美商吉時利(Keithley Instruments)公司日宣布推出最新的4225-PMU Ultra Fast I-V模塊，進一步擴充4200-SCS半導體特性分析系統(tǒng)的功能選擇。憑借著寬廣的動態(tài)量測范圍，4225-PMU只需單一儀器即可完成對組件、材料和制程的全方面特性分析。
在4200-SCS既有的強大測試環(huán)境中整合了超快速的電壓波形產(chǎn)生和電流/電壓測量功能，可實現(xiàn)最廣的電壓、電流和上升/下降/脈沖時間動態(tài)量測范圍，并提高了系統(tǒng)對新材料、組件和制程(process)進行特性分析的能力。此外，利用4225-PMU可像進行直流測量一樣輕松地提供I-V輸出與量測。其寬廣的可程序化電壓/電流源及量測范圍、脈寬和上升時間使其適于對電壓輸出的速度有高度需求且需要同步測量的應用，例如奈米CMOS或閃存。
每個4225-PMU模塊提供了雙信道、整合電壓電流源和量測功能的模塊，且僅占用九插槽機架其中的一個插槽。每個機架最多可安裝四個這樣的模塊，實現(xiàn)最高8個超快速的電壓電流源/量測通道。每個信道兼具高速電壓輸出(脈寬范圍從60奈秒到直流)和同步電流與電壓量測兩大功能。這種模塊為高速電壓脈沖提供同步電流與電壓量測，采集速率高達200MS/s，具有14位模擬數(shù)字轉換器(A/D)，每個通道采用了兩個A/D(每個模塊含四個A/D)。使用者可以選擇兩種電壓源范圍(±10V or ±40V into 1Mohm)，以及四種電流量測范圍(800mA, 200mA, 10mA, 100uA)。
每個4225-PMU模塊可配備多達兩個可選購的4225-RPM遠程放大器/開關，因而提供四種額外的低電流范圍。它們還有助于減少電纜電容器效應(cable capacitance effect)，并且支持在4225-PMU、4210-CVU和機架中其它SMU之間的自動切換。除此之外，能部份取代4225-PMU電壓源功能的4220-PGU脈沖產(chǎn)生器，也可供您選擇。
4225-PMU和4225-RPM結合在一起能夠支持其它單臺儀器無法實現(xiàn)的多種應用，例如通用Ultra Fast I-V量測。脈沖式I-V測試能被應用在很多地方；透過使用窄脈沖和/或低Duty Cycle脈沖而非直流訊號，能夠防止組件自發(fā)熱效應(device self-heating)。
CMOS組件特性分析。4225-PMU/4225-RPM的高速電壓源和電流量測的靈敏度使其非常適于CMOS組件的特性分析，包括high-K組件和先進CMOS技術，如絕緣層覆硅晶圓(SOI)。非揮發(fā)性內存測試。安裝于系統(tǒng)上的KTEI軟件適用于對閃存和相變化內存(PCM)的組件測試；適合單個儲存單元或小規(guī)模儲存數(shù)組的測試，例如研發(fā)或制程驗證之類的應用。
化合物半導體組件與材料的特性分析。4225-PMU能夠對III-V族材料進行特性分析，例如氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)和其它一些化合物半導體。它允許使用者設置一個脈沖偏移電壓，然后從非零值進行測量，因而研究組件的放大增益或線性特性。
NBTI/PBTI可靠性測試。可選購的4200-BTI-A Ultra Fast BTI軟件包整合了目前已知、執(zhí)行BTI測試時所需的所有軟硬件，并具有最快、最靈敏的測量性能。此外，自動特性分析套件(ACS)軟件還支持全自動晶圓和晶舟層級測試，內建NBTI/PBTI測試庫，搭配容易使用的GUI。
目前，實驗室僅需安裝一套靈活的系統(tǒng)即可處理以下三種類型的量測：精密直流I-V測試(Model 4200-SMU)、交流阻抗(4210-CVU C-V儀器)和Ultra Fast I-V或Transient I-V測試(4225-PMU)。4225-PMU支持四種掃描類型：線性、脈沖、任意波形和專利申請中的Segment ARB。Segment ARB模式簡化了波形的創(chuàng)造、儲存和產(chǎn)生過程，最高支持由2048個使用者自定義線段所組成的波形，具備出色的波形產(chǎn)生能力。
可選配的高效能纜線方案與4200-SCS兼容，能夠連結至探針臺進行多種測試，并簡化在直流I-V、C-V和極速I-V測試之間的頻繁切換過程，無需重新布線，進而增強了訊號的準確性(signal fidelity)。
下載文檔
