業(yè)界最高水準8吋氮化鎵上矽GaN on Silicon LED 芯片成功研發(fā)

LED照明技術(shù)與解決方案的研發(fā)與制造領(lǐng)導廠商Bridgelux 公司，以及全球領(lǐng)導半導體制造商Toshiba公司，今日共同宣布成功開發(fā)出業(yè)界最高水準的 8 吋氮化鎵上矽（GaN on Silicon） LED芯片，采用350mA電流，電壓小于 3.1V，僅1.1mm 大小的LED芯片，亮度可達 614mW。Bridgelux 與 Toshiba在今年數(shù)月前才剛簽署一項共同合作協(xié)議，接下來雙方將進一步加快開發(fā) LED 芯片的腳步，以因應全球?qū)?LCD 面板和照明系統(tǒng)日漸增加的需求。

Toshiba 亦對Bridgelux 進行股權(quán)投資，以期共同追求固態(tài)照明（Solid State Lighting，SSL）領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新；這項投資將進一步促進兩家公司于 固態(tài)照明 領(lǐng)域的發(fā)展，并以Toshiba先進的矽加工和制造技術(shù)開發(fā)能力為基礎(chǔ)，加速推動 Bridgelux 氮化鎵上矽 LED 芯片技術(shù)的研究與開發(fā)。

Bridgelux 執(zhí)行長 Bill Watkins 表示：“Toshiba 與 Bridgelux長期攜手開發(fā)技術(shù)，而股權(quán)投資將使兩家公司形成更密切的策略關(guān)系，以達到促進降低照明市場中固態(tài)照明解決方案成本的共同目標。”

Toshiba 副總裁暨半導體與儲存裝置產(chǎn)品執(zhí)行副總裁Makoto Hideshima表示：“我們很高興能與 Bridgelux 共同進行開發(fā)活動，達到業(yè)界最佳效能的8 吋氮化鎵上矽 LED產(chǎn)品。我們將持續(xù)追求最先進的技術(shù)，目標將技術(shù)進一步商品化。”