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[導(dǎo)讀]由于日本對(duì)韓國(guó)限制半導(dǎo)體化學(xué)材料,將使記憶體市場(chǎng)供給大量縮減,業(yè)界傳出,韓系記憶體廠在2019年第三季因化學(xué)原材料不足,恐減少20~30%的投片量,導(dǎo)致NAND Flash供給量急速減少,加上東芝記憶體因先前停電問(wèn)題導(dǎo)致產(chǎn)能大減,法人指出,目前NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)已經(jīng)開(kāi)始喊漲。而DRAM的境況也是山雨欲來(lái)。

由于日本對(duì)韓國(guó)限制半導(dǎo)體化學(xué)材料,將使記憶體市場(chǎng)供給大量縮減,業(yè)界傳出,韓系記憶體廠在2019年第三季因化學(xué)原材料不足,恐減少20~30%的投片量,導(dǎo)致NAND Flash供給量急速減少,加上東芝記憶體因先前停電問(wèn)題導(dǎo)致產(chǎn)能大減,法人指出,目前NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)已經(jīng)開(kāi)始喊漲。而DRAM的境況也是山雨欲來(lái)。

三星、西部數(shù)據(jù)沖在最前?

近期有模組業(yè)者表示,最近正在談定第3季合約價(jià),因三星、西部數(shù)據(jù)(WD)等業(yè)者帶頭喊漲,最近NAND Flash價(jià)格會(huì)先漲一小波,包括2D與3D NAND Flash價(jià)格都將走升,帶動(dòng)合約價(jià)也走揚(yáng)。市場(chǎng)甚至傳言三星的nand flash將減產(chǎn)。但這個(gè)已經(jīng)被三星否認(rèn)了。

NAND Flash因供過(guò)于求,價(jià)格走跌許久,即使第3季是傳統(tǒng)旺季,業(yè)界也不敢斷言一定有旺季效應(yīng)。據(jù)了解,NAND Flash價(jià)格止跌轉(zhuǎn)漲的態(tài)勢(shì)大致從6月中開(kāi)始醞釀,部分模組業(yè)者評(píng)估,這波漲幅有機(jī)會(huì)達(dá)一成左右,可漲回原廠成本以上。

有模組業(yè)者透露,先前把庫(kù)存水位壓低到一個(gè)月以下之后,因?yàn)橄M(fèi)性產(chǎn)品銷售模式較為快進(jìn)快出,接下來(lái)將先提高一些相關(guān)應(yīng)用的記憶體庫(kù)存,包括DRAM與NAND Flash。

有模組廠認(rèn)為,原廠會(huì)漲價(jià),但庫(kù)存情況影響后續(xù)漲勢(shì)能否持續(xù)。若其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手為了搶生意可能不漲價(jià),價(jià)格調(diào)漲策略就會(huì)面臨考驗(yàn)。另外,下游廠商看需求面目前無(wú)法十分樂(lè)觀,不敢大量備貨,這波短期漲勢(shì)會(huì)延續(xù)多久仍難說(shuō)。NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)仍低于合約價(jià),向下態(tài)勢(shì)還沒(méi)全面扭轉(zhuǎn)。

群聯(lián)已停止對(duì)外報(bào)價(jià)?

市場(chǎng)上傳言,由于韓系記憶體廠傳出減產(chǎn)消息,群聯(lián)已經(jīng)停止對(duì)外報(bào)價(jià)。

事實(shí)上,群聯(lián)不僅有SSD控制IC產(chǎn)品線,也有記憶體模組事業(yè),且NAND Flash貨源主要來(lái)自東芝供給,且由于全球NAND Flash六大主要供應(yīng)商當(dāng)中,兩大就位在韓國(guó),若減產(chǎn)數(shù)量增加,流失市占率勢(shì)必有機(jī)會(huì)讓日系及美系廠商瓜分,群聯(lián)位屬日系陣營(yíng)同樣有機(jī)會(huì)分得大餅。

