SO8封裝。NextPower技術(shù)已專門針對高性能DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，例如隔離電源和電源OR-ing中的同步降壓調(diào)節(jié)器、同步整流器。

技術(shù)要點：
• 特性和優(yōu)勢：
o 針對4.5V柵極驅(qū)動的低RDSon而專門優(yōu)化的先進(jìn)NextPower技術(shù)
o Power-SO8封裝確保高可靠性，溫度最高可達(dá)175˚C
o 超低QG、QGD和QOSS確保了高系統(tǒng)效率
• PSMN1R0-30YLC現(xiàn)已開始供貨。
• PSMN1R0-30YLC是25V和30V NextPower LFPAK系列MOSFET的首款產(chǎn)品，全系列產(chǎn)品將在未來幾個月中陸續(xù)推出。

積極評論：
• 恩智浦半導(dǎo)體Power MOSFET營銷經(jīng)理Charles Limonard表示：“恩智浦NextPower系列MOSFET將幫助設(shè)計者實現(xiàn)高性能（高效率）、小尺寸和低成本。恩智浦致力于開發(fā)和創(chuàng)新，并不斷改善導(dǎo)通電阻RDSon、開關(guān)速度和熱效率等關(guān)鍵參數(shù)，從而推出具有業(yè)界領(lǐng)先水平的MOSFET器件。”
• Limonard還表示，“PSMN1R0-30YLC具有領(lǐng)先于同類器件的超低RDSon，可顯著降低功耗；這反過來能提高新一代電子產(chǎn)品的能效，使能效等級更高，尺寸更小”。