TSIA：10年Q2臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)營(yíng)運(yùn)成果出爐

根據(jù)WSTS統(tǒng)計(jì)，10Q2全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷(xiāo)售值達(dá)748億美元，較上季(10Q1)成長(zhǎng)7.1%，較去年同期(09Q2)成長(zhǎng)42.6%；銷(xiāo)售量達(dá)1,759億顆，較上季(10Q1)成長(zhǎng)8.7%，較去年同期(09Q2)成長(zhǎng)38.0%；ASP為0.425美元，較上季(10Q1)衰退1.5%，較去年同期(09Q2)成長(zhǎng)3.3%。

10Q2美國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)銷(xiāo)售值達(dá)137億美元，較上季(10Q1)成長(zhǎng)15.3%，較去年同期(09Q2)成長(zhǎng)55.5%；日本半導(dǎo)體市場(chǎng)銷(xiāo)售值達(dá)113億美元，較上季(10Q1)成長(zhǎng)4.6%，較去年同期(09Q2)成長(zhǎng)25.4%；歐洲半導(dǎo)體市場(chǎng)銷(xiāo)售值達(dá)93億美元，較上季(10Q1)成長(zhǎng)1.1%，較去年同期(09Q2)成長(zhǎng)39.8%；亞洲區(qū)半導(dǎo)體市場(chǎng)銷(xiāo)售值達(dá)404億美元，較上季(10Q1)成長(zhǎng)6.6%，較去年同期(09Q2)成長(zhǎng)44.7%。

根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)公布最新6月的訂單出貨報(bào)告，訂單出貨比(B/BRatio)為1.19，較5月份的1.13小幅上揚(yáng)，但目前已連續(xù)12個(gè)月處于1以上的水平，顯示半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣持續(xù)維持在復(fù)蘇之水平。北美半導(dǎo)體設(shè)備廠商6月份的3個(gè)月平均全球訂單預(yù)估金額為16.85億美元，較5月份最終訂單金額15.25億美元增加10.5%，比2009年同期成長(zhǎng)379.0%，金額攀升到2006年8月以來(lái)最高水平。而在出貨表現(xiàn)部分，6月份的3個(gè)月平均出貨金額為14.21億美元，較5月13.45億美元成長(zhǎng)5.7%，比2009年同期成長(zhǎng)222.7%。

2010年第2季臺(tái)灣整體IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值(含設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試)達(dá)新臺(tái)幣4,422億元(USD$13.8B)，較上季(10Q1)成長(zhǎng)12.8%，較去年同期(09Q2)成長(zhǎng)47.7%。其中設(shè)計(jì)業(yè)產(chǎn)值為新臺(tái)幣1,196億元(USD$3.7B)，較上季(10Q1)成長(zhǎng)7.7%，較去年同期(09Q2)成長(zhǎng)28.3%；制造業(yè)為新臺(tái)幣2,176億元(USD$6.8B)，較上季(10Q1)成長(zhǎng)15.4%，較去年同期(09Q2)成長(zhǎng)59.8%；封裝業(yè)為新臺(tái)幣725億元(USD$2.3B)，較上季(10Q1)成長(zhǎng)13.3%，較去年同期(09Q2)成長(zhǎng)48.0%；測(cè)試業(yè)為新臺(tái)幣325億元(USD$1.0B)，較上季(10Q1)成長(zhǎng)14.0%，較去年同期(09Q2)成長(zhǎng)54.8%。新臺(tái)幣對(duì)美元匯率以32.1計(jì)算。

預(yù)估2010年臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值可達(dá)17,932億元(USD$55.9B)，較2009年成長(zhǎng)43.5%。其中設(shè)計(jì)業(yè)產(chǎn)值為5,032億新臺(tái)幣(USD$15.7B)，較2009年成長(zhǎng)30.4%；制造業(yè)為8,698億新臺(tái)幣(USD$27.1B)，較2009年成長(zhǎng)50.8%；封裝業(yè)為2,896億新臺(tái)幣(USD$9.0B)，較2009年成長(zhǎng)45.1%；測(cè)試業(yè)為1,306億新臺(tái)幣(USD$4.1B)，較2009年成長(zhǎng)49.1%。新臺(tái)幣對(duì)美元匯率以32.1計(jì)算。

■TSIA10Q2我國(guó)IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值統(tǒng)計(jì)結(jié)果

單位：億新臺(tái)幣

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資料來(lái)源：TSIA；工研院IEK半導(dǎo)體研究部(2010/08)