隨著開關電源類的數字電路的普及和發(fā)展，電子設備輻射和泄漏的電磁波不僅嚴重干擾其他電子設備正常工作，導致設備功能紊亂、傳輸錯誤、控制失靈，而且威脅著人類的健康與安全，已成為一種無形污染，并不遜色于水、空氣、噪聲等有形污染的危害。因此降低電子設備的電磁干擾(EMI)已成為世界電子行業(yè)關注的問題。為此歐洲共同體有關EMC委員會制定有關法令于1992年1月1日開始實施，歷時4年后于1996年1月1日最終生效。該法令指出凡不符合歐洲和國際 EMC標準規(guī)定的產品一律不得進入市場銷售，違者重罰，同時把EMC認證和電氣安全認證作為一些產品認證的首要條件。此舉引起世界電子市場巨大的震動， EMC成為影響國際貿易一個重要的指標。為了與國際接軌，我國也相繼制定了有關EMC法規(guī)。為此我國多次召開電磁兼容標準與論證會，建議自1997年1月 1日起在市場上流通的電子設備必須制定、設計對無線電干擾的抑制措施，安置抑制元器件，使產生的電磁干擾不超過標準規(guī)定的電平。于2001年1月1日起凡進入市場產品必須有EMC標志。這是我國電子產品參與國際市場競爭的第一步。
2 抗干擾濾波器特征
抗干擾濾波器與通常的信號濾波器之間有著概念上的區(qū)別。信號濾波器是在阻抗匹配的條件下工作，即通過濾波器要保持輸入與輸出信號振幅不變?yōu)榍疤?，將其中部分頻域作預期的處理和變換。而EMI濾波器用于抑制進入設備與出自設備的電磁干擾，具有雙向抑制性。因此這就要求EMI濾波器的端口處與設備產生最大失配。這樣才能使濾波器對電磁干擾的衰減等于自身網絡的衰減再加上輸入和輸出端口所產生的反射，必須遵循如下規(guī)律，見表1。其中Rs為電網輸入阻抗，隨著電量大小而變化；RL是EMI濾波器的輸出阻抗，隨負載大小而變。
從電學角度來說只有阻抗不匹配的條件下才能在濾波器內產生最大的吸收(或損耗)，用EMC俗語稱之為“濾波器插入損耗”。EMI濾波器主要是消除或降低傳導干擾。實際上傳導干擾又分為共模干擾和差模干擾，所謂共模干擾是指相線與地線之間干擾信號的相位相同、電位相等，而差模干擾是相線間干擾信號相位差 180°(電位相等)。因此濾波電路也分為抗
共模和抗差模干擾電路，參見圖1。
圖中LC1LC2，Cy1Cy2構成共模濾波電路，LC1LC2為共模濾波電感，而Ld1Ld2Cx1Cx2構成差模電路。共模電感Lc一般數值 0.3mH～38mH，共模電容Cy，只要控制在漏電電流于<1mA條件下，選擇較大數值為準。而差模電感Ld一般在幾十至幾百微亨，其電容應選耐壓大于1.4kV的陶瓷或聚酯電容。Ld1Ld2差模電感、電容值越大，低頻效果越好。市場上購買的EMI濾波器大都是對共模干擾設計的，對差模抑制效果很差。實際上開關電源中共模與差模干擾同時存在，特別對于有源功率因數校正電路中差模干擾的強度很大。對于開關電源，EMI濾波器對高頻的EMI信號抑制比低頻的EMI傳導消除容易得多。常常利用共模電感的差值形成的差模電感就能消除300kHz～30MHz傳導干擾電平。設計和選用濾波器一定要根據電路的實際需要而定。首先測出傳導干擾電平與所規(guī)定的EMC標準極限比較，一般0.01MHz～0.1MHz是差模干擾起主導作用，0.1MHz～1MHz是差模與共模干擾聯合作用，而1MHz～30MHz主要是共模干擾起作用。根據實驗結果來判斷和選擇對超標信號有抑制作用的濾波器或器件。當然實際操作相當復雜，要有相當高的技術水平和經驗。
3 EMI濾波器中電感材料的選擇
