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[導(dǎo)讀]摘要:此處以工程應(yīng)用為背景,研究了一種適用于低壓大電流整流系統(tǒng)的混合型有源電力濾波器(HAPF)給出了該結(jié)構(gòu)的主電路及原理說(shuō)明,介紹了從驅(qū)動(dòng)功率、死區(qū)時(shí)間和箝位保護(hù)3個(gè)方向選擇大功率模塊,從電平轉(zhuǎn)換到光纖傳輸

摘要:此處以工程應(yīng)用為背景,研究了一種適用于低壓大電流整流系統(tǒng)的混合型有源電力濾波器(HAPF)給出了該結(jié)構(gòu)的主電路及原理說(shuō)明,介紹了從驅(qū)動(dòng)功率、死區(qū)時(shí)間和箝位保護(hù)3個(gè)方向選擇大功率模塊,從電平轉(zhuǎn)換到光纖傳輸實(shí)現(xiàn)觸發(fā),采用熱管技術(shù)以及基于DSP控制系統(tǒng)等關(guān)鍵技術(shù)的設(shè)計(jì),包括DSP TMS320F2812控制板和接口電路板的設(shè)計(jì)。最后,針對(duì)某銅加工廠(chǎng)的諧波及無(wú)功實(shí)際情況,給出該濾波器的具體實(shí)現(xiàn)方案?,F(xiàn)場(chǎng)運(yùn)行數(shù)據(jù)表明,設(shè)計(jì)方案和實(shí)驗(yàn)裝置有效、可靠。
關(guān)鍵詞:有源電力濾波器;諧波;數(shù)字信號(hào)處理器

1 引言
    近年來(lái),隨著電力電子設(shè)備的發(fā)展。諧波污染日趨嚴(yán)重,而用戶(hù)對(duì)電能質(zhì)量的要求卻越來(lái)越高。HAPF作為治理諧波的主要技術(shù)之一,因其性?xún)r(jià)比高且工程實(shí)現(xiàn)容易,正日益成為工業(yè)系統(tǒng)有效濾除諧波和無(wú)功補(bǔ)償?shù)氖走x方案。此處介紹了HAPF的主電路系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)及其數(shù)字控制系統(tǒng)的構(gòu)成和DSP實(shí)現(xiàn)。最后,針對(duì)某企業(yè)諧波和無(wú)功情況,給出了HAPF的具體實(shí)現(xiàn)方法?,F(xiàn)場(chǎng)運(yùn)行數(shù)據(jù)表明,提出的設(shè)計(jì)思路和方案可行。

2 HAPF的主電路結(jié)構(gòu)及原理
    圖1示出HAPF系統(tǒng)拓?fù)?,因結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,安裝容易,占地面積小,適用于低壓系統(tǒng)兼顧大容量無(wú)功補(bǔ)償和動(dòng)態(tài)諧波治理場(chǎng)合,在工業(yè)上應(yīng)用廣泛。


    單純的無(wú)源濾波器(PF)存在濾波特性受電網(wǎng)阻抗影響和容易與電網(wǎng)阻抗產(chǎn)生串并聯(lián)諧振的缺陷,有源濾波器(APF)受開(kāi)關(guān)器件容量限制,補(bǔ)償無(wú)功能力有限,這里結(jié)合現(xiàn)場(chǎng)的無(wú)功和諧波情況,給出了PF加并聯(lián)APF的HAPF實(shí)現(xiàn)方案。因現(xiàn)場(chǎng)工況為6脈波的高頻開(kāi)關(guān)整流負(fù)載,功率因數(shù)偏低,5次諧波電流偏大,5次單調(diào)諧無(wú)源支路降低了系統(tǒng)的PF對(duì)低頻信號(hào)的放大;11次單調(diào)諧無(wú)源支路不僅能夠補(bǔ)償一定量的無(wú)功,對(duì)高頻諧波如13,17等次諧波也有濾波效果,所以PF設(shè)計(jì)為5,11次單調(diào)諧,而APF通過(guò)對(duì)PWM逆變器的控制,使得逆變器輸出相應(yīng)的電壓或電流跟蹤期望的參考電壓或電流,實(shí)現(xiàn)諧波治理。

