[導讀]隨著三星電子(SamsungElectronics)、全球晶圓(GlobalFoundries)積極強化晶圓代工業(yè)務，臺積電面對競爭對手挖墻角壓力，近期積極招募各方好手，除舉辦各類競賽挖掘研發(fā)人員，亦采取預聘(advancedoffer)方式，搶大專院
隨著三星電子(SamsungElectronics)、全球晶圓(GlobalFoundries)積極強化晶圓代工業(yè)務，臺積電面對競爭對手挖墻角壓力，近期積極招募各方好手，除舉辦各類競賽挖掘研發(fā)人員，亦采取預聘(advancedoffer)方式，搶大專院校新鮮人，希望未來在2x奈米以下先進制程研發(fā)腳步更領先，進一步拉大與競爭者差距。
臺積電2010年大興土木，除中科晶圓十五廠(Fab15)動土，LED廠預計2010年底前設備進廠，薄膜太陽能廠亦即將動工，在產能不斷提高下，亟需培養(yǎng)人才，2010年初增聘3,000人，另外有2,000個派遣職缺將于10月前全數轉為正職，6月初宣布再征求3,000人，總計全年新增8,000人。
半導體業(yè)者指出，其實近年來電子業(yè)征才普遍不易，尤其具備半導體制程能力的人才欠缺，主要系因大環(huán)境資源分配多傾向培養(yǎng)designhouse人才，使得擁有制程能力人才數量越來越少。此外，盡管政府有研發(fā)替代役名額，然2010年僅有80個名額，為此臺積電已率先啟動預聘制度，在大學畢業(yè)前就先給予正式聘雇書，亦即大學生可提前20個月拿到聘書，待服完兵役再前往臺積電報到就業(yè)。
事實上，不論外在經濟如何變化，臺積電都給予預聘人才工作機會保障，2010年預聘名額達300~400人，往年報到率超過8成。臺積電研發(fā)組織資深副總蔣尚義指出，2010年臺積電擁有200多億元研發(fā)經費，希望優(yōu)秀人才加入臺積電。為對抗三星與全球晶圓來勢洶洶，臺積電將原本已退休的蔣尚義延攬回鍋掌研發(fā)兵符，全力在2x奈米以下先進制程搶先競爭對手，并拉開差距。
臺積電奈米制像技術發(fā)展處資深處長林本堅指出，目前臺積電在20奈米制程采用浸潤式微影及雙重曝光(double-patterning)技術，在2x奈米以下，臺積電則采取深紫外光(EUV)與無光罩電子束(e-beam)技術同步并進，日前已采用Mapper多重電子束技術，成功試產20奈米DRAM芯片，由于電子束相較于EUV不用光罩，大幅降低成本。
另外，臺積在新竹晶圓十二廠(Fab12)亦有1臺ASML的EUV機臺，正進行研發(fā)中。臺積電指出，在兩種技術上齊頭并進，希望未來能讓客戶不論是采用哪里種技術，都不需要擔心，能放心將設計交給臺積電進行生產制造。
臺積電2010年大興土木，除中科晶圓十五廠(Fab15)動土，LED廠預計2010年底前設備進廠，薄膜太陽能廠亦即將動工，在產能不斷提高下，亟需培養(yǎng)人才，2010年初增聘3,000人，另外有2,000個派遣職缺將于10月前全數轉為正職，6月初宣布再征求3,000人，總計全年新增8,000人。
半導體業(yè)者指出，其實近年來電子業(yè)征才普遍不易，尤其具備半導體制程能力的人才欠缺，主要系因大環(huán)境資源分配多傾向培養(yǎng)designhouse人才，使得擁有制程能力人才數量越來越少。此外，盡管政府有研發(fā)替代役名額，然2010年僅有80個名額，為此臺積電已率先啟動預聘制度，在大學畢業(yè)前就先給予正式聘雇書，亦即大學生可提前20個月拿到聘書，待服完兵役再前往臺積電報到就業(yè)。
事實上，不論外在經濟如何變化，臺積電都給予預聘人才工作機會保障，2010年預聘名額達300~400人，往年報到率超過8成。臺積電研發(fā)組織資深副總蔣尚義指出，2010年臺積電擁有200多億元研發(fā)經費，希望優(yōu)秀人才加入臺積電。為對抗三星與全球晶圓來勢洶洶，臺積電將原本已退休的蔣尚義延攬回鍋掌研發(fā)兵符，全力在2x奈米以下先進制程搶先競爭對手，并拉開差距。
臺積電奈米制像技術發(fā)展處資深處長林本堅指出，目前臺積電在20奈米制程采用浸潤式微影及雙重曝光(double-patterning)技術，在2x奈米以下，臺積電則采取深紫外光(EUV)與無光罩電子束(e-beam)技術同步并進，日前已采用Mapper多重電子束技術，成功試產20奈米DRAM芯片，由于電子束相較于EUV不用光罩，大幅降低成本。
另外，臺積在新竹晶圓十二廠(Fab12)亦有1臺ASML的EUV機臺，正進行研發(fā)中。臺積電指出，在兩種技術上齊頭并進，希望未來能讓客戶不論是采用哪里種技術，都不需要擔心，能放心將設計交給臺積電進行生產制造。
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