[導(dǎo)讀]DRAM大廠力晶自結(jié)9月營收新臺幣75.19億元，較上月88.88億元減少15%，累計前9月營收為675億元；力晶發(fā)言人譚仲民表示，9月營收下滑主要是受到DRAM現(xiàn)貨價疲軟的影響，隨著12寸晶圓廠代工業(yè)務(wù)的需求和報價回穩(wěn)，標(biāo)準(zhǔn)型D
DRAM大廠力晶自結(jié)9月營收新臺幣75.19億元，較上月88.88億元減少15%，累計前9月營收為675億元；力晶發(fā)言人譚仲民表示，9月營收下滑主要是受到DRAM現(xiàn)貨價疲軟的影響，隨著12寸晶圓廠代工業(yè)務(wù)的需求和報價回穩(wěn)，標(biāo)準(zhǔn)型DRAM制程技術(shù)也逐漸轉(zhuǎn)進爾必達63納米制程，未來成本可望進一步下降。
受到DRAM現(xiàn)貨價和合約價大幅下修的影響，DRAM廠9月營收除了華亞科受惠50納米制程大量轉(zhuǎn)換成功之賜，而逆勢成長之外，其它各廠營收都呈現(xiàn)下滑趨勢，包括力晶、瑞晶、南亞科、茂德等9月營收都難逃衰退命運。
力晶9月營收下滑15%，主要是反應(yīng)9月現(xiàn)貨價格下跌，大陸十一長假之前的預(yù)期補貨需求落空，個人計算機(PC)終端需求也不如預(yù)期順利，消費性換機潮和企業(yè)換機潮都沒有明顯發(fā)酵，使得DRAM價格一路下跌，加上新臺幣升值問題，都沖擊DRAM廠9月營收表現(xiàn)。
力晶目前的因應(yīng)之策，是盡早轉(zhuǎn)進63納米制程技術(shù)，預(yù)計成本可再較65納米制程下滑20%，目前已積極添購浸潤式曝光機臺(ImmersionScanner)，加速制程轉(zhuǎn)換的時間，以進一步降低成本且提升營運競爭力。
力晶上半年稅前獲利為425億元，每股盈余1.88元，公司自結(jié)9月營收為75.19億元，較上月88.88億元減少15%，終結(jié)自從2010年2月以來，營收一直呈現(xiàn)上漲的走勢，累計前9月營收為675億元，第3季雖然DRAM價格下跌，看市場對于力晶第3季獲利仍是寄予厚望，預(yù)計力晶和瑞晶第3季財報會是臺系DRAM廠中，少數(shù)獲利的業(yè)者。
力晶對于2010年的資本支出規(guī)劃約新臺幣120億元，其中70%支出都用于轉(zhuǎn)換至63納米制程的費用，剩下30%支出是為未來轉(zhuǎn)換至45納米制程做準(zhǔn)備，2011年力晶45納米制程量產(chǎn)后，可趕上2Gb產(chǎn)品榮登主流的熱潮。
除了標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品之外，力晶代工產(chǎn)能還包括利基型存儲器(SDRM)、NANDFlash產(chǎn)品等，其中NANDFlash芯片技術(shù)是技轉(zhuǎn)自日系大廠瑞薩(Renesas)AG-ANDFlash架構(gòu)，之前瑞薩決定在90納米制程之后放棄NANDFlash產(chǎn)品，之后由力晶接手，下半年力晶將朝高容量發(fā)展，包括利用40納米制程生產(chǎn)16Gb產(chǎn)品。
受到DRAM現(xiàn)貨價和合約價大幅下修的影響，DRAM廠9月營收除了華亞科受惠50納米制程大量轉(zhuǎn)換成功之賜，而逆勢成長之外，其它各廠營收都呈現(xiàn)下滑趨勢，包括力晶、瑞晶、南亞科、茂德等9月營收都難逃衰退命運。
力晶9月營收下滑15%，主要是反應(yīng)9月現(xiàn)貨價格下跌，大陸十一長假之前的預(yù)期補貨需求落空，個人計算機(PC)終端需求也不如預(yù)期順利，消費性換機潮和企業(yè)換機潮都沒有明顯發(fā)酵，使得DRAM價格一路下跌，加上新臺幣升值問題，都沖擊DRAM廠9月營收表現(xiàn)。
力晶目前的因應(yīng)之策，是盡早轉(zhuǎn)進63納米制程技術(shù)，預(yù)計成本可再較65納米制程下滑20%，目前已積極添購浸潤式曝光機臺(ImmersionScanner)，加速制程轉(zhuǎn)換的時間，以進一步降低成本且提升營運競爭力。
力晶上半年稅前獲利為425億元，每股盈余1.88元，公司自結(jié)9月營收為75.19億元，較上月88.88億元減少15%，終結(jié)自從2010年2月以來，營收一直呈現(xiàn)上漲的走勢，累計前9月營收為675億元，第3季雖然DRAM價格下跌，看市場對于力晶第3季獲利仍是寄予厚望，預(yù)計力晶和瑞晶第3季財報會是臺系DRAM廠中，少數(shù)獲利的業(yè)者。
力晶對于2010年的資本支出規(guī)劃約新臺幣120億元，其中70%支出都用于轉(zhuǎn)換至63納米制程的費用，剩下30%支出是為未來轉(zhuǎn)換至45納米制程做準(zhǔn)備，2011年力晶45納米制程量產(chǎn)后，可趕上2Gb產(chǎn)品榮登主流的熱潮。
除了標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品之外，力晶代工產(chǎn)能還包括利基型存儲器(SDRM)、NANDFlash產(chǎn)品等，其中NANDFlash芯片技術(shù)是技轉(zhuǎn)自日系大廠瑞薩(Renesas)AG-ANDFlash架構(gòu)，之前瑞薩決定在90納米制程之后放棄NANDFlash產(chǎn)品，之后由力晶接手，下半年力晶將朝高容量發(fā)展，包括利用40納米制程生產(chǎn)16Gb產(chǎn)品。
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