3 關(guān)鍵技術(shù)
3.1 大功率逆變器的選取
    功率模塊承擔(dān)著電網(wǎng)的有功功率轉(zhuǎn)移和諧波治理。綜合了電力晶體管(GTR)耐高壓、大電流和MOSFET開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn),選擇全控型器件絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。實(shí)驗(yàn)采用FF450R17ME3型IGBT,它采用了改進(jìn)的溝槽柵和場(chǎng)終止技術(shù),耐流值為450 A,耐壓值為1.7 kV。IGBT模塊的導(dǎo)通和關(guān)斷受柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的控制,IGBT正常工作需滿(mǎn)足以下要求:①驅(qū)動(dòng)功率滿(mǎn)足要求;②PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)需預(yù)留一定死區(qū)時(shí)間;③柵極、有源箝位功能。根據(jù)上述要求,此處預(yù)選2SP0115T作為FF450R17ME3這個(gè)半橋IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)器。
3.1.1 驅(qū)動(dòng)功率
    此處選擇設(shè)計(jì)的載波頻率為10 kHz,驅(qū)動(dòng)器每通道的輸出功率為:
    P=fsQg△U      (1)
    式中:fs為IGBT開(kāi)關(guān)頻率;Qg為IGBT門(mén)極電荷;△U為門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓擺幅,等于驅(qū)動(dòng)正壓+U與-U之間差值。
    根據(jù)式(1)和系統(tǒng)參數(shù),驅(qū)動(dòng)板選取兩單元2SP0115T,每個(gè)IGBT的驅(qū)動(dòng)功率為1 W,保證了應(yīng)用要求。
3.1.2 死區(qū)時(shí)間
    設(shè)置死區(qū)時(shí)間需注意:①死區(qū)時(shí)間必須大于IGBT器件關(guān)斷延遲時(shí)間;②對(duì)控制效果的影響盡量小。死區(qū)時(shí)間過(guò)小不利于IGBT的安全,死區(qū)時(shí)間過(guò)大則容易給控制效果和精度帶來(lái)影響,尤其在驅(qū)動(dòng)信號(hào)開(kāi)關(guān)頻率很高時(shí)影響特別明顯。FF450R17ME3關(guān)斷延遲最大為0.62μs,開(kāi)通延遲為0.22μs,2SP0115T2A驅(qū)動(dòng)板的死區(qū)時(shí)間本身設(shè)置為3μs,可滿(mǎn)足安全要求,此處采用的開(kāi)關(guān)頻率為10 kHz,開(kāi)關(guān)周期T=0.1 ms,故一個(gè)死區(qū)時(shí)間在一個(gè)PWM開(kāi)關(guān)周期內(nèi)所占比例為3%,因此對(duì)控制的精度影響不大。[!--empirenews.page--]
3.1.3 箝位保護(hù)
    在IGBT的門(mén)極和射極間寄生著米勒電容,當(dāng)電容兩端電壓變化率過(guò)大時(shí)將在門(mén)極產(chǎn)生較大偏移電流,影響IGBT正常關(guān)斷,為防止這種關(guān)斷拖尾現(xiàn)象,在門(mén)極進(jìn)行有源米勒箝位,如圖2所示。


    在IGBT的門(mén)極與射極間附加一個(gè)晶體管VT和一個(gè)穩(wěn)壓管VD,當(dāng)門(mén)極電流較大時(shí),VT導(dǎo)通,吸收部分柵極電流,加速I(mǎi)GBT的關(guān)斷,從而改善其關(guān)斷特性。
3.2 觸發(fā)系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)
3.2.1 電平轉(zhuǎn)換
    OC門(mén)電路如圖3所示,實(shí)現(xiàn)了電平轉(zhuǎn)換,通過(guò)改變電源Ec值,即可改變輸出邏輯高電平的值,實(shí)現(xiàn)TTL電平到其他類(lèi)型電路電平轉(zhuǎn)換,而此處是將TTL電平轉(zhuǎn)換為高閾值的TTL電平。


    由于設(shè)計(jì)中DSP發(fā)出的PWM信號(hào)為0~3 V脈沖信號(hào),而7407外接+Vcc和上拉電阻將電平轉(zhuǎn)換至高閾值電平。
3.2.2 光纖觸發(fā)
    光電轉(zhuǎn)換器和電光轉(zhuǎn)換器采用ST接頭,符合IEEE 802.3 Ethemet 802.5 Token Ring標(biāo)準(zhǔn),數(shù)據(jù)率最高可達(dá)175 MBd,最長(zhǎng)傳輸距離達(dá)4 km,工作溫度范圍寬-40~+85℃。原理如圖4所示,電流IF的大小決定傳輸距離,計(jì)算公式為:
    IF=(Vcc-UF)/R1      (2)[!--empirenews.page--]
    式中:UF為電光轉(zhuǎn)換器2412的導(dǎo)通壓降,一般為1.5V。


