ONFI發(fā)布新的NAND規(guī)范創(chuàng)造新的速度紀錄

開放式NAND閃存接口（ONFI）工作組專門致力于簡化NAND閃存與消費電子設備、計算平臺及工業(yè)系統(tǒng)的集成。該組織今天發(fā)布了ONFI 2.1版技術規(guī)范。這個芯片級標準接口是最新的規(guī)范，延續(xù)了ONFI工作組此前發(fā)布的標準：ONFI 1.0和ONFI 2.0。與之前發(fā)布的版本一樣，ONFI 2.1版規(guī)范提出更簡化的閃存控制器設計，但是把性能水平提高到新的范圍層次——每秒166兆字節(jié)（MB/s）到200MB/s。展望未來，ONFI工作組還宣布，已著手制訂更新的ONFI 3.0版規(guī)范，速度最高可達400MB/s。

如今，對于固態(tài)驅動器等閃存型設備來說，更快的速度成為關鍵設計因素；在此背景下，尤其是在這些固態(tài)驅動器所連接的接口采用Serial ATA 6 Gb/s、USB 3.0和第二代PCI Express標準能夠提供更快數(shù)據(jù)率的情況下，ONFI 2.1版規(guī)范響應了市場對提高NAND整體性能的需求。

此外，新版技術規(guī)范認識到，消費者對上網(wǎng)本（netbook）等低成本消費品的需求激增，而且市場要求應用低成本、高性能的閃存為這些設備提供支持的需求也極為迫切，為此，ONFI 2.1在技術規(guī)范中新加入了Small Data Move命令。有了Small Data Move命令，過去為了在這些低成本內(nèi)存架構實現(xiàn)良好的糾錯功能所必需的昂貴且數(shù)量可觀的內(nèi)部存儲需求就不復存在了。ONFI 2.1版規(guī)范的其他特色及功能有：

•兼容性。延續(xù)了ONFI一貫堅持的向后兼容性，ONFI 2.1版標準與ONFI 2.0、ONFI 1.0以及老式NAND接口兼容。
•交錯讀取性能更優(yōu)。ONFI 2.1版規(guī)范新增對交錯讀取的支持，能延展讀取的管道，尤其是在陣列時間可能更長的多層單元（MLC）架構中。
•更完善的糾錯碼通信功能。隨著NAND原始誤碼增多，使用的糾錯碼數(shù)量也不斷增加。ONFI 2.1版規(guī)范支持NAND設備通過擴展糾錯碼信息同時傳送多組糾錯碼參數(shù)。
•更好的功率管理。ONFI 2.1版規(guī)范允許主機向NAND寫入數(shù)據(jù)時停止時鐘，這樣最高可節(jié)省數(shù)十毫瓦的電量。
•新推出的Change Row Address命令。在多媒體卡（MMC）和SD卡應用中，有一些命令支持主機無限期地寫入數(shù)據(jù)。主機停止寫入數(shù)據(jù)時，可能位于“頁”（page）的中央，這樣會加重NAND的負擔。Change Row Address命令可更改“頁”寫入位置，以避免將不完整的“頁”寫入最后的位置，這樣可以減輕NAND的壓力。

恒憶公司（Numonyx）系統(tǒng)架構經(jīng)理Mark Leinwander說，“ONFI為下一代嵌入式和消費電子設備提供了強大的平臺。對于NAND閃存行業(yè)的發(fā)展來說，為內(nèi)存制訂系統(tǒng)級的標準是非常關鍵的；能為此做出貢獻，恒憶公司感到很自豪。ONFI 2.1版規(guī)范以ONFI 1.0版規(guī)范提供的標準化命令集和引腳定義為基礎，有助于為下一代高速應用奠定基礎?！?

索尼美國分公司美國地區(qū)企業(yè)技術總監(jiān)Peter Douma說，“NAND閃存在許多消費電子設備的設計之中發(fā)揮關鍵作用。我們?yōu)镺NFI努力要達到的性能水平而備受鼓舞，200MB/s是非常了不起的成績?！?

過去六個月里，ONFI工作組與美國電子器件工程聯(lián)合委員會（ The Joint Electron Device Engineering Councils，JEDEC）進行了富有成效的合作；這是一個側重于未來NAND標準化的聯(lián)合工作組的工作內(nèi)容之一。歡迎ONFI及JEDEC各成員參與上述工作。ONFI 2.1版規(guī)范已提交給上述聯(lián)合工作組，作為繼續(xù)合作的材料。