[導讀]整合元件廠(IDM)在金融海嘯后，輕晶圓廠(Fab-Lite)路線更確立，以往歐美IDM廠為臺系晶圓代工廠訂單主力，但近年來日本IDM廠釋單力道增強，尤其在先進制程動作最為積極，半導體業(yè)者預期，2011年日本IDM廠對臺釋單效應
整合元件廠(IDM)在金融海嘯后，輕晶圓廠(Fab-Lite)路線更確立，以往歐美IDM廠為臺系晶圓代工廠訂單主力，但近年來日本IDM廠釋單力道增強，尤其在先進制程動作最為積極，半導體業(yè)者預期，2011年日本IDM廠對臺釋單效應將更明顯，未來日本將與大陸共同成為臺系晶圓代工廠成長重要市場。
臺積電董事長張忠謀向來看好IDM廠委外趨勢，在第2季法說會中他特別指出，雖然2009年臺積電在大陸業(yè)務營收首度超越日本市場，但2010年臺積電在日本業(yè)務出現(xiàn)令人驚喜的巨大增長，因此，盡管大陸市場持續(xù)走強，但日本市場營收貢獻仍將占較大比重。
聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉指出，金融海嘯后IDM廠加大委外釋單力道，且在諸多領域都有看到IDM廠釋單。全球晶圓(GlobalFoundries)執(zhí)行長DouglasGrose則認為，為求生存與成長，愈來愈多IDM廠勢必將采行輕晶圓廠策略，外包趨勢將持續(xù)下去，代工廠必將受惠。
以臺積電來說，第2季來自日本地區(qū)營收比重由首季4%提升到5%，較2009年同期3%成長；至于第2季來自大陸地區(qū)營收比重為3%，較首季2%提升1個百分點，與2009年第2季持平。張忠謀亦強調，IDM委外趨勢將持續(xù)不衰，未來10年內幾乎所有IDM廠都將轉型成為無晶圓廠或極輕晶圓廠(FabVeryLite)，超越摩爾相關技術更是IDM廠委外最主要產(chǎn)品領域。
2010年以來日本IDM廠積極與臺系晶圓代工廠進行合作，包括瑞薩陸續(xù)關閉舊廠房，停止28奈米以下制程投資，并將28奈米以下制程芯片委由臺積電與全球晶圓生產(chǎn)。富士通(Fujitsu)則于2010年開始在臺積電生產(chǎn)40奈米芯片，并將與臺積電合作28奈米制程邏輯芯片。
不過，由于40奈米以下先進制程目前占整體晶圓代工產(chǎn)值仍不高，28奈米從2010年下半才開始進入量產(chǎn)，因此，日系IDM廠對晶圓代工廠釋單效應在2010年仍只是起步，業(yè)界預期到2011年將會有顯著成長。
大陸方面，隨著大陸IC設計業(yè)崛起，廠商家數(shù)不斷增加，技術實力提升，未來勢必將面臨先進制程生產(chǎn)考驗，中芯國際剛宣布量產(chǎn)65奈米制程，40奈米則要到2011年下半，而這些先進制程芯片設計，臺積電、聯(lián)電仍會是最大受惠者。因此，在日本與大陸成為成長雙引擎前提下，臺積電、聯(lián)電2010年大舉提高資本支出，有其必要性。
臺積電董事長張忠謀向來看好IDM廠委外趨勢，在第2季法說會中他特別指出，雖然2009年臺積電在大陸業(yè)務營收首度超越日本市場，但2010年臺積電在日本業(yè)務出現(xiàn)令人驚喜的巨大增長，因此，盡管大陸市場持續(xù)走強，但日本市場營收貢獻仍將占較大比重。
聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉指出，金融海嘯后IDM廠加大委外釋單力道，且在諸多領域都有看到IDM廠釋單。全球晶圓(GlobalFoundries)執(zhí)行長DouglasGrose則認為，為求生存與成長，愈來愈多IDM廠勢必將采行輕晶圓廠策略，外包趨勢將持續(xù)下去，代工廠必將受惠。
以臺積電來說，第2季來自日本地區(qū)營收比重由首季4%提升到5%，較2009年同期3%成長；至于第2季來自大陸地區(qū)營收比重為3%，較首季2%提升1個百分點，與2009年第2季持平。張忠謀亦強調，IDM委外趨勢將持續(xù)不衰，未來10年內幾乎所有IDM廠都將轉型成為無晶圓廠或極輕晶圓廠(FabVeryLite)，超越摩爾相關技術更是IDM廠委外最主要產(chǎn)品領域。
2010年以來日本IDM廠積極與臺系晶圓代工廠進行合作，包括瑞薩陸續(xù)關閉舊廠房，停止28奈米以下制程投資，并將28奈米以下制程芯片委由臺積電與全球晶圓生產(chǎn)。富士通(Fujitsu)則于2010年開始在臺積電生產(chǎn)40奈米芯片，并將與臺積電合作28奈米制程邏輯芯片。
不過，由于40奈米以下先進制程目前占整體晶圓代工產(chǎn)值仍不高，28奈米從2010年下半才開始進入量產(chǎn)，因此，日系IDM廠對晶圓代工廠釋單效應在2010年仍只是起步，業(yè)界預期到2011年將會有顯著成長。
大陸方面，隨著大陸IC設計業(yè)崛起，廠商家數(shù)不斷增加，技術實力提升，未來勢必將面臨先進制程生產(chǎn)考驗，中芯國際剛宣布量產(chǎn)65奈米制程，40奈米則要到2011年下半，而這些先進制程芯片設計，臺積電、聯(lián)電仍會是最大受惠者。因此，在日本與大陸成為成長雙引擎前提下，臺積電、聯(lián)電2010年大舉提高資本支出，有其必要性。
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