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摘要:從磁性材料的角度指出了共模與差模抗干擾濾波器中電感材料的選擇原則。指出必須根據(jù)干擾信號(hào)的類型(共模或差模)選取對(duì)應(yīng)的磁性材料,并按照所需抑制頻段研制該材料的磁性能,使之適合該抑制頻段需要,只有這樣才能得到最佳的抗干擾效果。最后本文指出由于開(kāi)關(guān)電源的微型化,促進(jìn)抗干擾電感器件向片式化和薄式化的發(fā)展。

關(guān)鍵詞:電磁干擾(EMI)電磁兼容(EMC)共模、差模抗干擾濾波器

Application of Filter Inductanceto Anti?jamm in gin Power Supply

Abstract: The selection principles of common? mode and differential? mode anti? jamming inductance filter material is pointed out at the field of magnetic materials in this paper. To obtain the best effect of anti? jamming,the materials are selected basing on the type of jamming signal (common? mode or differential? mode), and the materials must be developed according to blanketing frequency. At last this paper clarifies that microminiaturization of switching power supply advances the development of sheet and thin filter inductance.

Keyword: Electromagnetic Interfering (EMI), Electromagnetic Compatibility (EMC), Common? mode anti? jamming filter, and differential? mode anti? jamming filter

中圖法分類號(hào):TN97文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A文章編號(hào):0219?2713(2000)08?382?05

  1引言隨著開(kāi)關(guān)電源類的數(shù)字電路的普及和發(fā)展,電子設(shè)備輻射和泄漏的電磁波不僅嚴(yán)重干擾其他電子設(shè)備正常工作,導(dǎo)致設(shè)備功能紊亂、傳輸錯(cuò)誤、控制失靈,而且威脅著人類的健康與安全,已成為一種無(wú)形污染,并不遜色于水、空氣、噪聲等有形污染的危害。因此降低電子設(shè)備的電磁干擾(EMI)已成為世界電子行業(yè)關(guān)注的問(wèn)題。為此歐洲共同體有關(guān)EMC委員會(huì)制定有關(guān)法令于1992年1月1日開(kāi)始實(shí)施,歷時(shí)4年后于1996年1月1日最終生效。該法令指出凡不符合歐洲和國(guó)際EMC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的產(chǎn)品一律不得進(jìn)入市場(chǎng)銷售,違者重罰,同時(shí)把EMC認(rèn)證和電氣安全認(rèn)證作為一些產(chǎn)品認(rèn)證的首要條件。此舉引起世界電子市場(chǎng)巨大的震動(dòng),EMC成為影響國(guó)際貿(mào)易一個(gè)重要的指標(biāo)。為了與國(guó)際接軌,我國(guó)也相繼制定了有關(guān)EMC法規(guī)。為此我國(guó)多次召開(kāi)電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)與論證會(huì),建議自1997年1月1日起在市場(chǎng)上流通的電子設(shè)備必須制定、設(shè)計(jì)對(duì)無(wú)線電干擾的抑制措施,安置抑制元器件,使產(chǎn)生的電磁干擾不超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的電平。于2001年1月1日起凡進(jìn)入市場(chǎng)產(chǎn)品必須有EMC標(biāo)志。這是我國(guó)電子產(chǎn)品參與國(guó)際市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的第一步。

2抗干擾濾波器特征

Rs
電路        
RL

表1RS,RL類別和大小

抗干擾濾波器與通常的信號(hào)濾波器之間有著概念上的區(qū)別。信號(hào)濾波器是在阻抗匹配的條件下工作,即通過(guò)濾波器要保持輸入與輸出信號(hào)振幅不變?yōu)榍疤?,將其中部分頻域作預(yù)期的處理和變換。而EMI濾波器用于抑制進(jìn)入設(shè)備與出自設(shè)備的電磁干擾,具有雙向抑制性。因此這就要求EMI濾波器的端口處與設(shè)備產(chǎn)生最大失配。這樣才能使濾波器對(duì)電磁干擾的衰減等于自身網(wǎng)絡(luò)的衰減再加上輸入和輸出端口所產(chǎn)生的反射,必須遵循如下規(guī)律,見(jiàn)表1。其中Rs為電網(wǎng)輸入阻抗,隨著電量大小而變化;RL是EMI濾波器的輸出阻抗,隨負(fù)載大小而變。

