聯電MEMS感測芯片成功產出

晶圓代工廠聯電投入微機電 (MEMS)技術開發(fā)已3年，19日宣布成功產出CMOS-MEMS感測芯片，預計2011年投入量產。

聯電CMOS-MEMS技術制造的麥克風元件已完成功能驗證，訊噪比 (S/N ratio) 已可達到 56dBA 以上的水平，其性能極具國際競爭力，預計將于2011年上半年提供工程樣品，接著便能進入量產。CMOS-MEMS加速度計的產品開發(fā)也己符合消費性電子產品之應用規(guī)格 (1g ~16g)，其功能也達量產的目標。

聯電指出，除已與多家客戶合作開發(fā)各樣的MEMS芯片和高度集成的CMOS-MEMS產品，擴展微機電傳感器于生活或環(huán)境監(jiān)測之高階應用之外，聯電也以自身多樣性的CMOS制程技術，提供微機電專用ASIC芯片之專工服務，以支持各種微機電應用。

聯電表示，MEMS技術開發(fā)是一項極大挑戰(zhàn)，目前已有不錯成果;客戶MEMS麥克風元件已完成功能驗證，訊噪比可達56dBA以上，預計今年上半年提供工程樣品，隨即可導入量產。

聯電MEMS加速度計產品開發(fā)也已符合消費性電子產品的應用規(guī)格，功能也達量產目標;此外，聯電也與多家客戶合作開發(fā)各樣MEMS芯片產品，擴展微機電傳感器在生活或環(huán)境監(jiān)測的高階應用。

聯電表示，隨著MEMS傳感器應用日益普及，MEMS專工服務需求急遽增加，聯電未來將開放MEMS技術，提供產業(yè)及學術界開發(fā)新元件。