群聯(lián)6月合并營(yíng)收為33.44億元,與5月維持持平,累計(jì)1至6月份的合并營(yíng)收為191.26億元,較去年同期微幅衰退2.56%。群聯(lián)表示,6月記憶體模組總出貨量相較去年同期成長(zhǎng)6.35%,SSD與eMMC成品總出貨量成長(zhǎng)67%,SSD控制芯片總出貨量成長(zhǎng)93%,而記憶體總位元數(shù)(Total Bits)年度累計(jì)更是維持翻倍111%的高成長(zhǎng),再加上6月的營(yíng)收表現(xiàn)穩(wěn)定,顯示快閃記憶體(NAND Flash)價(jià)格持續(xù)回穩(wěn)趨勢(shì)不變。

另外,群聯(lián)指出,近期因?yàn)镹AND原廠陸續(xù)供給緊縮以及各種貿(mào)易制裁等因素,市場(chǎng)掀起一股NAND搶貨潮,也正面帶動(dòng)NAND價(jià)格回穩(wěn),再加上客戶持續(xù)回補(bǔ)庫(kù)存因應(yīng)旺季需求、群聯(lián)PCIe 4.0 PS5016-E16 SSD等高階儲(chǔ)存方案陸續(xù)上市等正面因素,對(duì)群聯(lián)下半年?duì)I收保持正面樂(lè)觀。

南亞科:DRAM現(xiàn)貨價(jià)有望反彈

南亞科總經(jīng)理李培瑛昨(10)日指出,本季市況不確定性仍高,但受惠于進(jìn)入備貨旺季,包括手機(jī)、伺服器、個(gè)人電腦和消費(fèi)性電子對(duì)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM )需求都將回溫,有助整體銷售提升。他并證實(shí),日韓貿(mào)易戰(zhàn)升溫,已有不少客戶向南亞科詢問(wèn)能否增加供貨。

李培瑛昨天在法說(shuō)會(huì)前記者會(huì)時(shí)釋出訊息。針對(duì)DRAM價(jià)格止跌的時(shí)間點(diǎn)時(shí),他認(rèn)為,現(xiàn)貨價(jià)跌幅已深,有可能先反彈;合約價(jià)則仍有跌價(jià)壓力,但跌幅會(huì)縮小。

李培瑛強(qiáng)調(diào),本季不確定因素交錯(cuò)復(fù)雜,包括美中貿(mào)易戰(zhàn)、日韓紛爭(zhēng),以及供應(yīng)商庫(kù)存仍高等變數(shù),尤以美中貿(mào)易談判及日本強(qiáng)化管制出口南韓半導(dǎo)體關(guān)鍵原料,影響需求和供應(yīng)鏈變化最為關(guān)鍵,還要持續(xù)觀察。

李培瑛說(shuō),日本管制光阻劑等三項(xiàng)電子業(yè)關(guān)鍵原料出口南韓,這些原料是半導(dǎo)體制程關(guān)鍵原料,由于每項(xiàng)原料的化學(xué)特性不同,加上有很長(zhǎng)的驗(yàn)證期,通常不會(huì)輕易更換,而日本又占有相當(dāng)高比重,短期不容易更動(dòng)。

他說(shuō),日本在這些原料具有舉足輕重地位,因此將會(huì)加速日韓雙邊貿(mào)易談判。他并坦承,已有不少消費(fèi)性產(chǎn)品業(yè)者詢問(wèn)南亞科能否增加供貨,一旦韓廠DRAM供貨受影響,南亞科會(huì)受惠,但這些仍取決于日韓貿(mào)易談判進(jìn)展,不便妄加臆測(cè)。

整體而言,李培瑛認(rèn)為,下半年會(huì)上半年好,不過(guò)因三星、SK海力士、美光等三大廠庫(kù)存高,牽動(dòng)價(jià)格變數(shù)大,無(wú)法精準(zhǔn)預(yù)測(cè)價(jià)格走勢(shì),但各大廠縮減支出,供需會(huì)逐漸趨于平穩(wěn)。

南亞科今年資本支出持續(xù)保守,將較預(yù)估的72億元再下修,應(yīng)會(huì)低于70億元。此外,為加速研發(fā),持續(xù)調(diào)撥5%至10% 產(chǎn)能,做為制程與產(chǎn)品研發(fā)使用;10納米制程是否取得美光授權(quán)或決定自行研發(fā),會(huì)在今年底前拍板。

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