從電學(xué)角度來(lái)說(shuō)只有阻抗不匹配的條件下才能在濾波器內(nèi)產(chǎn)生最大的吸收(或損耗),用EMC俗語(yǔ)稱之為“濾波器插入損耗”。EMI濾波器主要是消除或降低傳導(dǎo)干擾。實(shí)際上傳導(dǎo)干擾又分為共模干擾和差模干擾,所謂共模干擾是指相線與地線之間干擾信號(hào)的相位相同、電位相等,而差模干擾是相線間干擾信號(hào)相位差180°(電位相等)。因此濾波電路也分為抗

共模和抗差模干擾電路,參見(jiàn)圖1。

圖1抗共模和抗差模干擾電路

圖中LC1,LC2,Cy1,Cy2構(gòu)成共模濾波電路,LC1,LC2為共模濾波電感,而Ld1,Ld2,Cx1,Cx2構(gòu)成差模電路。共模電感Lc一般數(shù)值0.3mH~38mH,共模電容Cy,只要控制在漏電電流于<1mA條 件 下 , 選 擇 較 大 數(shù) 值 為 準(zhǔn) 。 而 差 模 電 感 Ld一 般 在 幾 十 至 幾 百 微 亨 , 其 電 容 應(yīng) 選 耐 壓 大 于 1.4kV的 陶 瓷 或 聚 酯 電 容 。 Ld1,Ld2差 模 電 感 、 電 容 值 越 大 , 低 頻 效 果 越 好 。 市 場(chǎng) 上 購(gòu) 買(mǎi) 的 EMI濾 波 器 大 都 是 對(duì) 共 模 干 擾 設(shè) 計(jì) 的 , 對(duì) 差 模 抑 制 效 果 很 差 。 實(shí) 際 上 開(kāi) 關(guān) 電 源 中 共 模 與 差 模 干 擾 同 時(shí) 存 在 , 特 別 對(duì) 于 有 源 功 率 因 數(shù) 校 正 電 路 中 差 模 干 擾 的 強(qiáng) 度 很 大 。 對(duì) 于 開(kāi) 關(guān) 電 源 , EMI濾 波 器 對(duì) 高 頻 的 EMI信 號(hào) 抑 制 比 低 頻 的 EMI傳 導(dǎo) 消 除 容 易 得 多 。 常 常 利 用 共 模 電 感 的 差 值 形 成 的 差 模 電 感 就 能 消 除 300kHz~ 30MHz傳 導(dǎo) 干 擾 電 平 。 設(shè) 計(jì) 和 選 用 濾 波 器 一 定 要 根 據(jù) 電 路 的 實(shí) 際 需 要 而 定 。 首 先 測(cè) 出 傳 導(dǎo) 干 擾 電 平 與 所 規(guī) 定 的 EMC標(biāo) 準(zhǔn) 極 限 比 較 , 一 般 0.01MHz~ 0.1MHz是 差 模 干 擾 起 主 導(dǎo) 作 用 , 0.1MHz~ 1MHz是 差 模 與 共 模 干 擾 聯(lián) 合 作 用 , 而 1MHz~ 30MHz主 要 是 共 模 干 擾 起 作 用 。 根 據(jù) 實(shí) 驗(yàn) 結(jié) 果 來(lái) 判 斷 和 選 擇 對(duì) 超 標(biāo) 信 號(hào) 有 抑 制 作 用 的 濾 波 器 或 器 件 。 當(dāng) 然 實(shí) 際 操 作 相 當(dāng) 復(fù) 雜 , 要 有 相 當(dāng) 高 的 技 術(shù) 水 平 和 經(jīng) 驗(yàn) 。

