內(nèi)置高耐壓低導(dǎo)通電阻MOSFET的降壓型1ch DC/DC轉(zhuǎn)換器

時間：2017-12-25 18:31:47

關(guān)鍵字： DC/DC 電源技術(shù)解析轉(zhuǎn)換器

手機看文章

掃描二維碼
隨時隨地手機看文章

[導(dǎo)讀]ROHM推出內(nèi)置耐壓高達80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內(nèi)置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的業(yè)界最高水平，在ROHM的DC/DC轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品

ROHM推出內(nèi)置耐壓高達80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內(nèi)置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的業(yè)界最高水平，在ROHM的DC/DC轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品陣容中也是最高耐壓的機型。高耐壓的DC/DC轉(zhuǎn)換器在以電信相關(guān)和工業(yè)設(shè)備為首的應(yīng)用中、最近在使用電池組的應(yīng)用中使用量增加，因此其需求日益高漲。然而，現(xiàn)狀是可供應(yīng)具有60V以上耐壓的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC的制造商有限，而且種類也并不是很多。

BD9G341AEFJ是作為功率開關(guān)內(nèi)置額定80V/3.5A的N通道MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC，僅需增加很少外置元器件，即可構(gòu)建高性能的高耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器。一般高耐壓的DC/DC轉(zhuǎn)換器采用外置高耐壓MOSFET的電路結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)高耐壓的情況較多，而BD9G341AEFJ為減少安裝面積并簡化設(shè)計，IC設(shè)計采用內(nèi)置高耐壓MOSFET結(jié)構(gòu)，這需要具備非常先進的技術(shù)能力才能實現(xiàn)。此外，內(nèi)置MOSFET的導(dǎo)通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。

BD9G341AEFJ的轉(zhuǎn)換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊MOSFET為內(nèi)置，而續(xù)流二極管為外置。續(xù)流二極管是肖特基勢壘二極管，需要能夠容許電路最大輸入電壓的高耐壓品。ROHM擁有適合開關(guān)電源的各種二極管，因此還可一并供應(yīng)BD9G341AEFJ所需的肖特基勢壘二極管。

下面是主要特點和標準電路例。通過采用電流模式控制，相位補償簡單，可獲得高速的瞬態(tài)響應(yīng)。開關(guān)頻率可在50kHz～750kHz之間設(shè)置，因此可優(yōu)化尺寸與效率。另外還搭載了所需的幾乎所有的保護功能，這也是該產(chǎn)品的特點之一。

<特點>

內(nèi)置額定80V/3.5A、

Ron 150mΩ的Nch MOSFET

最大輸出電流：3A

輸入電壓范圍：12V～76V

輸出電壓范圍：1.0V～輸入電壓

開關(guān)頻率(可變)：50kHz～750kHz

通過電流模式實現(xiàn)高速瞬態(tài)響應(yīng)

基準電壓：1.0V±1.5%(25℃)、

±2%(整個溫度范圍)

高精度EN閾值±3%