中芯長(zhǎng)電得到Qualcomm 10nm芯片超高密度凸塊加工認(rèn)證

近日，中芯長(zhǎng)電(SJSEMI)與美國(guó)高通公司(Qualcomm Technologies)共同宣布：中芯長(zhǎng)電已經(jīng)開始Qualcomm 10nm芯片超高密度凸塊加工認(rèn)證。這標(biāo)志著繼中芯長(zhǎng)電經(jīng)過一年大規(guī)模量產(chǎn)28nm和14nm芯片凸塊加工之后，制程技術(shù)和能力進(jìn)一步提升。

記者參加去年7月該公司14nm凸塊加工量產(chǎn)的活動(dòng)后，曾在報(bào)道文章中提及“一顆棋子，但布了個(gè)大局”。從今年的宣布來(lái)看，在第一顆棋子布出后，中芯長(zhǎng)電開始進(jìn)入下一步的持續(xù)戰(zhàn)略布局環(huán)節(jié)中。

由14nm升級(jí)至10nm、二期廠房奠基、記憶體測(cè)試和加工平臺(tái)、吸引更多的投資等等，中芯長(zhǎng)電將一個(gè)連一個(gè)的棋子在棋盤中擺放著位置。

10nm的戰(zhàn)略地位

無(wú)疑，在中國(guó)半導(dǎo)體制造和封測(cè)的產(chǎn)業(yè)鏈中，中芯長(zhǎng)電以10nm和14nm占據(jù)在領(lǐng)先地位。

“我非常自豪我們的團(tuán)隊(duì)能夠在短時(shí)期內(nèi)展示出世界先進(jìn)水準(zhǔn)的中段晶片制造營(yíng)運(yùn)管理和服務(wù)能力，并且被Qualcomm所認(rèn)可。與Qualcomm這樣的世界一流公司合作，起步壓力很大、門檻很高，但是感謝其一貫支持，不僅幫助我們成功地在中國(guó)建立了領(lǐng)先的12英寸凸塊加工生產(chǎn)線，并且快速地實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定高效、高品質(zhì)、大規(guī)模的量產(chǎn)。”中芯長(zhǎng)電半導(dǎo)體CEO崔東表示，“此次我們的10nm芯片超高密度凸塊技術(shù)開始認(rèn)證，體現(xiàn)了Qualcomm對(duì)我們公司和團(tuán)隊(duì)能力以及執(zhí)行力的高度肯定，相信更能推動(dòng)公司發(fā)展到更高技術(shù)水準(zhǔn)。”

通過認(rèn)證后，中芯長(zhǎng)電將成為中國(guó)大陸第一家進(jìn)入10nm先進(jìn)制程技術(shù)節(jié)點(diǎn)的半導(dǎo)體晶片制造公司，繼續(xù)躋身于世界先進(jìn)的制程技術(shù)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)業(yè)鏈。

縱觀現(xiàn)有的棋盤，中芯長(zhǎng)電的進(jìn)程離不開其背后母公司中芯國(guó)際的推動(dòng)。對(duì)于中芯國(guó)際而言，除了自身的前端代工業(yè)務(wù)之外，在后端的封測(cè)領(lǐng)域，也成為長(zhǎng)電科技的最大股東。這是一個(gè)清晰、高效的生態(tài)鏈布局。

中芯長(zhǎng)電成立于2014年8月，在2016年實(shí)現(xiàn)了28nm和14nm晶片凸塊加工的量產(chǎn)，目前已實(shí)現(xiàn)12英寸晶圓單月超1萬(wàn)片的大規(guī)模出貨。中芯長(zhǎng)電在超高密度凸塊加工制程上，不僅實(shí)現(xiàn)了先進(jìn)的生產(chǎn)良率，并在接觸電阻、超低介電常數(shù)(ELK)材料缺陷控制等關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)上，達(dá)到領(lǐng)先水準(zhǔn)，形成了獨(dú)特的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

在當(dāng)天舉辦的“先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)積體電路產(chǎn)業(yè)鏈深化合作研討會(huì)”的現(xiàn)場(chǎng)，Qualcomm Technologies全球營(yíng)運(yùn)資深副總裁陳若文向中芯長(zhǎng)電CEO崔東頒發(fā)了Qualcomm 10nm晶圓，以示紀(jì)念。

授予10nm晶圓

據(jù)悉，中芯長(zhǎng)電是Qualcomm近幾年來(lái)唯一新引入的中段凸塊加工制造商。

陳若文博士認(rèn)為：“此次10nm超高密度凸塊加工開始認(rèn)證，表明中芯長(zhǎng)電在中段凸塊加工領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，制程技術(shù)水準(zhǔn)達(dá)到了世界一流。未來(lái)，10nm凸塊加工將進(jìn)一步強(qiáng)化Qualcomm在中國(guó)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈產(chǎn)業(yè)的布局，體現(xiàn)了我們支援中國(guó)本土IC制造產(chǎn)業(yè)升級(jí)的承諾。”