3EMI濾波器中電感材料的選擇

降低電子設(shè)備的電磁干擾已成為電子產(chǎn)品是否有市場(chǎng)的關(guān)鍵問(wèn)題。而軟磁材料已成為EMI濾波器中不可少的元件,并起著舉足輕重的作用?,F(xiàn)在用軟磁材料制成的各種抑制EMI元器件廣泛地應(yīng)用于各種電子電路和設(shè)備之中。這是因?yàn)檐洿挪牧暇哂兴?dú)特的性能,致使其在抗電磁干擾領(lǐng)域發(fā)揮主要作用。然而,電子產(chǎn)品生產(chǎn)廠家希望能得到通用EMI濾波器對(duì)所有的電子設(shè)備都能把干擾降低到標(biāo)準(zhǔn)以下,這是不現(xiàn)實(shí)的。EMI濾波器的設(shè)計(jì)要根據(jù)該電子設(shè)備的EMC標(biāo)準(zhǔn),即需要衰減EMI信號(hào)的頻段范圍和超標(biāo)電平高低來(lái)選擇,特別是其中的軟磁材料。因?yàn)檐洿挪牧戏N類繁多,各有自己的電磁特征。除了基本磁參數(shù)如Bs,μi損耗外,還要利用它們的電特性、電阻率、頻寬、阻抗等。根據(jù)所需衰減干擾信號(hào)范圍,確定對(duì)應(yīng)的濾波電路,然后再精心挑選適合于該頻段的磁性材料,濾波電感才能達(dá)到最經(jīng)濟(jì)和最佳效果。想用一種材料滿足各種抗干擾濾波器是不能達(dá)到預(yù)期效果的,必需選用適合該頻段的磁性材料。從材料的觀點(diǎn)看,EMI濾波器的作用是阻隔不需要的信號(hào)并以發(fā)熱的形式消耗掉,而讓需要的信號(hào)無(wú)衰減或幾乎不衰減地通過(guò)。值得指出的是以發(fā)熱形式所消耗掉的能量并不是指線圈在電流作用下的焦耳熱(即I2R)。故在繞制線圈時(shí)一定要選用足夠大線徑的銅線,盡量減少這種能量的損耗。從電學(xué)觀點(diǎn)可把濾波器中帶有磁性材料的電感在頻率較低時(shí)等效為純電感L和純電阻R的串聯(lián),其阻抗Z=R+jωL。對(duì)于平均直徑為D的圓環(huán),根據(jù)安培定律和電磁感應(yīng)定律可得到:

e=N1S·dB/dt

H=N1I/l

式中N1,I——為環(huán)形磁芯上激磁線圈匝數(shù)和電流;

S——磁芯截面積;

l——平均磁路長(zhǎng)度(πD)。

用相量表示為:式中μ=μ′-jμ″

磁芯在低頻時(shí)可等效為:Z=R+jωL=E/Im[!--empirenews.page--]

代入上式

于是可以得到:

通過(guò)上式把磁學(xué)參數(shù)與電學(xué)參數(shù)直接聯(lián)系起來(lái)。它表示磁性材料的磁性參數(shù)在電路中充當(dāng)?shù)慕巧?。?1)表述電路中的電感直接與磁材料的彈性磁導(dǎo)率μ′有關(guān),表示器件的儲(chǔ)能大小與頻率無(wú)關(guān)的純電感性。而電路中電阻R與磁性材料復(fù)數(shù)磁導(dǎo)率的虛數(shù)部分μ″有關(guān)。式(2)則既與材料的渦流損耗、磁滯損耗及剩余損耗等有關(guān),并且與頻率也有關(guān)。反映在電學(xué)上就相當(dāng)于等效電阻R。最后都轉(zhuǎn)變成器件的熱能散發(fā)到空間,而EMI濾波器中的電感能夠?yàn)V去干擾信號(hào)就是利用了磁性材料的這一特征。從另一個(gè)角度看,EMI濾波電感發(fā)熱是正常的,只要不影響電路的正常工作就行了。圖2是濾波器電感在串聯(lián)等效電路中R與頻率關(guān)系曲線。相當(dāng)于電感的插入損耗曲線。在低頻段即fEMI濾波器可分為共模抗干擾濾波器和差??垢蓴_濾波器。因此對(duì)濾波電感的磁性能要求完全不同?,F(xiàn)簡(jiǎn)述如下:

圖2插入損耗與頻率關(guān)系

圖3不同磁性材料的頻率與阻抗曲線

表2不同磁性材料磁性能對(duì)比

  μ0(×104) L(mH) ρ/(Ω.m)
I1J8510.02mm 3 25 60
Ⅱ超微晶 4 35 140
Ⅲ國(guó)產(chǎn)鐵氧體 0.8 4.2 >105
Ⅳ進(jìn)口鐵氧體 0.5 3.4 >105

