飛思卡爾推出適用TD-SCDMA無線網(wǎng)絡的系列產(chǎn)品

在上周結(jié)束的年度盛會飛思卡爾技術論壇（FTF）上，無線網(wǎng)絡成為行業(yè)討論的熱點話題，引來眾多業(yè)內(nèi)人士的矚目。新一代的無線通信技術和產(chǎn)品，將改寫我們新的數(shù)字生活方式，讓世界更環(huán)保更安全，溝通更順暢更便捷。

在無線架構(gòu)功率晶體管領域，飛思卡爾以63%的份額占據(jù)市場領先地位。飛思卡爾提供最佳性價比的領先產(chǎn)品，長期保持系統(tǒng)成本的降低。射頻功率晶體管是射頻功率放大器的關鍵部件，應用在手機架構(gòu)里用于傳播手機信號到廣泛區(qū)域。飛思卡爾的射頻手機覆蓋所有主要的頻帶，從700MHz到3500MHz。產(chǎn)品支持2G，3G和4G標準，包括GSM、CDMA、WCDMA、CDMA2000、TDSCDMA和LTE。

TD-SCDMA是在中國開發(fā)的第三代無線標準，時分同步碼分多址存取（TD-SCDMA）無線網(wǎng)絡已被廣泛應用，而這些射頻功率晶體管已經(jīng)為基站使用的功率放大器進行了優(yōu)化。這些先進的器件是專為TD-SCDMA 設計的飛思卡爾LDMOS 功率晶體管系列中的最新產(chǎn)品，而TD-SCDMA在業(yè)界被廣泛部署。

基于時分雙工和異步CDMA技術的TD-SCDMA具有多重優(yōu)勢，包括頻譜使用更有效率，在上行/下行鏈路中支持非對稱項目的能力，IP服務和向下一代標準（比如LTE）自然演進路程的適應力等等。

先進的LDMOS FET可提升基站放大器的性能并降低其成本及復雜性

飛思卡爾半導體公司新近推出兩款LDMOS射頻功率晶體管。MRF8P20160HSR3晶體管和MRF8P20100HSR3器件均采用飛思卡爾最新的高壓第八代（HV8）LDMOS技術，它提供的性能水平位居業(yè)界最高行列。Doherty參考設計和世界范圍的現(xiàn)場應用工程師的支持，極大地降低了客戶進入市場的時間。兩個器件都提供對寬帶的固有支持，所以能夠在專為TD-SCDMA的運行而分配的兩個頻帶（1880-1920 MHz 及 2010-2025 MHz）上提供它們的額定性能，這讓一個單獨的器件能夠為兩個頻帶提供服務，消除了兩頻帶之間組件不同的需求，簡化了清單管理。

TD-SCDMA基站中的放大器均采用Doherty 架構(gòu)，該架構(gòu)包含兩個放大器，它們共同提供所有的運行條件。這通常要求在載波以及功率放大器的末級功峰值路徑中配置單獨的RF功率晶體管。然而，飛思卡爾的LDMOS 晶體管均采用“雙路徑”設計，其中，Doherty末級放大器的實施所要求的兩個放大器被集成在一個單獨的封裝內(nèi)。這將把所需器件的數(shù)量減少一半。這些優(yōu)勢，加上高增益、高效率及低功耗，能夠降低TD-SCDMA放大器的生產(chǎn)成本、減少所需的組件并降低放大器的復雜度。

飛思卡爾提供完整的工具和服務組件

• 晶體管模型
• 預負載拉移容量（復雜信號，諧波調(diào)諧）
• Doherty示范器
• 熱能分析
• 晶體管
• 客戶特制優(yōu)化和個性化
• 統(tǒng)計分析
• 世界范圍的項目應用網(wǎng)絡

兩款器件的工作電壓均為26-32V，能在32V直流電源下處理的電壓駐波比為10:1，它們在設計上是為了與數(shù)字預失真誤差校正電路一起使用。它們帶有內(nèi)部預匹配，采用空腔陶瓷封裝，可以提供膠帶和卷軸式包裝。這些器件還包含靜電保護措施，防止在裝配線上遇到靜電釋放影響。靜電釋放保護也使門電壓在-6V和+10V 之間寬幅波動，從而提高了高效模式（如C級模式）下運行的性能。

這些先進的器件已成為飛思卡爾現(xiàn)有的LDMOS射頻功率放大器陣營中的成員，用于支持TD-SCDMA的運行，其中包括MRF7P20040H LDMOS FET和MD7IC2050N多級集成功率放大器集成電路，每個器件均可在兩個TD-SCDMA頻帶上提供10W的平均功率。

