瑞薩電子擴大產(chǎn)品陣容 加強其化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)

瑞薩電子株式會社（以下簡稱瑞薩電子）宣布加強公司化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的新目標，包括由化合物半導(dǎo)體（如砷化鎵（GaAs））構(gòu)成的光學(xué)器件和微波器件。瑞薩電子計劃：（1）利用光電耦合器、RF（射頻）開關(guān)IC和其它重點產(chǎn)品獲取全球最大的市場份額。（2）在2011年3月之前推出氮化鎵（GaN）基半導(dǎo)體產(chǎn)品。

瑞薩電子預(yù)計，2010財年到2012財年化合物半導(dǎo)體市場的年平均增長率將達到8%。實現(xiàn)這一目標之后，公司預(yù)計可以將其化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)擴大11%，超過了市場增長率。公司還計劃，到2012財年將化合物半導(dǎo)體銷售額提高1.2倍，從而成為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體供應(yīng)商。

(1) 利用光電耦合器、RF開關(guān)IC和其他重點產(chǎn)品獲取世界最大的市場份額
瑞薩電子的目標是在光電耦合器和光學(xué)存儲器件市場上獲取最大的份額，并進一步提高其RF開關(guān)IC和GaAs低噪聲場效應(yīng)晶體管（FET）的市場份額。

[光電耦合器]
瑞薩電子計劃加快開發(fā)高溫操作、低功耗和小型封裝，以便滿足“綠色”市場不斷增長的需求，如混合動力和電動車、LED照明系統(tǒng)與電表。
公司計劃通過結(jié)合面向高壓和大電流輸出的IGBT（絕緣柵雙極晶體管）與微控制器（MCU）來進一步拓展光電耦合器的銷售。公司特別決定通過將職員總數(shù)增加1倍來加強其海外營銷職能。并且，市場需求預(yù)計將會大幅增長，因此瑞薩電子計劃將其生產(chǎn)容量在2009年第4季度的基礎(chǔ)上擴大1倍。
通過上述措施，瑞薩電子將努力在2011財年獲取光點耦合器市場世界最大份額。

[RF開關(guān)IC]
至于可以在具有RF功能的電子器件（如手機和筆記本電腦）上實現(xiàn)收發(fā)轉(zhuǎn)換、3G-GSM轉(zhuǎn)換和天線轉(zhuǎn)換的RF開關(guān)IC，瑞薩電子計劃采用業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的新型低損耗晶體管，并推出采用小型封裝技術(shù)的產(chǎn)品。
為了靈活地滿足客戶需求，瑞薩電子將推出采用超小型封裝的RF開關(guān)IC產(chǎn)品或以裸晶片的形式推出RF開關(guān)IC。公司還計劃通過與美國、歐洲和中國臺灣的芯片集供應(yīng)商合作來擴展RF開關(guān)IC業(yè)務(wù)，從而為系統(tǒng)制造商提供參考設(shè)計。
通過實現(xiàn)這些目標，瑞薩電子力圖獲取世界最大的RF開關(guān)IC市場份額。

(2) 在2011年3月之前推出GaN基半導(dǎo)體產(chǎn)品
GaN能夠在比現(xiàn)有半導(dǎo)體材料（如硅（Si）和GaAs）高的頻率、輸出功率和溫度下運行，并且其工作頻率比SiC（碳化硅）高得多，因而能夠為高頻應(yīng)用實現(xiàn)更高的擊穿電壓和高速操作。
與其他將多層制造方法應(yīng)用到直徑為3~4英寸的SiC基片上的公司不同，瑞薩電子通過將GaN層堆疊到Si基片上來生產(chǎn)電路。這種方法可以實現(xiàn)更大的晶圓（6英寸晶圓），并且還能夠以較低的成本生產(chǎn)半導(dǎo)體器件。
瑞薩電子計劃先推出面向CATV（有線電視）放大器市場的、高可靠性、高功能GaN基產(chǎn)品。預(yù)計2011年3月開始發(fā)售瑞薩電子的首款GaN基產(chǎn)品樣品 - 一款面向CATV的標準器件，它整合了多個GaN FET、冷凝器和其他器件。

今后，瑞薩電子將力圖進一步提高其重點產(chǎn)品（如光電耦合器和RF開關(guān)IC）的市場份額，并通過培育需要大功率和高頻率的市場（如CATV放大器、微波和毫米波器件）、利用新開發(fā)的GaN基產(chǎn)品擴展化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。