EDA
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MOSFET與IGBT：電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制的未來(lái)
Si IGBT是硅絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)寫(xiě)。碳化硅MOSFET是碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的縮寫(xiě)。
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單相全橋混合器件模塊與三電平混合器件模塊
用于太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)逆變器(含輸入直流斬波級(jí))的功率半導(dǎo)體器件主要有MOSFET、IGBT、超結(jié)MOSFET。其中MOSFET速度最快，但成本也最高。
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推挽式逆變器的主電路及其工作波形
逆變器是由具有中心抽頭變壓器，兩只開(kāi)關(guān)管V1、V2碭和兩只二極管D1、D2構(gòu)成的，是一種完全對(duì)稱(chēng)的結(jié)構(gòu)形式。
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普通PWM芯片如何實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)易的軟開(kāi)關(guān)
電池供電的逆變器,為了減少回路中串聯(lián)的功率管數(shù)量,多采用推挽電路,其中的MOSFET多工作在硬開(kāi)關(guān)狀態(tài),硬開(kāi)關(guān)狀態(tài)有以下弊端
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反激式開(kāi)關(guān)電源的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)
反激式開(kāi)關(guān)電源的電壓和電流的輸出特性要比正激式開(kāi)關(guān)電源的差。
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STM32F103VE的純數(shù)字式正弦逆變電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)
該方案分為前后兩級(jí)，前級(jí)采用推挽升壓電路將輸入的直流電升壓到350V左右的母線電壓，后級(jí)采用全橋逆變電路，逆變橋輸出經(jīng)濾波器濾波。
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boost升壓電路參數(shù)選型設(shè)計(jì)
穩(wěn)定工作時(shí)，第個(gè)開(kāi)關(guān)周期導(dǎo)通期間電感電流的增加等于關(guān)斷期間電感電流的減小。
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自舉電路的工作原理
通過(guò)特定的電路配置來(lái)實(shí)現(xiàn)電壓升高的電路。其工作原理復(fù)雜而精妙，涉及電子元件的充放電過(guò)程、電壓疊加以及能量轉(zhuǎn)換等多個(gè)方面。
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boost升壓電路的定義及工作原理介紹
boost升壓電路是一種常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)直流升壓電路，它通過(guò)開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通和關(guān)斷來(lái)控制電感儲(chǔ)存和釋放能量，從而使輸出電壓比輸入電壓高。
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開(kāi)關(guān)電源中開(kāi)關(guān)式穩(wěn)壓電源的基本工作原理
介紹單端正激式開(kāi)關(guān)電源、自激式開(kāi)關(guān)電源、推挽式開(kāi)關(guān)電源、降壓式開(kāi)關(guān)電源、升壓式開(kāi)關(guān)電源和反轉(zhuǎn)式開(kāi)關(guān)電源。
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逆變電路開(kāi)關(guān)器件設(shè)計(jì)時(shí)如何確定控制信號(hào)的占空比?
?確定控制信號(hào)的占空比?：占空比是指PWM信號(hào)中高電平的時(shí)間占整個(gè)周期的比例。占空比決定了輸出電路的平均功率。
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開(kāi)關(guān)電源中穩(wěn)壓環(huán)路原理
開(kāi)關(guān)電源可以使功率晶體管工作在導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)下，其實(shí)就是將輸入直流電壓幅值斬成和輸入電壓幅值相等的脈沖電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)。
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開(kāi)關(guān)電源電路中的電磁干擾濾波器
開(kāi)關(guān)電源的主要電路是由輸入電磁干擾濾波器(EMI)、整流濾波電路、功率變換電路、PWM控制器電路、輸出整流濾波電路組成。
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在雙管正激開(kāi)關(guān)電源中，變壓器的設(shè)計(jì)
在雙管正激開(kāi)關(guān)電源中，變壓器是核心部件之一，其設(shè)計(jì)和參數(shù)選擇對(duì)整個(gè)電源的性能有著重要的影響。
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在電源供應(yīng)領(lǐng)域，開(kāi)關(guān)電源的紋波如何控制？
在電源供應(yīng)領(lǐng)域，開(kāi)關(guān)電源的紋波控制是提高設(shè)備性能的關(guān)鍵。本文將帶領(lǐng)讀者了解開(kāi)關(guān)電源紋波測(cè)量的一系列步驟，以保障電源的穩(wěn)定輸出。
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- 學(xué)習(xí)ST“電源與能源”課程，為電源設(shè)計(jì)添點(diǎn)“彩”
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