高效發(fā)光的GaN Micro LED

時(shí)間：2019-12-27 11:47:14

關(guān)鍵字： gan LED micro 電源技術(shù)解析高效

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[導(dǎo)讀]隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，LED技術(shù)也在不斷發(fā)展，為我們的生活帶來各種便利，為我們提供各種各樣生活信息，造福著我們?nèi)祟?。產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所和東北大學(xué)于2019年7月宣布，他們開發(fā)了一種在電流密度較低情況下也能保持發(fā)光效率的GaN(氮化鎵)Micro LED。他們?cè)囎龅腉aN Micro LED尺寸僅為6μm見方，如果把這款GaN Micro LED以較高的密度排列的話，就可以獲得高效率、高分辨率的Micro LED顯示屏。

隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，LED技術(shù)也在不斷發(fā)展，為我們的生活帶來各種便利，為我們提供各種各樣生活信息，造福著我們?nèi)祟悺．a(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所和東北大學(xué)于2019年7月宣布，他們開發(fā)了一種在電流密度較低情況下也能保持發(fā)光效率的GaN(氮化鎵)Micro LED。他們?cè)囎龅腉aN Micro LED尺寸僅為6μm見方，如果把這款GaN Micro LED以較高的密度排列的話，就可以獲得高效率、高分辨率的Micro LED顯示屏。

本次研究中，產(chǎn)總研致力于研究通過中性粒子光束蝕刻(Beam Etching)技術(shù)制作具有GaN納米結(jié)構(gòu)的LED;日本東北大學(xué)開發(fā)了對(duì)半導(dǎo)體材料幾乎不會(huì)產(chǎn)生損傷的中性粒子光束蝕刻技術(shù)(Beam Etching)。兩家單位通過合作，共同開發(fā)了GaN Micro LED。

該研究小組此次采用了中性粒子光束蝕刻(Beam Etching)技術(shù)和傳統(tǒng)的ICP蝕刻(Etching)技術(shù)，分別制作了4種不同尺寸(40μm見方、20μm見方、10μm見方、6μm見方)的GaN Micro LED。

關(guān)于6μm的Micro LED，當(dāng)電流密度為5A/cm2時(shí)，比較了采用兩種技術(shù)后的發(fā)光效率。結(jié)果，利用中性粒子光束蝕刻技術(shù)試做的產(chǎn)品的發(fā)光效率幾乎是ICP蝕刻技術(shù)的5倍。

使用6μm的Micro LED，顯示屏的分辨率就會(huì)超過2000像素(Pixel)/英寸，那么就可以應(yīng)用于虛擬現(xiàn)實(shí)(AR)、擴(kuò)展現(xiàn)實(shí)(XR)的頭戴式顯示屏(Head Mount Display)等用途。雖然LED在生活中處處可見，但是LED也還有一些不足需要我們的設(shè)計(jì)人員擁有更加專業(yè)的知識(shí)儲(chǔ)備，這樣才能設(shè)計(jì)出更加符合生活所需的產(chǎn)品。