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[導(dǎo)讀]據(jù)新華社消息,中國科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心最近在22納米技術(shù)代集成電路關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)上取得突破性進(jìn)展。消息稱該中心的研究人員摒棄了傳統(tǒng)的二氧化硅、多晶硅等材料,采用高K材料、金屬柵等新材料

據(jù)新華社消息,中國科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心最近在22納米技術(shù)代集成電路關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)上取得突破性進(jìn)展。消息稱該中心的研究人員摒棄了傳統(tǒng)的二氧化硅、多晶硅等材料,采用高K材料、金屬柵等新材料、新工藝,研制出了性能良好的器件,技術(shù)水平達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先、世界一流。

報(bào)道還介紹在研發(fā)過程中,中國科學(xué)院與北京大學(xué)、清華大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)的聯(lián)合項(xiàng)目組完成了1369項(xiàng)專利申請(qǐng),其中包括424項(xiàng)國際專利申請(qǐng),為中國在集成電路領(lǐng)域掌握自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),取得國際話語權(quán)奠定了基礎(chǔ)。該成果的取得也為中國繼續(xù)自主研發(fā)更先進(jìn)的16納米及以下技術(shù)代的關(guān)鍵工藝提供了必要的技術(shù)支撐。

據(jù)了解,美國Intel公司采用高K材料和金屬柵結(jié)構(gòu)的22納米微處理器在2011年下半年已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),目前Intel公司正在美國興建一座全球最先進(jìn)的工廠,預(yù)計(jì)在2014年有望實(shí)現(xiàn)14納米產(chǎn)品的量產(chǎn)。中國目前最先進(jìn)的、國家“自主可控”的芯片制造公司是中芯國際,其量產(chǎn)的能力在45納米產(chǎn)品。中芯國際32納米產(chǎn)品的量產(chǎn)能力還在形成當(dāng)中,預(yù)計(jì)2013年可以試產(chǎn)。

總體上,中國最先進(jìn)廠商和國際一流廠商的生產(chǎn)技術(shù)水平大約相差2~3代(4~5年),而自主研發(fā)的能力相差更大。從中科院有關(guān)項(xiàng)目的進(jìn)展以及項(xiàng)目聯(lián)合單位的組成來看,中國的基礎(chǔ)集成電路工藝研發(fā)和生產(chǎn)制造之間脫節(jié)的問題還沒有解決。在美國,象紐約州Albany納米技術(shù)中心這樣的研究機(jī)構(gòu)承擔(dān)了一些先進(jìn)工藝的先期、探索性的開發(fā)工作,其經(jīng)費(fèi)來源有來自政府的研究基金,也有企業(yè)通過項(xiàng)目合作的方式提供的資助,研究項(xiàng)目和企業(yè)生產(chǎn)實(shí)際結(jié)合的較好。在中國,“學(xué)院式”的研發(fā)如何和工廠生產(chǎn)實(shí)踐中遇到的科研問題相結(jié)合還有待磨合。其實(shí)中國在上世紀(jì)70-80年代曾經(jīng)推廣過的“科研和生產(chǎn)實(shí)踐相結(jié)合”的路子有其非常合理的一面,可惜物極必反,很多事情做過頭又矯枉過正,結(jié)果好的東西反而得不到“批判性”地傳承。

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