Vishay Siliconix推出新品擴(kuò)充PowerPAIR雙芯片不對(duì)稱功率MOSFET家族

21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴(kuò)充用于低電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的PowerPAIR®家族雙芯片不對(duì)稱功率MOSFET。新器件擴(kuò)大了該系列產(chǎn)品的電壓和封裝占位選項(xiàng)，使Vishay成為3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸規(guī)格產(chǎn)品的獨(dú)家供應(yīng)商。

采用PowerPAIR 3 x 3封裝的30V SiZ300DT和采用PowerPAIR 6 x 5封裝的SiZ910DT提供了新的占位面積選項(xiàng)，擴(kuò)充了該系列產(chǎn)品。SiZ300DT定位在需要處理10A和以下電流的DC/DC應(yīng)用，SiZ910DT適用于20A以上的應(yīng)用。PowerPAIR 3 x 3的面積大約是PowerPAIR 6 x 5的1/3。

采用PowerPAIR 6 x 3.7封裝的三款新器件是業(yè)內(nèi)首批產(chǎn)品，再加上此前推出的SiZ710DT，使這種尺寸規(guī)格器件的電壓范圍從20V擴(kuò)展到30V。新的SiZ728DT是首款25V PowerPAIR 6 x 3.7器件，SiZ790DT是采用這種尺寸規(guī)格并提供一個(gè)板上肖特基二極管的首款器件。SiZ730DT是首個(gè)具有最低RDS(on)的30V PowerPAIR 6 x 3.7器件。

Vishay Siliconix PowerPAIR® 家族中的各款器件將兩個(gè)MOSFET以最優(yōu)的方式組合在單片封裝內(nèi)，幫助簡(jiǎn)化高效同步降壓?jiǎn)蜗嗪投嘞郉C/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)。通過增大低邊MOSFET的尺寸以實(shí)現(xiàn)更低的傳導(dǎo)損耗，器件的不對(duì)稱配置有效提高了性能表現(xiàn)。Vishay充分發(fā)揮TrenchFET® Gen III技術(shù)和PowerPAIR®的不對(duì)稱特點(diǎn)，將低邊MOSFET的最大導(dǎo)通電阻降至3mΩ，比同檔的不對(duì)稱器件降低了幾乎50%。

PowerPAIR器件為設(shè)計(jì)者提供了兩個(gè)封裝在一起的MOSFET，能夠簡(jiǎn)化PCB布線并減少寄生電感，從而幫助降低開關(guān)損耗并提高效率。

新的PowerPAIR器件將在各種電子產(chǎn)品中更有效地使用能源和空間，這些產(chǎn)品包括筆記本電腦和桌面電腦、服務(wù)器、游戲機(jī)、機(jī)頂盒、電視機(jī)和調(diào)制解調(diào)器。

新款PowerPAIR器件現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。