[導讀]近期臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)獲得經濟部補助，聯合茂德、晶豪打算從NANDFlash產業(yè)重起爐灶，加上力晶、旺宏亦紛投入NANDFlash市場，3方人馬點燃臺灣NANDFlash戰(zhàn)火。力晶董事長黃崇仁6日表示，力晶耕耘NANDFlash產業(yè)
近期臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)獲得經濟部補助，聯合茂德、晶豪打算從NANDFlash產業(yè)重起爐灶，加上力晶、旺宏亦紛投入NANDFlash市場，3方人馬點燃臺灣NANDFlash戰(zhàn)火。力晶董事長黃崇仁6日表示，力晶耕耘NANDFlash產業(yè)6年來投入新臺幣70億元，是臺灣血統(tǒng)最純正技術，目前力晶NANDFlash技術腳步相較于國際大廠仍晚1個世代，但若未來成功走向20納米制程，對臺灣NANDFlash研發(fā)是很大突破。
事實上，力晶NANDFlash產品系師承日商瑞薩(Renesas)，瑞薩原由日立(Hitachi)分割出來，最早日立和東芝(Toshiba)在競爭NANDFlash技術時，日立選擇AG-ANDFlash架構開發(fā)，但到90納米制程后，瑞薩決定放棄NANDFlash產品線，當時力晶選擇接手技術和專利，從75納米切入一路開發(fā)至今。
力晶投入NANDFlash產品研發(fā)已達6年，投入研發(fā)資金高達70億元，過去都將資源放在標準型DRAM，2010年起因應多元化產品策略，開始將重心放在NANDFlash產品上。黃崇仁表示，力晶承襲瑞薩NANDFlash技術，是最正統(tǒng)NANDFlash技術架構，與國際大廠三星電子(SamsungElectronics)、海力士(Hynix)等技術層次最為接近，目前NANDFlash產品已在出貨中，2010年下半將轉進40納米制程，高容量16Gb產品將問世。
黃崇仁指出，目前力晶NANDFlash技術腳步相較于國際大廠仍是晚1個世代，但若未來成功走向20納米制程，對臺灣NANDFlash技術研發(fā)是很大突破，因為現在很多大廠20納米都還未確定可行，未來力晶NANDFlash會朝利基型市場發(fā)展，不會與國際大廠既有市場硬碰硬。
另外，TIMC日前亦藉由NANDFlash產品重起爐灶，獲得經濟部補助，將與茂德、晶豪合攻NANDFlash市場，技術是引進美商IC設計公司NanoStar技術，號稱可避開現有NANDFlash大廠專利，為臺灣存儲器產業(yè)建立自有技術，目前已在茂德中科12寸晶圓廠進行試產。
至于旺宏對于從NORFlash跨入NANDFlash產業(yè)亦相當積極，采用自行研發(fā)技術，預計2010年便可從75納米制程切入試水溫，第2階段將導入57納米制程，預估2010年下半NANDFlash產品線開始貢獻營收。
事實上，力晶NANDFlash產品系師承日商瑞薩(Renesas)，瑞薩原由日立(Hitachi)分割出來，最早日立和東芝(Toshiba)在競爭NANDFlash技術時，日立選擇AG-ANDFlash架構開發(fā)，但到90納米制程后，瑞薩決定放棄NANDFlash產品線，當時力晶選擇接手技術和專利，從75納米切入一路開發(fā)至今。
力晶投入NANDFlash產品研發(fā)已達6年，投入研發(fā)資金高達70億元，過去都將資源放在標準型DRAM，2010年起因應多元化產品策略，開始將重心放在NANDFlash產品上。黃崇仁表示，力晶承襲瑞薩NANDFlash技術，是最正統(tǒng)NANDFlash技術架構，與國際大廠三星電子(SamsungElectronics)、海力士(Hynix)等技術層次最為接近，目前NANDFlash產品已在出貨中，2010年下半將轉進40納米制程，高容量16Gb產品將問世。
黃崇仁指出，目前力晶NANDFlash技術腳步相較于國際大廠仍是晚1個世代，但若未來成功走向20納米制程，對臺灣NANDFlash技術研發(fā)是很大突破，因為現在很多大廠20納米都還未確定可行，未來力晶NANDFlash會朝利基型市場發(fā)展，不會與國際大廠既有市場硬碰硬。
另外，TIMC日前亦藉由NANDFlash產品重起爐灶，獲得經濟部補助，將與茂德、晶豪合攻NANDFlash市場，技術是引進美商IC設計公司NanoStar技術，號稱可避開現有NANDFlash大廠專利，為臺灣存儲器產業(yè)建立自有技術，目前已在茂德中科12寸晶圓廠進行試產。
至于旺宏對于從NORFlash跨入NANDFlash產業(yè)亦相當積極，采用自行研發(fā)技術，預計2010年便可從75納米制程切入試水溫，第2階段將導入57納米制程，預估2010年下半NANDFlash產品線開始貢獻營收。
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