美公司研發(fā)高性能晶體管創(chuàng)新外延技術(shù)

新的NMOS(N型金屬氧化物半導(dǎo)體)外延沉積工藝對下一代移動處理器芯片內(nèi)更快的晶體管至關(guān)重要。

應(yīng)用材料公司在Applied Centura RP Epi系統(tǒng)設(shè)備上新開發(fā)了一套NMOS晶體管應(yīng)用技術(shù)，繼續(xù)保持其在外延技術(shù)方面十年來的領(lǐng)先地位。該應(yīng)用技術(shù)的開發(fā)符合行業(yè)在20納米節(jié)點時將外延沉積從PMOS(P型金屬氧化物半導(dǎo)體)向NMOS(N型金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管延伸的趨勢，推動芯片制造商打造出更快的終端，提供下一代移動計算能力。

NMOS外延可將晶體管速度提高半個器件節(jié)點，同時不增加關(guān)閉狀態(tài)下的功耗

“外延是高性能晶體管的基本組成部分，速度提升相當(dāng)于縮放半個器件節(jié)點。”應(yīng)用材料公司硅系統(tǒng)事業(yè)部晶體管與金屬化產(chǎn)品副總裁Steve Ghanayem表示，“除了傳統(tǒng)的PMOS 外延以外，通過實施NMOS外延工藝，我們能幫助晶圓代工客戶進一步增強用于下一代器件的晶體管性能。”

自90納米終端節(jié)點以來，具有即時摻雜性能的應(yīng)變選擇性外延膜已經(jīng)改善了PMOS晶體管的遷移率，降低了電阻，從而提高了晶體管的速度。在NMOS 晶體管中采用選擇性外延，具有類似的提升作用，能夠增強總體芯片的性能。通過將這種技術(shù)用于這兩類晶體管，應(yīng)用材料公司推動了行業(yè)發(fā)展，以滿足日益增長的多功能移動產(chǎn)品更快和更高計算能力的需求。這種性能的提升有助于客戶實現(xiàn)更先進的功能，如提升多任務(wù)和更高品質(zhì)的圖形以及影像處理能力等。

Centura RP Epi系統(tǒng)設(shè)備是經(jīng)過生產(chǎn)實踐證明的PMOS外延應(yīng)用領(lǐng)域的的領(lǐng)導(dǎo)者。隨著今天這項新技術(shù)的推出，該系統(tǒng)的應(yīng)用范圍如今已涵蓋了NMOS晶體管指定區(qū)域薄膜的選擇性沉積。應(yīng)用材料公司市場領(lǐng)先的專有外延技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)高質(zhì)量應(yīng)變膜在沉積時進行精準的原子摻雜。嚴格的制造工藝控制帶來優(yōu)秀的膜性能、均勻性和極低缺陷率。這些特性解決了諸多性能問題，包括關(guān)鍵電荷層的電阻率問題。

對CenturaRPEpi系統(tǒng)設(shè)備的市場領(lǐng)導(dǎo)地位發(fā)揮核心作用的是其集成的低溫預(yù)清潔Siconi　技術(shù)。在同一個真空平臺集成預(yù)清潔和外延工藝，能夠消除排隊時間，相較單機獨立系統(tǒng)設(shè)備能夠減少界面污染超過一個數(shù)量級，從而打造純潔的硅表面，實現(xiàn)無缺陷外延晶體生長。