 ?。?)共模濾波電感材料的選擇共模電感線圈如圖1中Lc1,Lc2是繞在磁環(huán)上的兩只獨(dú)立的線圈,所繞圈數(shù)相同,繞向相反。使EMI濾波器接入電路后,兩只線圈產(chǎn)生的磁通在磁芯中相互抵消,不會(huì)使磁芯飽和。由于干擾信號(hào)比較弱,所以磁芯一般工作在低磁場(chǎng)的區(qū)域,選用磁性材料要求具有較高的初始磁導(dǎo)率μ0的材料做共模濾波電感。但也不是初始磁導(dǎo)率愈高愈好,還要考慮磁性材料在電路中的電特性。為了說(shuō)明,下面選擇不同類型高μ0的軟磁材料在同樣條件下測(cè)其頻率與阻抗關(guān)系曲線,反映出電感磁芯的插入損耗變化趨勢(shì),其性能如表2及圖3所示。

 

曲線IV是外國(guó)專門(mén)用于抗共模干擾用的電感磁芯(Mn-Zn鐵氧體),與國(guó)產(chǎn)鐵氧體相比較,在低頻段100Hz~10000Hz,由于材料本身電阻率高,交流等效電阻小,說(shuō)明在這個(gè)頻段干擾信號(hào)損耗很小,電流中主要以感抗起主要作用,可見(jiàn)鐵氧體材料對(duì)低頻干擾信號(hào)沒(méi)有一點(diǎn)抑制作用,而超微晶和1J851材料由于材料電阻率比較低,隨頻率的增加損耗也增加,可以看出磁芯渦流損耗引起的等效電阻R比鐵氧體大得多。在10kHz~100kHz的頻段R不斷增加,對(duì)該頻段的干擾信號(hào)的抑制也不斷增強(qiáng),其中1J851和超微晶材料對(duì)干擾信號(hào)抑制衰減最大而鐵氧體則很小。這對(duì)于線性濾波器來(lái)說(shuō),工作頻率在50Hz~60Hz或400Hz~800Hz的電源要消除或衰減頻率小于10kHz的干擾信號(hào),最好選用金屬磁性材料(或非晶超微晶)。而鐵氧體在這個(gè)頻段對(duì)干擾信號(hào)的吸收顯然沒(méi)

圖4不同磁粉芯的阻抗隨頻率變化曲線 [!--empirenews.page--]

有金屬磁性材料好。當(dāng)在頻段100kHz~1MHz附近,鐵氧體材料R急增而金屬磁性材料和超微晶仍然平穩(wěn)上升,在1MHz時(shí)進(jìn)口鐵氧體達(dá)到峰值,R最大,1J851次之。而國(guó)產(chǎn)鐵氧體居第3位,超微晶其峰值則在7MHz附近,變化卻比較平緩。從曲線變化可以看出鐵氧體雖然吸收的峰值在1MHz附近,但吸收區(qū)比較狹窄,而金屬磁性材料吸收區(qū)比較寬,故不同材料對(duì)不同頻率的吸收敏感性不一樣。所以制造共模濾波器時(shí)選用的電感材料一定要根據(jù)電路要求的抑制頻段范圍來(lái)選擇電感材料,這是非常重要的。同時(shí)從表2與圖3曲線對(duì)比說(shuō)明并不是電感量越高越好,而應(yīng)考慮它的電參數(shù),更不能用增加線圈匝數(shù)來(lái)增加電感。因?yàn)檫@樣會(huì)增加高頻寄生電容。

