FinFET進(jìn)展超前 臺(tái)積電不敢稍有松懈

盡管已經(jīng)名列全球第一，然而在三星、英特爾等其他晶圓廠的壓力之下，臺(tái)積電仍不敢稍有松懈，不斷發(fā)展更先進(jìn)的制程技術(shù)。近期臺(tái)積電已經(jīng)對外宣示，其FinFET(鰭式場效電晶體)、極紫外光(EUV)等新技術(shù)研發(fā)及投產(chǎn)進(jìn)度，已經(jīng)全部進(jìn)度拉前。未來在與對手的競爭上，將有更大本錢。

其實(shí)，臺(tái)積電新制程技術(shù)發(fā)展進(jìn)度提前，有兩個(gè)重要意義，一是技術(shù)的研發(fā)有所突破，二是與三星及英特爾的競賽上，手上將握有更多致勝武器。

據(jù)了解，臺(tái)積電原本預(yù)計(jì)2015年后才能跨入16奈米FinFET制程，但現(xiàn)在已確定今年底就可開始以FinFET制程試產(chǎn)16奈米晶圓。這也意味著明年臺(tái)積電就將全面跨入16奈米FinFET世代，比起預(yù)期的時(shí)間，整整提早一年。

什么是FinFET

FinFET稱為鰭式場效電晶體(Fin Field-Effect Transistor)是一種新的互補(bǔ)式金屬氧化半導(dǎo)體(CMOS)的電晶體種類。由于Fin是魚鰭的意思，而FinFET也就根據(jù)電晶體的形狀與魚鰭的相似性來命名。

在2011年初，英特爾公司推出了商業(yè)化的FinFET制程技術(shù)，并使用在其22奈米晶圓的量產(chǎn)上。從Intel Core i7-3770之后的22奈米處理器，都使用了FinFET技術(shù)。由于FinFET具有功耗低，面積小的優(yōu)點(diǎn)，使得臺(tái)積電(TSMC)等等主要晶圓代工廠也紛紛投入發(fā)展自有的FinFET電晶體技術(shù)，為下一代的行動(dòng)處理器提供更快，更省電的優(yōu)勢。而從2012年起，F(xiàn)inFET已經(jīng)開始向20奈米節(jié)點(diǎn)和14奈米節(jié)點(diǎn)推進(jìn)。