采用IR2127的欠飽和檢測(cè)電路

圖所示的電流檢測(cè)電路是所謂的欠飽和檢測(cè)電路。它起初用于IGBT，用來檢測(cè)由于過流而過飽和的 IGBT 的電壓。這就是說，它也可以用于MOSFET(MOSFET在概念上屬于“絕緣柵極場(chǎng)效晶體管”(Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET)，而IGFET的柵極絕緣層有可能是其他物質(zhì)而非MOSFET使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場(chǎng)效晶體管元件時(shí)比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是MOSFET。)。對(duì)于 MOSFET，原理相似，因?yàn)檫^載時(shí) FET 上的電壓將會(huì)顯著增加。