中國半浮柵晶體管橫空出世 應(yīng)避免被國外趕超
[導(dǎo)讀]8月9日出版的《科學(xué)》（Science）雜志刊發(fā)了復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)課題組最新科研論文，該課題組提出并實現(xiàn)了一種新型的微電子基礎(chǔ)器件：半浮柵晶體管（SFGT，Semi-Floating-GateTransistor）。這是我國科學(xué)家在該頂
8月9日出版的《科學(xué)》（Science）雜志刊發(fā)了復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)課題組最新科研論文，該課題組提出并實現(xiàn)了一種新型的微電子基礎(chǔ)器件：半浮柵晶體管（SFGT，Semi-Floating-GateTransistor）。這是我國科學(xué)家在該頂級學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表的第一篇微電子器件領(lǐng)域的原創(chuàng)性成果，標(biāo)志著我國在全球尖端集成電路技術(shù)創(chuàng)新鏈中獲得重大突破。
集成電路產(chǎn)業(yè)獲突破
經(jīng)過十余年的發(fā)展，當(dāng)前我國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售收入從2001年的199億元，提高到2011年的1572億元，占全球集成電路市場的比重提高到9.8%、銷售收入年均增長23.7%。
但是必須正視的是，我國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展依然存在不少問題。工業(yè)和信息化部電子信息司司長丁文武曾撰文指出，我國產(chǎn)品自主供應(yīng)不足，持續(xù)創(chuàng)新能力亟待加強(qiáng)，產(chǎn)業(yè)對外依存度高。
-
盡管我國在自主知識產(chǎn)權(quán)集成電路技術(shù)上取得了長足進(jìn)步，但集成電路的核心技術(shù)基本上依然由國外公司擁有，集成電路產(chǎn)業(yè)也主要依靠引進(jìn)和吸收國外成熟的技術(shù)，在微電子核心器件及集成工藝上缺乏核心技術(shù)。為此，作為一種新型的微電子基礎(chǔ)器件，復(fù)旦大學(xué)半浮柵晶體管的橫空出世將有助于我國掌握集成電路的核心技術(shù)，從而在國際芯片設(shè)計與制造上逐漸獲得更多話語權(quán)。
結(jié)構(gòu)巧、性能高
據(jù)悉，金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）是目前集成電路中最基本的器件，工藝的進(jìn)步讓MOSFET晶體管的尺寸正在不斷縮小，而其功率密度也一直在升高。
人們常用的U盤等閃存芯片則采用了另一種稱為浮柵晶體管的器件。閃存又稱為“非揮發(fā)性存儲器”——所謂“非揮發(fā)”，即指芯片在沒有供電的情況下，信息仍能被保存而不會丟失。這種器件在寫入和擦除時都需要有電流通過一層接近5納米厚的氧化硅介質(zhì)，因此需要較高的操作電壓（接近20伏）和較長的時間（微秒級）。
復(fù)旦大學(xué)的科研人員們把一個隧穿場效應(yīng)晶體管（TFET）和浮柵器件結(jié)合起來，構(gòu)成了一種全新的“半浮柵”結(jié)構(gòu)的器件，被稱為“半浮柵晶體管”。“硅基TFET晶體管使用了硅體內(nèi)的量子隧穿效應(yīng)，而傳統(tǒng)的浮柵晶體管的擦寫操作則是使電子隧穿過絕緣介質(zhì)?！闭撐牡谝蛔髡摺?fù)旦大學(xué)教授王鵬飛對記者解釋說。
“隧穿”是量子世界的常見現(xiàn)象，可以“魔術(shù)般”地通過固體，類似于“穿墻術(shù)”。“隧穿”勢壘越低，相當(dāng)于“墻”就越薄，器件隧穿所需電壓也就越低。把TFET和浮柵相結(jié)合，半浮柵晶體管的“數(shù)據(jù)”擦寫便更加容易與迅速。
“TFET為浮柵充放電、完成‘?dāng)?shù)據(jù)擦寫’的操作，‘半浮柵’則實現(xiàn)‘?dāng)?shù)據(jù)存放和讀出’的功能?！睆埿l(wèi)解釋說，傳統(tǒng)浮柵晶體管是將電子隧穿過高勢壘（禁帶寬度接近8.9eV）的二氧化硅絕緣介質(zhì)，而半浮柵晶體管的隧穿發(fā)生在禁帶寬度僅1.1eV的硅材料內(nèi)，隧穿勢壘大為降低。
