電磁兼容性(EMC)是一個關鍵問題,它涉及到保證電子設備在各種環(huán)境下正常運作,不受電磁干擾(EMI)的影響,同時也不對其他設備產(chǎn)生干擾。
在rtl仿真中,有四種狀態(tài),分別是0、1、x(unknown values)和z(high-impedance values)。
上一篇主要講述了soc的骨架,crossbar互聯(lián)網(wǎng)路?,F(xiàn)在來講soc的神經(jīng)末梢,它們依附在骨架上,受和調(diào)控制,并將外部信息分享給核心以及其他成員。它是什么呢?
大家不要以為APB的master和slave很簡單,不需要了解。這是大錯特錯,為什么呢?
Bitmap是一種通過位映射來高效存儲和查詢數(shù)據(jù)的技術,它在處理大規(guī)模數(shù)據(jù)集時能夠有效地節(jié)省內(nèi)存空間。Bitmap技術特別適用于需要對大量數(shù)據(jù)進行存在性檢查的場景,比如用戶簽到、頁面訪問等,它可以顯著節(jié)省內(nèi)存空間。
本文將以PCIe EP用戶邏輯舉例,描述PCIe可以添加哪些定位手段。如圖所示,PCIe IP作為endpoint與RC對接,用戶實現(xiàn)了應用邏輯,與PCIe IP進行交互,交互信號中data格式為TLP報文格式,且交互信號包含相應的控制信號,例如PCIe配置空間和IP相干的配置信號。
在IC設計中,我們有時會使用深度很大,位寬很小的ram。例如深度為1024,位寬為4bit的ram。此類的ram有個明顯的缺點:形狀狹長,不利于布局布線、導致讀寫接口走線過長,不利于時序收斂。
當PCIe出現(xiàn)鏈路不穩(wěn)定時,如何進行進行問題定位。本文描述的場景:EP PCIe 最高速率為gen4模式,ltssm狀態(tài)機無法持續(xù)穩(wěn)定在L0狀態(tài)。
在ASIC設計中,項目會期望設計將代碼寫成clk-gating風格,以便于DC綜合時將寄存器綜合成clk-gating結構,其目的是為了降低翻轉功耗。因為當控制信號(vld_in)無效時,使用了clk-gating后的寄存器,其CK(clk)端口一直為0,因此不存在翻轉,能夠有效降低寄存器的翻轉功耗和對應的時鐘樹的翻轉功耗。如下所示:下圖左側是DC綜合后的clk -gating結構圖,使用了ICG模塊進行時鐘gating,被gating后的時鐘連接到寄存器的CK端。右側是沒有被clk-gating的寄存器結構圖。
function的作用返回一個數(shù)值,此數(shù)值由一串組合邏輯代碼計算得到。 那為什么要用function呢?主要有兩大原因:
SOC設計人員除了做好自己的設計工作外,還需要和DC等后端(中端)同事進行工作上的交互。
DC/DC開關電源由于其效率高、體積小等優(yōu)點是現(xiàn)代電子產(chǎn)品設計中不可或缺的一環(huán),其重要性不言而喻。
電磁干擾有傳導干擾和輻射干擾兩種。傳導干擾是指通過導電介質(zhì)把一個電網(wǎng)絡上的信號耦合(干擾)到另一個電網(wǎng)絡。
電機線圈如何由四個MOSFET或“H 橋”驅動。由于線圈基本上是一個電感器,因此當 MOSFET 導通并在線圈上產(chǎn)生電壓時,線圈電流會增加。
高速設計在信號完整性方面具有更嚴格的規(guī)范。盡管高速信號的布線非常小心以滿足這些要求,但必須明白,電路板材料本身是整個信號完整性方程式的一部分。