長野封裝論壇的傅田精一指出TSV的現(xiàn)狀與課題

時間：2010-06-09 07:31:00

關鍵字：封裝 PACKAGE 封裝技術晶圓

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[導讀]日本長野縣工科短期大學、長野封裝論壇的傅田精一指出了采用硅貫通孔（Through SiVia：TSV）的三維封裝技術的現(xiàn)狀與課題。在“JPCA Show2010”（2010年6月2～4日，東京有明國際會展中心）并設的研討會“2010最尖端封

日本長野縣工科短期大學、長野封裝論壇的傅田精一指出了采用硅貫通孔（Through SiVia：TSV）的三維封裝技術的現(xiàn)狀與課題。在“JPCA Show2010”（2010年6月2～4日，東京有明國際會展中心）并設的研討會“2010最尖端封裝技術研討會”的3B1分會“越來越普及的最尖端三維封裝技術的未來”上，傅田精一發(fā)表了題為“硅貫通電極技術的動向與問題點”的演講。

傅田精一就TSV的現(xiàn)狀指出，在2010年內(nèi)雖然將面向內(nèi)存實用化，但TSV的應用范圍還是有限的。而且，TSV取代PoP（Package onPackage）和SiP（System inPackage）將會在2011年以后。要解決的課題與原來相同，仍然是成本問題。不過，他指出，除了單純的加工成本外，還要考慮其他成本。包括諸如為形成TSV區(qū)域的芯片面積增加、隨TSV形成的成品率下降、積層芯片的焊點間距（Pad Pitch）不同時需要的重新設計和導入轉(zhuǎn)接板而帶來的成本等。

具體為，300mm晶圓的處理成本為3000～5000美元，即使將單純的加工成本降至相當于其百分之幾的50美元以下，則加上前面提到的其他成本，也將會有近10％的成本增加。這樣，成本增加幅度過大，從而難以采用TSV?？紤]到這一點，則需在目前已比原來降低了很多的成本基礎上，再削減50％以上。關于個別的工藝技術，提到了使蝕刻開口的通孔內(nèi)壁更加平滑，將鍍銅（Cu）的處理時間縮短至數(shù)分鐘，以及晶圓級TSV的成品率需要提高到85％以上等。另外，傅田精一指出，還需要可處理使用TSV的IC芯片的EDA工具。（記者：長廣恭明）