潛在市場巨大
作為一種新型的基礎(chǔ)器件，半浮柵晶體管可應(yīng)用于不同的集成電路。首先，它可以取代一部分的SRAM，即靜態(tài)隨機(jī)存儲器。其次，半浮柵晶體管還可以應(yīng)用于DRAM，即動態(tài)隨機(jī)存儲器領(lǐng)域。半浮柵晶體管不但應(yīng)用于存儲器，它還可以應(yīng)用于主動式圖像傳感器芯片（APS）。由單個半浮柵晶體管構(gòu)成的新型圖像傳感器單元在面積上能縮小20%以上，感光單元密度提高，使圖像傳感器芯片的分辨率和靈敏度得到提升。
目前，SRAM、DRAM和圖像傳感器技術(shù)的核心專利基本上由美光、三星、Intel、索尼等國外公司控制。
“在這些領(lǐng)域，中國大陸具有自主知識產(chǎn)權(quán)且可應(yīng)用的產(chǎn)品幾乎沒有?！睆埿l(wèi)說。
據(jù)了解，半浮柵晶體管在存儲和圖像傳感等領(lǐng)域的潛在應(yīng)用市場規(guī)模可達(dá)到300億美元以上。而且，半浮柵晶體管兼容現(xiàn)有主流硅集成電路制造工藝，并不需要對現(xiàn)有集成電路制造工藝進(jìn)行很大的改動，具有很好的產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ)。
據(jù)張衛(wèi)透露，目前針對半浮柵晶體管的優(yōu)化和電路設(shè)計工作已經(jīng)開始。對于產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，他表示，希望能夠有設(shè)計和制造伙伴與科研團(tuán)隊進(jìn)行對接，向產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)。
不過，擁有核心專利并不等于擁有未來的廣闊市場。盡管半浮柵晶體管應(yīng)用市場廣闊，但前提是必須進(jìn)行核心專利的優(yōu)化布局。
張衛(wèi)表示，希望能布局得更快一點，避免被國外的大公司趕超。實際上，國外大公司擁有資金和人才優(yōu)勢，可以大規(guī)模申請專利，與之對比，張衛(wèi)課題組明顯“勢單力薄”。他表示，目前的半浮柵晶體管是在較大工藝技術(shù)節(jié)點上實現(xiàn)的，主要是為了驗證器件性能。未來研究工作主要集中于器件性能的優(yōu)化和進(jìn)一步提升，相關(guān)應(yīng)用的電路設(shè)計和關(guān)鍵IP技術(shù)，以及技術(shù)節(jié)點縮小帶來的一系列工藝問題等。
集成電路產(chǎn)業(yè)獲突破
經(jīng)過十余年的發(fā)展，當(dāng)前我國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售收入從2001年的199億元，提高到2011年的1572億元，占全球集成電路市場的比重提高到9.8%、銷售收入年均增長23.7%。
但是必須正視的是，我國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展依然存在不少問題。工業(yè)和信息化部電子信息司司長丁文武曾撰文指出，我國產(chǎn)品自主供應(yīng)不足，持續(xù)創(chuàng)新能力亟待加強(qiáng)，產(chǎn)業(yè)對外依存度高。
-
盡管我國在自主知識產(chǎn)權(quán)集成電路技術(shù)上取得了長足進(jìn)步，但集成電路的核心技術(shù)基本上依然由國外公司擁有，集成電路產(chǎn)業(yè)也主要依靠引進(jìn)和吸收國外成熟的技術(shù)，在微電子核心器件及集成工藝上缺乏核心技術(shù)。為此，作為一種新型的微電子基礎(chǔ)器件，復(fù)旦大學(xué)半浮柵晶體管的橫空出世將有助于我國掌握集成電路的核心技術(shù)，從而在國際芯片設(shè)計與制造上逐漸獲得更多話語權(quán)。
結(jié)構(gòu)巧、性能高