降低電子設備的電磁干擾已成為電子產品是否有市場的關鍵問題。而軟磁材料已成為EMI濾波器中不可少的元件，并起著舉足輕重的作用?，F在用軟磁材料制成的各種抑制EMI元器件廣泛地應用于各種電子電路和設備之中。這是因為軟磁材料具有它獨特的性能，致使其在抗電磁干擾領域發(fā)揮主要作用。然而，電子產品生產廠家希望能得到通用EMI濾波器對所有的電子設備都能把干擾降低到標準以下，這是不現實的。EMI濾波器的設計要根據該電子設備的EMC標準，即需要衰減 EMI信號的頻段范圍和超標電平高低來選擇，特別是其中的軟磁材料。因為軟磁材料種類繁多，各有自己的電磁特征。除了基本磁參數如Bsμi損耗外，還要利用它們的電特性、電阻率、頻寬、阻抗等。根據所需衰減干擾信號范圍，確定對應的濾波電路，然后再精心挑選適合于該頻段的磁性材料，濾波電感才能達到最經濟和最佳效果。想用一種材料滿足各種抗干擾濾波器是不能達到預期效果的，必需選用適合該頻段的磁性材料。從材料的觀點看，EMI濾波器的作用是阻隔不需要的信號并以發(fā)熱的形式消耗掉，而讓需要的信號無衰減或幾乎不衰減地通過。值得指出的是以發(fā)熱形式所消耗掉的能量并不是指線圈在電流作用下的焦耳熱（即 I2R）。故在繞制線圈時一定要選用足夠大線徑的銅線，盡量減少這種能量的損耗。從電學觀點可把濾波器中帶有磁性材料的電感在頻率較低時等效為純電感L和純電阻R的串聯，其阻抗Z=R＋jωL。對于平均直徑為D的圓環(huán)，根據安培定律和電磁感應定律可得到：
e=N1S·dB/dt
H=N1I/l
式中N1，I——為環(huán)形磁芯上激磁線圈匝數和電流；
S——磁芯截面積；
l——平均磁路長度（πD）。
用相量表示為：
式中μ=μ′－jμ″
磁芯在低頻時可等效為：Z=R＋jωL=E/Im
代入上式
于是可以得到:
通過上式把磁學參數與電學參數直接聯系起來。它表示磁性材料的磁性參數在電路中充當的角色。式(1)表述電路中的電感直接與磁材料的彈性磁導率μ′有關，表示器件的儲能大小與頻率無關的純電感性。而電路中電阻R與磁性材料復數磁導率的虛數部分μ″有關。式(2)則既與材料的渦流損耗、磁滯損耗及剩余損耗等有關，并且與頻率也有關。反映在電學上就相當于等效電阻R。最后都轉變成器件的熱能散發(fā)到空間，而EMI濾波器中的電感能夠濾去干擾信號就是利用了磁性材料的這一特征。從另一個角度看，EMI濾波電感發(fā)熱是正常的，只要不影響電路的正常工作就行了。圖2是濾波器電感在串聯等效電路中R與頻率關系曲線。相當于電感的插入損耗曲線。在低頻段即f〈f1時，電感在電路中阻抗R小得可以不計，電流風乎無損耗的流過。在此階段電感磁世間本身耗能很少，主要是線圈發(fā)熱為主（I2R）。只有大電流工作環(huán)境下才考慮這一部分能量轉換的熱量。如在大功率晶閘管調光燈電路中的抗干擾電感，因為電流高達20A～50A，甚至更高，即使線繞電阻很小，但能量與電流的平方成正比，所以線圈的發(fā)熱量很大。這時只有增加銅線的線徑（單股或多股），才可使線圈溫度大幅度下降。當頻率在f1～fc頻段時，由陰抗曲線可以看出等效電阻R隨頻率提高而逐漸增大。這說明電路電感儲能的功能隨頻率的升高而降低，損耗隨頻率而增加。在fc點附近等效電阻R迅速增加，從磁學的觀點看，磁性材料吸收了電路中的高頻能量轉變成材料內部損耗，如磁疇壁的運動及其引起的微渦流效應等微觀損耗。在fc點附近不再具有貯能作用。而fc的高低與磁性材料性能有關。一般來說鐵氧體材料fc高，金屬磁性材料fc；較低。但對同一種材料可改變制作工藝材料的成分，人為地調節(jié)fc的高低。當頻率超過fc以后阻抗開始下降，而到f2時雙出現小的峰值，這是在高頻下寄生電容Cw引起的諧振吸收。這個峰值的頻率高低與電感分布參數有關，與材料的性能關系不大。實際上EMI濾波電感的抗干擾作用就是利用磁性材料這個特征。