(2)差模濾波電感材料的選擇與共模濾波電感完全不同,因?yàn)殡姼信c負(fù)載是串聯(lián),輸入電流或輸出電流直接通過(guò)電感磁芯,其交流(直流)電流很大,當(dāng)然不能用高磁導(dǎo)率的材料。為了適應(yīng)差??垢蓴_濾波器的電感磁芯的需要,最初采用鐵氧體或金屬磁性材料開(kāi)氣隙增加退磁場(chǎng)方法,降低磁導(dǎo)率,增加磁芯抗飽和能力。但這對(duì)用于電源輸入端的交變電流抗干擾濾波顯然是很不恰當(dāng)?shù)?。不僅在開(kāi)氣隙處有很強(qiáng)的交變漏磁場(chǎng)引起的很大輻射干擾外,還在氣隙斷口處產(chǎn)生局部的損耗而發(fā)熱,導(dǎo)致鐵氧體磁性惡化甚至消失。因?yàn)殍F氧體居里溫度為200℃,在此溫度附近μ0降低至零,此時(shí)已失去濾波作用。再者由于磁致伸縮在氣隙處產(chǎn)生新的機(jī)械噪聲,污染環(huán)境。為此人們采用新穎的復(fù)合磁粉芯。這是目前最理想的濾波電感材料,它是將金屬軟磁粉末經(jīng)絕緣包裹壓制退火而成,它相當(dāng)于把一集中的氣隙分散成微小孔穴均勻分布在磁芯中,不但材料的抗飽和強(qiáng)度增加,而且磁芯的電阻率比原來(lái)增加幾個(gè)數(shù)量級(jí)且各向同性,改變了金屬磁性材料不能在高頻下使用的缺點(diǎn)。這就是在國(guó)外所有差模濾波電感都是用磁粉芯,而不用開(kāi)口鐵氧體磁芯的原因。

這里選取各種性能的磁粉芯測(cè)量頻率-阻抗變化曲線(見(jiàn)圖4)。

圖中的變化曲線表現(xiàn)出不同磁性能的電感,其阻抗與頻率變化并不一樣。鐵粉芯SF70和55930在干擾頻率<2kHz時(shí) 阻 抗 基 本 不 變 , 表 示 沒(méi) 有 吸 收 作 用 , 而 SF30在 小 于 60kHz時(shí) 對(duì) 信 號(hào) 也 沒(méi) 有 吸 收 作 用 。 在 2MHz附 近 吸 收 迅 速 增 強(qiáng) , 在 接 近 10MHz時(shí) 吸 收 最 強(qiáng) , 而 SF70在 100kHz以 后 變 化 不 大 。 可 見(jiàn) 不 同 性 能 的 材 料 對(duì) 干 擾 信 號(hào) 的 吸 收 頻 段 也 不 一 樣 。 國(guó) 內(nèi) 外 大 量 使 用 的 電 子 調(diào) 光 設(shè) 備 大 都 采 用 移 相 式 晶 閘 管 調(diào) 光 。 在 晶 閘 管 導(dǎo) 通 瞬 間 因 電 流 突 變 會(huì) 產(chǎn) 生 大 量 的 高 頻 諧 波 而 引 起 的 電 磁 干 擾 , 不 單 嚴(yán) 重 影 響 音 響 設(shè) 備 、 燈 具 、 攝 錄 像 等 設(shè) 備 , 還 嚴(yán) 重 干 擾 電 網(wǎng) 系 統(tǒng) 。 必 須 安 裝 抗 干 擾 電 感 ( 美 國(guó) Lee ColorTran,英 國(guó) Lank,日 本 龍 田 社 RDS都 采 用 這 樣 方 式 來(lái) 抑 制 干 擾 ) 。 為 方 便 起 見(jiàn) , 采 用 分 析 電 流 上 升 時(shí) 間 tr來(lái) 判 斷 電 感 磁 芯 的 抗 干 擾 程 度 。 不 同 材 料 的 數(shù) 據(jù) 如 表 3所 示 。

表3不同磁性材料的磁性能及電流上升波形對(duì)比

在調(diào)光燈的工業(yè)檢測(cè)中抑制干擾的效果可以用電子調(diào)光器開(kāi)通時(shí)的電流上升時(shí)間tr來(lái)表示。上升時(shí)間越長(zhǎng)說(shuō)明電路高次諧波成分越小,抑制效果越好。從表中不難看出國(guó)產(chǎn)ZW-1電感tr時(shí)間可高達(dá)450μs,而磁導(dǎo)率只有70。開(kāi)口非晶帶磁芯雖然磁導(dǎo)率最高(μe=800),但電流上升時(shí)間太短,只有100μs,而又有嚴(yán)重的機(jī)械噪聲。這說(shuō)明加電感后抗干擾能力并不是磁導(dǎo)率高的好,也不是磁導(dǎo)率低的好,而與選用的磁性材料材質(zhì)有關(guān)。為了進(jìn)一步分析,對(duì)不同材料在同樣條件下測(cè)量其干擾電壓,圖5是英國(guó)Lank,國(guó)產(chǎn)ZW-1磁粉芯和通常開(kāi)口磁芯的電源端干擾電壓與頻率曲線。

