負載電容(請參閱數(shù)據(jù)表中的具體說明)
注：有效負載電容
晶振制造商通常會在晶振的數(shù)據(jù)表中定義有效負載電容。從電子學角度來說，電容器以串行方式連接到引腳XIN 與XOUT上，這時有效負載電容為：
C(eff) = {C(XIN) ? C(XOUT)}/{C(XIN) + C(XOUT)}
因此，晶振的數(shù)據(jù)表中規(guī)定12pF的有效負載電容要求在每個引腳XIN 與 XOUT上具有22pF(2 * 12pF = 24pF = 22pF + 2pF 寄生電容)。 MSP430x1xx 與 MSP430x3xx 系列為32kHz振蕩器提供了約12pF的固定集成負載電容器，并且無需任何其它外部負載電容器即可支持需要6pF有效負載電容的晶振。高頻率 XTAL 振蕩器無內(nèi)置負載電容器。 MSP430x4xx 系列為低頻率與高頻率模式下的LFXT1 振蕩器提供了軟件可選的集成負載電容器。該器件數(shù)據(jù)表中提供了可選值。XT2 振蕩器沒有任何內(nèi)置負載電容器。
ESR
為了確保振蕩器操作穩(wěn)定，MSP430x1xx 與MSP430x3xx 系列均需要ESR < 50kOhm的32kHz晶振。MSP430x4xx 系列的低功耗振蕩器需要 ESR < 100kOhm的 32kHz 晶振。 高頻率晶振的建議 ESR 值是 <= 40Ohms(頻率為8MHz時)。 與建議的最大值相比，ESR的值越低，振蕩器啟動性能與穩(wěn)定性也越好。
設計考慮事項：
使晶振、外部電容器(如果有)與 MSP430 之間的信號線盡可能保持最短。當非常低的電流通過MSP430晶振振蕩器時，如果線路太長，會使它對 EMC、ESD 與串擾產(chǎn)生非常敏感的影響。而且長線路還會給振蕩器增加寄生電容。
如果MSP430在插座中：請注意插座會給振蕩器增加寄生電容。
盡可能將其它時鐘線路與頻繁切換的信號線路布置在遠離晶振連接的位置。
當心晶振和地的走線
將晶振外殼接地
當 VCC < 2.5 V 時，MSP430x1xx 的 LFXT1 振蕩器要求在LF模式下使用從XOUT 到 VSS 的 5.1MOhm 電阻器。
一般電容的計算公式是：
兩邊電容為Cg,Cd,
負載電容為Cl
cl=cg*cd/(cg+cd)+a
就是說負載電容15pf的話，兩邊個接27pf的差不多了，一般a為6.5～13.5pF
擴展閱讀：關(guān)于RC阻容復位電路的問題
下載文檔