    圖5示出光纖傳輸距離與IF大小的關(guān)系。只要選取合適的R1就能使光信號(hào)傳輸?shù)侥康奈恢?,并且不失真?/p>


3.3 散熱系統(tǒng)的的設(shè)計(jì)
    系統(tǒng)穩(wěn)定安全運(yùn)行時(shí),若散熱措施不夠好,IGBT開(kāi)關(guān)管損耗導(dǎo)致模塊升溫,給系統(tǒng)帶來(lái)不利影響。熱管屬于一種傳熱元件,它充分利用了熱傳導(dǎo)原理與致冷介質(zhì)的快速熱傳遞性質(zhì),通過(guò)在全封閉真空管內(nèi)的液體蒸發(fā)與凝結(jié)來(lái)傳遞熱量,具有極高的導(dǎo)熱性、良好的等溫性、冷熱兩側(cè)的傳熱面積可任意改變、可遠(yuǎn)距離傳熱、可控制溫度等優(yōu)點(diǎn),其導(dǎo)熱能力遠(yuǎn)超過(guò)任何已知金屬的導(dǎo)熱能力。熱管技術(shù)的原理就是利用工作流體的蒸發(fā)與冷凝來(lái)傳遞熱量。將鋁管內(nèi)部抽真空后充入工作流體,流體以蒸發(fā)-冷凝的相變過(guò)程在內(nèi)部反復(fù)循環(huán),不斷將熱端的熱量傳至冷卻端,從而形成將熱量從管子的一端傳至另一端的傳熱過(guò)程。
3.4 基于DSP的控制電路的設(shè)計(jì)
    采用TMS320F2812型DSP作為控制器核心單元,此處設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)了TMS320F2812嵌入式DSP控制板,DSP整體接口控制框圖如圖6所示。


    所用DSP控制板是專(zhuān)為電力監(jiān)控而設(shè)計(jì)的、采用基于32位定點(diǎn)DSP的高性能、低成本DSP控制板,在保證各種應(yīng)用的適應(yīng)性基礎(chǔ)上,還兼具良好的擴(kuò)展性。在該控制板中集成了DSP,SRAM,片外D/A,片外A/D,UART,串行EEPROM,RTC實(shí)時(shí)時(shí)鐘,工業(yè)以太網(wǎng)等外設(shè)。[!--empirenews.page--]
    該控制板除具有TMS320F2812特性外,擴(kuò)展了很多功能,外擴(kuò)有512K*16 bit高速SRAM存儲(chǔ)器。①參數(shù)存儲(chǔ):帶56字節(jié)NvRAM實(shí)時(shí)時(shí)鐘、SPI接口EEPROM(最大128K*8 bit);②輸入/輸出:12路±10 V模擬輸入、4路±10 V模擬輸出、48路I/O及功能擴(kuò)展口線(xiàn)、128*64LCD接口、4*4鍵盤(pán)、8位數(shù)據(jù)及3位地址總線(xiàn)擴(kuò)展:③接口通信接口:10M以太網(wǎng)接口、保留的I/O口線(xiàn)可方便實(shí)現(xiàn)RS485/RS232/CAN/SPI等形式的通訊:④采用的DSP控制板結(jié)構(gòu)緊湊,布局合理,外部接口信號(hào)根據(jù)信號(hào)特點(diǎn)合理劃分,提高了模板穩(wěn)定性及抗干擾能力。

4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果
    某冶煉廠(chǎng)0.4 kV HAPF系統(tǒng)如圖7所示,由5,11次無(wú)源濾波支路和有源部分組成。系統(tǒng)參數(shù)L5=0.262 mH,C5=1 592.36 μF,L11= 0.108 mH,C11=796.18μF,L0=0.3mH,C=10mF。


    表1示出該廠(chǎng)投入補(bǔ)償裝置前后平均功率因數(shù)和第5,7,11次特征諧波電流幅值對(duì)比。


    圖8示出實(shí)驗(yàn)波形,由表1及圖8可見(jiàn),投入補(bǔ)償裝置后,平均功率因數(shù)由原來(lái)的0.82提高到0.97,第5,7,11次特征諧波也得到了很好的抑制,達(dá)到了國(guó)標(biāo)要求。



5 結(jié)論
    提出了一種適用于低壓整流系統(tǒng)的并聯(lián)混合型有源電力濾波電路,并給出了濾波器主電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵技術(shù)和控制器的DSP實(shí)現(xiàn)方案。最后針對(duì)某企業(yè)的工程實(shí)際情況,給出了混合型有源電力濾波的的具體實(shí)現(xiàn)方案和參數(shù)?,F(xiàn)場(chǎng)運(yùn)行數(shù)據(jù)表明,提出的設(shè)計(jì)思路和方案是可行的。

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