按照“電子調(diào)光設(shè)備無(wú)線電干擾允許值及測(cè)量方法”測(cè)量結(jié)果,不難看出國(guó)產(chǎn)ZW-1電感與英國(guó)Lank電感相比較,國(guó)產(chǎn)ZW-1電感抗干擾電平都在

材料 BS(T) μS tr(μs) 電流上升波形
50NiFe磁粉芯 1.3 120 ≤150  
超微晶磁芯粉 0.8 50 200  
開(kāi)口非晶帶材 1.3 800 <100  
英國(guó)ZW-1 0.9 75 380  
國(guó)產(chǎn)ZW-1 0.9 70 450  

f/MHz

圖5調(diào)光裝置設(shè)備抗干擾曲線

A級(jí)標(biāo)準(zhǔn)以下,而英國(guó)Lank電感在0.16MHz~3.5MHz頻段超標(biāo),而開(kāi)口硅鋼片制作的抗干擾電感在頻段0.01MHz-1.2MHz都超標(biāo)。用開(kāi)口磁芯做抗干擾電感不可能達(dá)標(biāo)。目前國(guó)內(nèi)的調(diào)光燈大多數(shù)都用鐵氧體磁環(huán)做抗干擾電感,這顯然是錯(cuò)誤的。不但沒(méi)有抑制干擾反而增加干擾,因?yàn)殍F氧體總是工作在飽和區(qū)。

圖6是程控交換機(jī)用的100A抗干擾濾波器衰減曲線。抗干擾衰減曲線I是進(jìn)口同類濾波器,其干擾電平曲線在0.01MHz~100MHz范圍內(nèi)干擾電平的衰減比較均勻平緩。曲線II用開(kāi)口鐵氧體做濾波器,當(dāng)頻率為0.4MHz~0.8MHz時(shí)的峰值說(shuō)明對(duì)該頻段的干擾信號(hào)衰減小,達(dá)不到要求。后來(lái)用美國(guó)Micrometals公司鐵粉芯代替,則在0.2MHz~0.45MHz頻段抗干擾能力弱(如曲線III),但要比開(kāi)口鐵氧體好些,仍不理想。因?yàn)閷?duì)通訊電源最傷腦筋的是低頻干擾。后來(lái)用專門(mén)研制的磁粉芯做成的濾波器干擾電平如曲線IV,要比曲線II、III都好,甚至優(yōu)于國(guó)外同類濾波器性能。從以上的例子可以看出在研制EMI濾波器時(shí)要特別注意濾波電感選擇。不但要選用適當(dāng)?shù)拇挪?,還要選用適合于所需衰減頻段的磁性能。所以磁性材料的選取在EMI濾波器中有著舉足輕重的作用。

4抗干擾濾波器的發(fā)展趨勢(shì)

圖6 100A濾波器抗干擾曲線

當(dāng)前電子線路向高速數(shù)字電路轉(zhuǎn)移。高組裝密度和高運(yùn)算速度對(duì)EMC提出更高的要求。電子產(chǎn)品的微型化、多功能、移動(dòng)化的發(fā)展又促使電子產(chǎn)品在組裝方式上向表面貼裝技術(shù)轉(zhuǎn)移,又進(jìn)一步降低干擾。同時(shí)為了提高其動(dòng)態(tài)響應(yīng),降低干擾,必須力求減小供電母線的引線電感。最有效的方法是將電源直接裝在負(fù)載附近,用分散供電方式(即小功率源)而不采用集中供電的形式(大功率源),這樣大大減少引線的長(zhǎng)度,有效降低輻射干擾。所以今后幾年美國(guó)將大力發(fā)展小功率16W~25W低壓(輸出電壓最低為1.2V)DC/DC開(kāi)關(guān)電源??梢?jiàn),片式磁性器件是微型化的關(guān)鍵材料之一,它可分為線繞型片式電感、疊層型片式電感、薄膜型片式電感。為此上海鋼鐵研究所已開(kāi)始著手金屬薄膜電感和薄膜變壓器元件的研制。目前美國(guó)和日本的一些重要研究所都開(kāi)始研究薄膜電感和薄膜變壓器,并與集成元件組合制成新穎的超小型、高可靠性、高抗干擾能力的電源模塊。由此可見(jiàn)超小型電感和變壓器將是21世紀(jì)磁性元件的發(fā)展方向。