無線覆蓋解決方案提供商三元達通訊采用MRF6VP3450H器件

三元達采用飛思卡爾RF Power 50V LDMOS晶體管推出全球第一款高效Doherty DTV發(fā)射器低碳、低功耗，支持中國環(huán)保規(guī)范要求。三元達在這一里程碑產(chǎn)品中結(jié)合了該公司的高效率技術Doherty與飛思卡爾的性能領先的RF功率橫向擴散MOS（LDMOS）晶體管，后者適用于廣泛的應用。

此產(chǎn)品為全球第一款商用的先進高效率Doherty技術，由三元達研發(fā)實驗室自主研發(fā)，通過采用自有平臺將能夠縮短產(chǎn)品周期并與市場中的其他全球OEM展開有效的競爭。

通過采用飛思卡爾的MRF6VP3450H器件，這款發(fā)射器的效率比競爭UHF TV廣播解決方案提高了50%，而且系統(tǒng)級功耗更少。飛思卡爾的MRF6VP3450H器件在P1dB下提供超過450 W的峰值功率，并在整個UHF廣播頻帶中提供高效率。發(fā)射器對于TV廣播電臺是一項龐大的運營成本，而這項運營成本的主要組成部分就是RF功率放大器產(chǎn)生的電能消耗。MRF6VP3450H器件設計的發(fā)射器不僅每年能節(jié)約大量能源，而且通過減少必要的RF功率晶體管的數(shù)量，顯著降低了發(fā)射器成本。

大唐移動選擇飛思卡爾的多核處理器支持3G基站

大唐移動通過來自飛思卡爾的世界級硅技術，提供高性能、高能效的TD - SCDMA無線基站。飛思卡爾MSC8156 DSP和 QorIQ P2020 處理器提供驅(qū)動先進基站所需的靈活性、集成性和經(jīng)濟性，支持下一代無線標準。與大唐的合作，突顯了飛思卡爾在中國的長期發(fā)展動力，同時展示了飛思卡爾多核處理器、DSP和RF功率技術的廣度和深度。

大唐移動為一系列TD - SCDMA基站選用飛思卡爾半導體的雙核QorIQ P2020處理器、6核MSC8156 DSP和MD7IC2050N射頻功率組件：

• QorIQ P2020通信處理器

飛思卡爾 QorIQ P2020通信處理器是飛思卡爾QorIQ 產(chǎn)品線的一個成員。P2020器件在45納米低功率平臺上，集成了2個e500 Power Architecture內(nèi)核、一組豐富的高速I/O，安全的加速度引擎技術和一個DDR2/3內(nèi)存控制器。1.2 GHz雙核提供管理網(wǎng)絡線卡和基帶信道卡設備內(nèi)大量控制平面和數(shù)據(jù)平面流量所需要的成本和能效優(yōu)勢。

• MSC8156 DSP

MSC8156 DSP基于45納米工藝技術，具有靈活性、集成性和經(jīng)濟性，同時還能滿足無線基站OEM對基帶應用的超高計算性能的需求。MSC8156 DSP是以下應用的理想選擇，包括支持一系列不同標準（如：TDD-LTE、FDD-LTE、TD-SCDMA、WiMAX和 3G-HSPA）的無線基站。 該器件包括6個DSP內(nèi)核，它提供一套高速接口和DDR2/3內(nèi)存控制器，使DSP內(nèi)核性能每秒能提供48個GMAC(千兆乘法和累加)。嵌入式MAPLE-B基帶加速計提供280 Mbps FFT吞吐量，175 Mbps DFT，200 Mbps速率的6個迭代3G-LTE Turbo解碼，100 Mbps的尾咬和多迭代Viterbi解碼。

增強飛思卡爾TD-SCDMA的領導地位

在2009年，飛思卡爾推出用于低功率TD-SCDMA基站的射頻解決方案?，F(xiàn)在正在積極增加中/高功率的解決方案，飛思卡爾將成為眾多射頻解決方案供應商中市場覆蓋最全面的一個。全球移動數(shù)據(jù)傳輸在2009年已經(jīng)壓制了語音傳輸，在過去兩年移動數(shù)據(jù)傳送已經(jīng)增長了3倍，并期待在未來五年持續(xù)每年翻倍增長。所有的解決方案都需要無線發(fā)射器，飛思卡爾持續(xù)不斷地推行技術創(chuàng)新和服務以支持增長的數(shù)據(jù)架構(gòu)容量。在飛思卡爾推出工業(yè)第一款為TD-SCDMA應用優(yōu)化的多級商用RFIC——MW7IC2240NB時，已允許OEM廠商將兩到三個部件縮減為一個，節(jié)省板空間，并降低了功率消耗和成本。飛思卡爾能夠提供覆蓋2010MHz到1880MHz的最完整的射頻組件，減少設計時所需的功率放大器數(shù)量。下一代的解決方案還將進一步減小材料成本。技術創(chuàng)新、產(chǎn)品最佳性價比、便于使用、更短的產(chǎn)品上市時間、應用多樣化等等，都是客戶選擇飛思卡爾產(chǎn)品的原因。