此次開始10nm超高密度凸塊加工的認(rèn)證，標(biāo)志著世界一流客戶對(duì)其整體營(yíng)運(yùn)水準(zhǔn)的認(rèn)可，也意味著該公司技術(shù)能力的進(jìn)一步提升。

二期J2A廠房工程奠基

這又是一個(gè)大手筆。

中芯長(zhǎng)電一期營(yíng)運(yùn)所使用的生產(chǎn)廠房為租賃長(zhǎng)電科技廠房改造而成。二期項(xiàng)目由中芯長(zhǎng)電公司自建，項(xiàng)目占地共273畝，將建設(shè)三個(gè)先進(jìn)的晶片加工廠，從事先進(jìn)的中段晶片和3D系統(tǒng)整合晶片研發(fā)和制造。

本次舉行奠基儀式的是二期專案規(guī)劃三座廠房中的第一座：J2A廠房項(xiàng)目。此次開工項(xiàng)目占地面積總共近18,000平方公尺，建筑面積超過62,000平方公尺。

二期項(xiàng)目的建設(shè)，將確保中芯長(zhǎng)電有條件及時(shí)擴(kuò)大產(chǎn)能規(guī)模，以適應(yīng)不斷增長(zhǎng)的對(duì)IC先進(jìn)制程技術(shù)節(jié)點(diǎn)配套需要的先進(jìn)晶片級(jí)封裝的市場(chǎng)需求，使該公司在一期專案高起點(diǎn)、快速度順利起步的基礎(chǔ)上，更好地為國(guó)內(nèi)外高階客戶提供持續(xù)穩(wěn)定的量產(chǎn)保證。

按照崔東的介紹，其二期專案建設(shè)，仍將繼續(xù)按照產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展的戰(zhàn)略，充份考慮與長(zhǎng)電科技、星科金朋江陰公司的業(yè)務(wù)銜接，提供客戶更多形式、高水準(zhǔn)的一站式服務(wù)。

中芯長(zhǎng)電的建設(shè)速度值得贊揚(yáng)：用一年時(shí)間完成生產(chǎn)線建設(shè)、一年實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，一步跨入世界一流客戶的供應(yīng)鏈，并于2017年7月開始了14nm高密度凸塊加工，成為中國(guó)首家進(jìn)入14nm IC產(chǎn)業(yè)鏈的晶片加工企業(yè)，實(shí)現(xiàn)了高水準(zhǔn)、快速度建設(shè)的初期目標(biāo)。今年，該公司營(yíng)運(yùn)規(guī)模快速提升，月晶片加工量已達(dá)到過萬(wàn)片，實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定高效、高品質(zhì)、大規(guī)模的量產(chǎn)。

并進(jìn)的記憶體產(chǎn)品測(cè)試和加工能力

在針對(duì)中國(guó)蓬勃發(fā)展的記憶體市場(chǎng)，公司發(fā)揮在晶片測(cè)試服務(wù)領(lǐng)域深厚的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，驗(yàn)證和引進(jìn)了T5800系列測(cè)試平臺(tái)。該測(cè)試平臺(tái)具有測(cè)試精度高、速度快的優(yōu)勢(shì)，將能滿足中國(guó)記憶體晶片技術(shù)水準(zhǔn)提升的更高技術(shù)需求，也顯著提高記憶體產(chǎn)品的測(cè)試效率。該測(cè)試平臺(tái)還具有廣泛的產(chǎn)品適用性，不僅適用于NOR Flash的測(cè)試，也能滿足NAND和DRAM產(chǎn)品的測(cè)試需求。

為全方位服務(wù)記憶體產(chǎn)品市場(chǎng)，滿足記憶體產(chǎn)品較為獨(dú)特的封裝需求，中芯長(zhǎng)電還推出了低溫再布線晶片級(jí)封裝技術(shù)，已用于客戶的產(chǎn)品加工。

朱一明，兆易科技CEO，也在當(dāng)天的探討會(huì)中分享了他對(duì)特殊記憶體發(fā)展趨勢(shì)的觀察。他提及了最近發(fā)生的中國(guó)資本并購(gòu)海外公司受阻案、以及國(guó)際記憶體器件價(jià)格的異動(dòng)，希望中國(guó)制造和封測(cè)產(chǎn)業(yè)鏈盡快完善。