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9月2日消息,不造車的華為或?qū)⒋呱龈蟮莫?dú)角獸公司,隨著阿維塔和賽力斯的入局,華為引望愈發(fā)顯得引人矚目。

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倫敦2024年8月29日 /美通社/ -- 英國(guó)汽車技術(shù)公司SODA.Auto推出其旗艦產(chǎn)品SODA V,這是全球首款涵蓋汽車工程師從創(chuàng)意到認(rèn)證的所有需求的工具,可用于創(chuàng)建軟件定義汽車。 SODA V工具的開(kāi)發(fā)耗時(shí)1.5...

關(guān)鍵字: 汽車 人工智能 智能驅(qū)動(dòng) BSP

北京2024年8月28日 /美通社/ -- 越來(lái)越多用戶希望企業(yè)業(yè)務(wù)能7×24不間斷運(yùn)行,同時(shí)企業(yè)卻面臨越來(lái)越多業(yè)務(wù)中斷的風(fēng)險(xiǎn),如企業(yè)系統(tǒng)復(fù)雜性的增加,頻繁的功能更新和發(fā)布等。如何確保業(yè)務(wù)連續(xù)性,提升韌性,成...

關(guān)鍵字: 亞馬遜 解密 控制平面 BSP

8月30日消息,據(jù)媒體報(bào)道,騰訊和網(wǎng)易近期正在縮減他們對(duì)日本游戲市場(chǎng)的投資。

關(guān)鍵字: 騰訊 編碼器 CPU

8月28日消息,今天上午,2024中國(guó)國(guó)際大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)開(kāi)幕式在貴陽(yáng)舉行,華為董事、質(zhì)量流程IT總裁陶景文發(fā)表了演講。

關(guān)鍵字: 華為 12nm EDA 半導(dǎo)體

8月28日消息,在2024中國(guó)國(guó)際大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)上,華為常務(wù)董事、華為云CEO張平安發(fā)表演講稱,數(shù)字世界的話語(yǔ)權(quán)最終是由生態(tài)的繁榮決定的。

關(guān)鍵字: 華為 12nm 手機(jī) 衛(wèi)星通信

要點(diǎn): 有效應(yīng)對(duì)環(huán)境變化,經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)穩(wěn)中有升 落實(shí)提質(zhì)增效舉措,毛利潤(rùn)率延續(xù)升勢(shì) 戰(zhàn)略布局成效顯著,戰(zhàn)新業(yè)務(wù)引領(lǐng)增長(zhǎng) 以科技創(chuàng)新為引領(lǐng),提升企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力 堅(jiān)持高質(zhì)量發(fā)展策略,塑強(qiáng)核心競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)...

關(guān)鍵字: 通信 BSP 電信運(yùn)營(yíng)商 數(shù)字經(jīng)濟(jì)

北京2024年8月27日 /美通社/ -- 8月21日,由中央廣播電視總臺(tái)與中國(guó)電影電視技術(shù)學(xué)會(huì)聯(lián)合牽頭組建的NVI技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟在BIRTV2024超高清全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展研討會(huì)上宣布正式成立。 活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng) NVI技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)...

關(guān)鍵字: VI 傳輸協(xié)議 音頻 BSP

北京2024年8月27日 /美通社/ -- 在8月23日舉辦的2024年長(zhǎng)三角生態(tài)綠色一體化發(fā)展示范區(qū)聯(lián)合招商會(huì)上,軟通動(dòng)力信息技術(shù)(集團(tuán))股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱"軟通動(dòng)力")與長(zhǎng)三角投資(上海)有限...

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