中國NAND Flash市場發(fā)展現(xiàn)狀
隨著人們對消費電子如數(shù)碼相機、便攜式音樂播放器、智能手機、平板電腦、固態(tài)硬盤等需求的日益增長,大容量、高速度、小體積、便攜性以及較低價格等因素使NANDFlash一舉成為目前乃至未來一段時間中高容量閃存甚至存儲領域的主要芯片。在短短的十年時間里,NANDFlash市場出現(xiàn)了近十倍的高速增長。2012年,全球經(jīng)濟持續(xù)疲軟、NANDFlash產(chǎn)品價格持續(xù)走低,SSD市場增長乏力等諸多因素的影響,全球NANDFlash出現(xiàn)近三年來的首次負增長,市場規(guī)模198.6億美元,同比2011年大幅下滑9.3%。但隨著智能手機、平板電腦和SSD的強勁消費需求,預計到2015年全球NANDFlash市場達289.1億美元,未來三年的年平均增長率為13.4%。
圖12008-2015年全球NANDFlash市場規(guī)模
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從2012年全球NANDFlash市場品牌結(jié)構(gòu)來看,SamsungElectronics以38.7%的份額排名市場第一,戰(zhàn)略合作緊密且共同投資建設NANDFlash工廠的Toshiba和Sandisk公司以53.8億美元的合計銷售額位列第二,占據(jù)27.1%市場份額。
圖22012年全球NANDFlash市場品牌結(jié)構(gòu)(按銷售額,單位:億美元)
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目前,中國已經(jīng)成為全球最大的NANDFlash市場,這得益于其全球電子信息制造業(yè)中心地位。中國手機、閃存卡和閃存盤產(chǎn)量占全球產(chǎn)量的約70%,平板電腦產(chǎn)量占全球產(chǎn)量的90%以上。在快速增長的消費電子終端產(chǎn)品帶動下,國內(nèi)NANDFlash市場規(guī)模也在逐年迅速擴大。2012年中國NANDFlash閃存市場銷售額為633.7億元,比2011年增加0.3%,強于全球市場。
圖32008-2015年中國NANDFlash市場規(guī)模及預測
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根據(jù)存儲單元的不同,NANDFlash目前可以分為SingleLayerCell(SLC)、Multi-LevelCell(MLC)和Triple-LevelCell(TLC)三類,產(chǎn)品價格成倍依次遞減。短時間內(nèi)MLC仍會是主流產(chǎn)品,SLC將繼續(xù)在企業(yè)級、服務器市場領域存活;隨著TLC性能的提升,其將成為未來中低端領域NANDFlash的主要產(chǎn)品。2012年SLC市場銷售額為39.9億元,占6.3%的市場份額;MLC市場銷售額為447.4億元,占70.6%的市場份額;TLC市場銷售額為146.4億元,占23.1%的市場份額。
從品牌結(jié)構(gòu)來看,SamsungElectronics以37.5%的份額排名市場第一,Toshiba/Sandisk市場份額則位列第二。
圖42012年中國NANDFlash市場品牌結(jié)構(gòu)(按銷售額,單位:億元)
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在國內(nèi)市場,NANDFlash主要用于FlashCard(閃存卡)、Handset(手機)、Tablet(平板電腦)等領域。
圖52012年中國NANDFlash市場應用結(jié)構(gòu)(按銷售額,單位:億元)
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2012年,中國應用于閃存卡的NANDFlash銷售額達166.0億元,同比降低10.6%。在國內(nèi)閃存卡用NANDFlash市場中,Toshiba/Sandisk、SamsungElectronics是最有力的競爭者。2012年Toshiba/Sandisk在該領域的銷售額為94.5億元,占市場56.9%的份額;SamsungElectronics的市場占有率為15.1%。
應用于手機的NANDFlash銷售額達136.9億元,同比增長5.7%。在該領域市場中,SamsungElectronics市場占有率52.7%,銷售額達72.1億元,Toshiba/Sandisk和Hynix分別占據(jù)18.1%和15.2%的市場份額。
應用于平板電腦的NANDFlash市場規(guī)模達116.6億元,同比增長38.7%。該領域市場,SamsungElectronics以39.1%的市場份額排名市場第一;Toshiba/Sandisk則以23.4%的市場份額排名第二。
預計未來三年,手機、平板電腦仍將是帶動中國NANDFlash市場快速增長的主要驅(qū)動力。到2015年,中國應用于手機和平板電腦的NANDFlash市場將分別為271.7億元和193.1億元。
圖62013-2015年中國NANDFlash市場應用結(jié)構(gòu)預測(按銷售額,單位:億元)
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由于NANDFlash設備投入大、技術要求較高,目前全球主要的生產(chǎn)廠商均為IDM企業(yè),如SamsungElectronics、Toshiba/Sandisk、Micron(美光)/Intel(英特爾)、Hynix、Powerchip(力晶)等。2012年NANDFlash大廠工藝制程大都采用20nm左右技術,并均計劃2013年工藝制程要挺進至1Xnm發(fā)展,單顆芯片的面積將進一步減少,從而導致芯片價格大幅降低。2012年4月,三星宣布在西安建設閃存芯片工廠,項目總投資300億美元,預計建成后月產(chǎn)能達10萬片,這將是三星在韓國本土以外最大的NANDFlash工廠,技術線程在1Xnm級別。
未來市場仍掌握在這些擁有核心技術的國際大廠手中,各廠商的競爭呈現(xiàn)此消彼長的現(xiàn)象。隨著芯片價格的降低以及消費電子的不斷推陳出新,直接刺激NANDFlash在各應用終端上的大量應用。與此同時,不少國際企業(yè)紛紛將其生產(chǎn)環(huán)節(jié)遷至中國,不僅因為中國是重要的制造大國,而且是NANDFlash的消費大國。[!--empirenews.page--]
目前,中國智能手機消費市場約占全球市場的四分之一,平板電腦消費市場約占全球市場的15%,而且其比重還在不斷上升。因此在全球NANDFlash市場缺乏新增長點的時候,未來中國NANDFlash市場風景這邊獨好。