12月13日至15日在美國舊金山舉行的的美國電氣與電子工程師學會（IEEE）國際電子器件會議（IEDM）上，來自飛利浦的研發(fā)專家發(fā)表了17余篇關于尖端半導體研發(fā)的論文，詳細介紹了飛利浦與比利時微電子研究中心（IMEC）以及Crolles2聯(lián)盟（飛利浦、飛思卡爾半導體和ST微電子/意法半導體的合作聯(lián)盟）共同開展的研發(fā)項目。這些論文主要介紹65納米和45納米節(jié)點的CMOS工藝開發(fā), 以及90納米節(jié)點射頻CMOS創(chuàng)紀錄的性能。飛利浦首要的關注點是開發(fā)先進的CMOS工藝，以滿足消費產(chǎn)品應用對經(jīng)濟量產(chǎn)的生產(chǎn)要求。
飛利浦半導體技術合作總經(jīng)理Fred van Roosmalen 表示：“如果不能以客戶要求的價格提供產(chǎn)品，即使擁有世界上最先進的半導體工藝也毫無意義。在消費電子領域，我們擁有豐富的經(jīng)驗和資源，擁有世界級的研究基地和設施，同時與其他世界領先的半導體公司和研究機構保持緊密合作，這為飛利浦提供了諸多優(yōu)勢，不斷開發(fā)新的硅解決方案，以滿足消費電子產(chǎn)業(yè)對性價比的要求?！?
為推動Crolles2聯(lián)盟進一步進行工藝開發(fā)，飛利浦與IMEC在先進的CMOS技術領域開展緊密合作。 這一尖端的研究協(xié)作是針對CMOS定標帶來的嚴肅挑戰(zhàn)而開展的，使飛利浦繼續(xù)在半導體產(chǎn)業(yè)前沿中保持極具競爭力的領導地位。
正是由于半導體產(chǎn)業(yè)成功地驗證了摩爾定律，即固定面積硅芯片上的晶體管的數(shù)量大約每兩年增長一倍這一推測成為現(xiàn)實， DVD播放機、數(shù)碼相機和手機等日用品的成本才得以降低，性能才得以提高。盡管采用與目前類似的技術應該可以實現(xiàn)從90納米到65納米的過渡，但是，要達到ITRS技術藍圖中 45納米和32納米的目標，半導體產(chǎn)業(yè)還是面臨著相當大的挑戰(zhàn)。
通常，從一個CMOS技術節(jié)點過渡到下一個節(jié)點，所需的功耗會減少，但是，由于晶體管的閘極氧化層的厚度是與信道長度成正比的，如果氧化層的厚度僅及幾個原子的厚度，漏電問題可能反而增加所需功耗。此外，新材料的采用極大地提高了工藝的復雜性，比如采用高K電介質(zhì)克服閘極漏電，采用低K電介質(zhì)減弱互連電容，以及采用新的金屬替代多晶硅閘極。
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