據(jù)悉，金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）是目前集成電路中最基本的器件，工藝的進(jìn)步讓MOSFET晶體管的尺寸正在不斷縮小，而其功率密度也一直在升高。
人們常用的U盤等閃存芯片則采用了另一種稱為浮柵晶體管的器件。閃存又稱為“非揮發(fā)性存儲器”——所謂“非揮發(fā)”，即指芯片在沒有供電的情況下，信息仍能被保存而不會丟失。這種器件在寫入和擦除時都需要有電流通過一層接近5納米厚的氧化硅介質(zhì)，因此需要較高的操作電壓（接近20伏）和較長的時間（微秒級）。
復(fù)旦大學(xué)的科研人員們把一個隧穿場效應(yīng)晶體管（TFET）和浮柵器件結(jié)合起來，構(gòu)成了一種全新的“半浮柵”結(jié)構(gòu)的器件，被稱為“半浮柵晶體管”。“硅基TFET晶體管使用了硅體內(nèi)的量子隧穿效應(yīng)，而傳統(tǒng)的浮柵晶體管的擦寫操作則是使電子隧穿過絕緣介質(zhì)?！闭撐牡谝蛔髡摺?fù)旦大學(xué)教授王鵬飛對記者解釋說。
“隧穿”是量子世界的常見現(xiàn)象，可以“魔術(shù)般”地通過固體，類似于“穿墻術(shù)”。“隧穿”勢壘越低，相當(dāng)于“墻”就越薄，器件隧穿所需電壓也就越低。把TFET和浮柵相結(jié)合，半浮柵晶體管的“數(shù)據(jù)”擦寫便更加容易與迅速。
“TFET為浮柵充放電、完成‘?dāng)?shù)據(jù)擦寫’的操作，‘半浮柵’則實現(xiàn)‘?dāng)?shù)據(jù)存放和讀出’的功能?！睆埿l(wèi)解釋說，傳統(tǒng)浮柵晶體管是將電子隧穿過高勢壘（禁帶寬度接近8.9eV）的二氧化硅絕緣介質(zhì)，而半浮柵晶體管的隧穿發(fā)生在禁帶寬度僅1.1eV的硅材料內(nèi)，隧穿勢壘大為降低。
潛在市場巨大
作為一種新型的基礎(chǔ)器件，半浮柵晶體管可應(yīng)用于不同的集成電路。首先，它可以取代一部分的SRAM，即靜態(tài)隨機(jī)存儲器。其次，半浮柵晶體管還可以應(yīng)用于DRAM，即動態(tài)隨機(jī)存儲器領(lǐng)域。半浮柵晶體管不但應(yīng)用于存儲器，它還可以應(yīng)用于主動式圖像傳感器芯片（APS）。由單個半浮柵晶體管構(gòu)成的新型圖像傳感器單元在面積上能縮小20%以上，感光單元密度提高，使圖像傳感器芯片的分辨率和靈敏度得到提升。
目前，SRAM、DRAM和圖像傳感器技術(shù)的核心專利基本上由美光、三星、Intel、索尼等國外公司控制。
“在這些領(lǐng)域，中國大陸具有自主知識產(chǎn)權(quán)且可應(yīng)用的產(chǎn)品幾乎沒有?！睆埿l(wèi)說。
據(jù)了解，半浮柵晶體管在存儲和圖像傳感等領(lǐng)域的潛在應(yīng)用市場規(guī)模可達(dá)到300億美元以上。而且，半浮柵晶體管兼容現(xiàn)有主流硅集成電路制造工藝，并不需要對現(xiàn)有集成電路制造工藝進(jìn)行很大的改動，具有很好的產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ)。
據(jù)張衛(wèi)透露，目前針對半浮柵晶體管的優(yōu)化和電路設(shè)計工作已經(jīng)開始。對于產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，他表示，希望能夠有設(shè)計和制造伙伴與科研團(tuán)隊進(jìn)行對接，向產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)。
不過，擁有核心專利并不等于擁有未來的廣闊市場。盡管半浮柵晶體管應(yīng)用市場廣闊，但前提是必須進(jìn)行核心專利的優(yōu)化布局。
張衛(wèi)表示，希望能布局得更快一點，避免被國外的大公司趕超。實際上，國外大公司擁有資金和人才優(yōu)勢，可以大規(guī)模申請專利，與之對比，張衛(wèi)課題組明顯“勢單力薄”。他表示，目前的半浮柵晶體管是在較大工藝技術(shù)節(jié)點上實現(xiàn)的，主要是為了驗證器件性能。未來研究工作主要集中于器件性能的優(yōu)化和進(jìn)一步提升，相關(guān)應(yīng)用的電路設(shè)計和關(guān)鍵IP技術(shù)，以及技術(shù)節(jié)點縮小帶來的一系列工藝問題等。
下載文檔