持續(xù)引入投資

在研討會(huì)上，中芯長(zhǎng)電與國(guó)家開發(fā)銀行江蘇省分行簽署了50億人民幣開發(fā)性金融合作備忘錄。

中芯長(zhǎng)電半導(dǎo)體公司的產(chǎn)業(yè)定位、營(yíng)運(yùn)能力和發(fā)展前景為國(guó)家開發(fā)銀行江蘇省分行所認(rèn)可。根據(jù)中芯長(zhǎng)電的業(yè)務(wù)發(fā)展規(guī)劃和融資需求，以及國(guó)開行對(duì)中芯長(zhǎng)電的信用評(píng)審結(jié)果，自2017年至2022年期間，雙方在各類金融產(chǎn)品上的意向合作融資總量為50億元人民幣或等值外匯。國(guó)家開發(fā)銀行江蘇省分行還將在未來(lái)五年按照國(guó)家及開行政策進(jìn)一步支援中芯長(zhǎng)電項(xiàng)目建設(shè)，積極引導(dǎo)其他金融機(jī)構(gòu)及各類社會(huì)資金支持中芯長(zhǎng)電建設(shè)成為國(guó)際領(lǐng)先晶片級(jí)中段加工企業(yè)。[!--empirenews.page--]

借助此資金和其他資金，中芯長(zhǎng)電將能夠加大對(duì)先進(jìn)制程技術(shù)和應(yīng)用的研發(fā)力度，加大客戶拓展的力度，加快廠房建設(shè)和產(chǎn)線建設(shè)，滿足大規(guī)模產(chǎn)能的需求。

中芯長(zhǎng)電曾先后獲得中芯國(guó)際、長(zhǎng)電科技、國(guó)家IC產(chǎn)業(yè)投資基金和美國(guó)高通公司的投資，注冊(cè)資本金總計(jì)達(dá)到3.3億美元，規(guī)劃總投資12億美元。

“精微至廣，中道流長(zhǎng)”

“精微至廣，中道流長(zhǎng)”，這是中芯長(zhǎng)電CEO崔東對(duì)公司發(fā)展的定位和展望。

“技術(shù)越先進(jìn)，客戶對(duì)合作的要求就更高。我們需要提供先進(jìn)節(jié)點(diǎn)和高品質(zhì)的產(chǎn)品，同時(shí)，把自己放在全球產(chǎn)業(yè)鏈中，”崔東表示，“中芯長(zhǎng)電在成立的三年時(shí)間里，在凸塊技術(shù)上達(dá)到了世界級(jí)水準(zhǔn)，制程的種類也已展開，為先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供領(lǐng)先的服務(wù)。”

他展望道：“新廠房將于2018年底建設(shè)凈化車間，至2019年投入使用。中芯長(zhǎng)電未來(lái)將不是一個(gè)單純的凸塊技術(shù)公司，會(huì)擴(kuò)展到2.5D、3D領(lǐng)域。”

在此，恭喜中芯長(zhǎng)電獲頒中芯國(guó)際“最佳服務(wù)商”獎(jiǎng)杯。

中芯長(zhǎng)電作為中芯國(guó)際12吋凸塊服務(wù)的合格供應(yīng)商，于2016年3月通過客戶28nm技術(shù)凸塊加工驗(yàn)證，月出貨量持續(xù)快速增長(zhǎng)，達(dá)到萬(wàn)片規(guī)模，良率高達(dá)99.95%。

中芯長(zhǎng)電成立的目的是填補(bǔ)產(chǎn)業(yè)鏈空白，克服前段制程技術(shù)節(jié)點(diǎn)演進(jìn)帶來(lái)的不斷升高的中后段產(chǎn)業(yè)鏈制程技術(shù)門檻，完善和推動(dòng)本土先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)IC產(chǎn)業(yè)鏈整體水準(zhǔn)的提升。該公司在配套中芯國(guó)際28nm晶片高密度凸塊加工大規(guī)模量產(chǎn)的同時(shí)，加大研發(fā)和投資力度，再布線(RDL)制程也達(dá)到了量產(chǎn)水準(zhǔn)，特別是通過中芯國(guó)際前段ELK方面的合作，使得公司在提供先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)配套需要的先進(jìn)晶片級(jí)封裝能力方面，具有特別的優(yōu)勢(shì)。

與此同時(shí)，中芯長(zhǎng)電也獲得了中芯國(guó)際Interposer技術(shù)授權(quán)和制程轉(zhuǎn)讓。

中芯長(zhǎng)電的遠(yuǎn)景是透過持續(xù)創(chuàng)新，不斷開創(chuàng)3D晶片整合加工新紀(jì)元。中段晶片加工和3D整合加工的三項(xiàng)最基本的制程是凸塊制造(Bumping)、再布線(RDL)和矽穿孔(TSV)。獲得中芯國(guó)際的技術(shù)授權(quán)和轉(zhuǎn)讓后，中芯長(zhǎng)電具備了完整的基本制程能力。這也標(biāo)志著該公司能夠成為全面配套先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)對(duì)各種先進(jìn)晶片級(jí)封裝技術(shù)需求的中段晶片加工和3D整合晶片加工企業(yè)。