（1）共模濾波電感材料的選擇共模電感線圈如圖1中Lc1Lc2是繞在磁環(huán)上的兩只獨立的線圈，所繞圈數相同，繞向相反。使EMI濾波器接入電路后，兩只線圈產生的磁通在磁芯中相互抵消，不會使磁芯飽和。由于干擾信號比較弱，所以磁芯一般工作在低磁場的區(qū)域，選用磁性材料要求具有較高的初始磁導率μ0的材料做共模濾波電感。但也不是初始磁導率愈高愈好，還要考慮磁性材料在電路中的電特性。為了說明，下面選擇不同類型高μ0的軟磁材料在同樣條件下測其頻率與阻抗關系曲線，反映出電感磁芯的插入損耗變化趨勢，其性能如表2及圖3所示。
曲線IV是外國專門用于抗共模干擾用的電感磁芯（Mn－Zn鐵氧體），與國產鐵氧體相比較，在低頻段100Hz～10000Hz，由于材料本身電阻率高，交流等效電阻小，說明在這個頻段干擾信號損耗很小，電流中主要以感抗起主要作用，可見鐵氧體材料對低頻干擾信號沒有一點抑制作用，而超微晶和1J851材料由于材料電阻率比較低，隨頻率的增加損耗也增加，可以看出磁芯渦流損耗引起的等效電阻R比鐵氧體大得多。在10kHz～100kHz的頻段R不斷增加，對該頻段的干擾信號的抑制也不斷增強，其中1J851和超微晶材料對干擾信號抑制衰減最大而鐵氧體則很小。這對于線性濾波器來說，工作頻率在 50Hz～60Hz或400Hz～800Hz的電源要消除或衰減頻率小于10kHz的干擾信號，最好選用金屬磁性材料（或非晶超微晶)。而鐵氧體在這個頻段對干擾信號的吸收顯然沒有金屬磁性材料好。當在頻段100kHz～1MHz附近，鐵氧體材料R急增而金屬磁性材料和超微晶仍然平穩(wěn)上升，在1MHz時進口鐵氧體達到峰值，R最大，1J851次之。而國產鐵氧體居第3位超微晶其峰值則在7MHz附近，變化卻比較平緩。從曲線變化可以看出鐵氧體雖然吸收的峰值在1MHz附近，但吸收區(qū)比較狹窄，而金屬磁性材料吸收區(qū)比較寬，故不同材料對不同頻率的吸收敏感性不一樣。所以制造共模濾波器時選用的電感材料一定要根據電路要求的抑制頻段范圍來選擇電感材料，這是非常重要的。同時從表2與圖3曲線對比說明并不是電感量越高越好，而應考慮它的電參數，更不能用增加線圈匝數來增加電感。因為這樣會增加高頻寄生電容。
（2）差模濾波電感材料的選擇與共模濾波電感完全不同，因為電感與負載是串聯，輸入電流或輸出電流直接通過電感磁芯，其交流（直流）電流很大，當然不能用高磁導率的材料。為了適應差?？垢蓴_濾波器的電感磁芯的需要，最初采用鐵氧體或金屬磁性材料開氣隙增加退磁場方法，降低磁導率，增加磁芯抗飽和能力。但這對用于電源輸入端的交變電流抗干擾濾波顯然是很不恰當的。不僅在開氣隙處有很強的交變漏磁場引起的很大輻射干擾外，還在氣隙斷口處產生局部的損耗而發(fā)熱，導致鐵氧體磁性惡化甚至消失。因為鐵氧體居里溫度為200℃，在此溫度附近μ0降低至零，此時已失去濾波作用。再者由于磁致伸縮在氣隙處產生新的機械噪聲，污染環(huán)境。為此人們采用新穎的復合磁粉芯。這是目前最理想的濾波電感材料，它是將金屬軟磁粉末經絕緣包裹壓制退火而成，它相當于把一集中的氣隙分散成微小孔穴均勻分布在磁芯中，不但材料的抗飽和強度增加，而且磁芯的電阻率比原來增加幾個數量級且各向同性，改變了金屬磁性材料不能在高頻下使用的缺點。這就是在國外所有差模濾波電感都是用磁粉芯，而不用開口鐵氧體磁芯的原因。
這里選取各種性能的磁粉芯測量頻率－阻抗變化曲線（見圖4）。
圖中的變化曲線表現出不同磁性能的電感，其阻抗與頻率變化并不一樣。鐵粉芯SF70和55930在干擾頻率<2kHz時阻抗基本不變，表示沒有吸收作用，而SF30在小于60kHz時對信號也沒有吸收作用。在2MHz附近吸收迅速增強，在接近10MHz時吸收最強，而SF70在100kHz以后變化不大?？梢姴煌阅艿牟牧蠈Ω蓴_信號的吸收頻段也不一樣。國內外大量使用的電子調光設備大都采用移相式晶閘管調光。在晶閘管導通瞬間因電流突變會產生大量的高頻諧波而引起的電磁干擾，不單嚴重影響音響設備、燈具、攝錄像等設備，還嚴重干擾電網系統。必須安裝抗干擾電感（美國LeeColorTran英國 Lank日本龍?zhí)锷鏡DS都采用這樣方式來抑制干擾）。為方便起見，采用分析電流上升時間tr來判斷電感磁芯的抗干擾程度。不同材料的數據如表3所示。
在調光燈的工業(yè)檢測中抑制干擾的效果可以用電子調光器開通時的電流上升時間tr來表示。上升時間越長說明電路高次諧波成分越小，抑制效果越好。從表中不難看出國產ZW－1電感tr時間可高達450μs而磁導率只有70。開口非晶帶磁芯雖然磁導率最高（μe=800），但電流上升時間太短只有100μs，而又有嚴重的機械噪聲。這說明加電感后抗干擾能力并不是磁導率高的好，也不是磁導率低的好，而與選用的磁性材料材質有關。為了進一步分析，對不同材料在同樣條件下測量其干擾電壓，圖5是英國Lank，國產ZW－1磁粉芯和通常開口磁芯的電源端干擾電壓與頻率曲線。
按照“電子調光設備無線電干擾允許值及測量方法”測量結果，不難看出國產ZW－1電感與英國Lank電感相比較，國產ZW－1電感抗干擾電平都在A級標準以下，而英國Lank電感在0.16MHz～3.5MHz頻段超標，而開口硅鋼片制作的抗干擾電感在頻段0.01MHz－1.2MHz都超標。用開口磁芯做抗干擾電感不可能達標。目前國內的調光燈大多數都用鐵氧體磁環(huán)做抗干擾電感，這顯然是錯誤的。不但沒有抑制干擾反而增加干擾，因為鐵氧體總是工作在飽和區(qū)。
圖6是程控交換機用的100A抗干擾濾波器衰減曲線?？垢蓴_衰減曲線I是進口同類濾波器，其干擾電平曲線在0.01MHz～100MHz范圍內干擾電平的衰減比較均勻平緩。曲線II用開口鐵氧體做濾波器，當頻率為0.4MHz～0.8MHz時的峰值說明對該頻段的干擾信號衰減小，達不到要求。后來用美國 Micrometals公司鐵粉芯代替，則在0.2MHz～0.45MHz 頻段抗干擾能力弱（如曲線III）但要比開口鐵氧體好些，仍不理想。因為對通訊電源最傷腦筋的是低頻干擾。后來用專門研制的磁粉芯做成的濾波器干擾電平如曲線IV，要比曲線II、III都好，甚至優(yōu)于國外同類濾波器性能。從以上的例子可以看出在研制EMI濾波器時要特別注意濾波電感選擇。不但要選用適當的磁材，還要選用適合于所需衰減頻段的磁性能。所以磁性材料的選取在EMI濾波器中有著舉足輕重的作用。
4 抗干擾濾波器的發(fā)展趨勢
當前電子線路向高速數字電路轉移。高組裝密度和高運算速度對EMC提出更高的要求。電子產品的微型化、多功能、移動化的發(fā)展又促使電子產品在組裝方式上向表面貼裝技術轉移，又進一步降低干擾。同時為了提高其動態(tài)響應，降低干擾，必須力求減小供電母線的引線電感。最有效的方法是將電源直接裝在負載附近，用分散供電方式（即小功率源)而不采用集中供電的形式（大功率源），這樣大大減少引線的長度有效降低輻射干擾。所以今后幾年美國將大力發(fā)展小功率 16W～25W低壓（輸出電壓最低為1.2V）DC/DC開關電源?？梢?，片式磁性器件是微型化的關鍵材料之一，它可分為線繞型片式電感、疊層型片式電感、薄膜型片式電感。為此上海鋼鐵研究所已開始著手金屬薄膜電感和薄膜變壓器元件的研制。目前美國和日本的一些重要研究所都開始研究薄膜電感和薄膜變壓器，并與集成元件組合制成新穎的超小型、高可靠性、高抗干擾能力的電源模塊。由此可見超小型電感和變壓器將是21世紀磁性元件的發(fā)展方向。
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