[導讀]雙鑲嵌、矽通孔(TSV)、微機電(MEMS)與太陽能等領域濕沉積技術的領先供應商Alchimer，宣布與歐洲研究機構(gòu)IMEC攜手進行一項合作研發(fā)計劃，為先進的奈米互連技術評估和實施銅(Cu)填充解決方案。該計劃的重點將是Alchime
雙鑲嵌、矽通孔(TSV)、微機電(MEMS)與太陽能等領域濕沉積技術的領先供應商Alchimer，宣布與歐洲研究機構(gòu)IMEC攜手進行一項合作研發(fā)計劃，為先進的奈米互連技術評估和實施銅(Cu)填充解決方案。該計劃的重點將是Alchimer的Electrografting(eG)產(chǎn)品系列，其已證明可在7nm節(jié)點裝置上實現(xiàn)無空隙填充，并允許在阻擋層上直接進行銅填充，且鑲嵌制程無需晶種層。
由于CMOS規(guī)模增加，使制程更加精細，因此市場要求銅鑲嵌要有更小的尺寸(<16/14nm)，采用薄阻擋層，以及薄銅晶種層，或無銅晶種層。填充制程必須沒有任何缺陷/空隙，以滿足可靠性規(guī)范，并實現(xiàn)高良率。傳統(tǒng)的物理氣相沉積(PVD)和化學氣相沉積(CVD)制程不能達到這些要求。Alchimer的濕沉積技術建立在分子構(gòu)建制程的基礎之上，突破了干沉積制程的局限性。
Alchimer的執(zhí)行長BrunoMorel表示：「我們相信，隨著產(chǎn)業(yè)發(fā)展到更小的技術節(jié)點，效能和成本將推動技術的采用。eG在先進鑲嵌應用領域的效能，包括20nm以下的單、雙鑲嵌，已經(jīng)在效能及持有成本兩方面均展現(xiàn)出廣闊前景。與IMEC合作讓我們能夠獲得巨大資源，藉此驗證我們在12寸晶圓制程的技術適宜性，并瞭解如何為18寸晶圓制程做好準備。」
該合作研發(fā)計劃(JDP)的目標是要獲得在22nm以下技術的12寸晶圓制程環(huán)境中，eG濕沉積制程的可靠性資料及電氣效能。作為此項JDP的一部分，兩間公司將對電鍍化學法實施評估，并努力確定12寸晶圓級先進鑲嵌電鍍應用的最佳制程條件。
eG填充允許在阻擋層上進行直接銅填充，而不再需要晶種層。此外，該技術還被證明能夠在7nm節(jié)點裝置上實現(xiàn)無空隙填充，以改善良率及效能?？傊?，它對終端影響很小，且均勻性優(yōu)異。Alchimer高度可擴展的濕沉積技術是滿足先進鑲嵌結(jié)構(gòu)市場需求的唯一解決方案，不僅如此，與傳統(tǒng)的干沉積制程相比，該技術還能降低25%至35%的持有成本。
這是透過盡量減少使用昂貴的PVD與CVD制程實現(xiàn)的，因為該制程可以在僅需最少改裝的傳統(tǒng)設備上實施。造成較低覆層及穩(wěn)定化學作用的超保形層可在使用前即期混合。
由于CMOS規(guī)模增加，使制程更加精細，因此市場要求銅鑲嵌要有更小的尺寸(<16/14nm)，采用薄阻擋層，以及薄銅晶種層，或無銅晶種層。填充制程必須沒有任何缺陷/空隙，以滿足可靠性規(guī)范，并實現(xiàn)高良率。傳統(tǒng)的物理氣相沉積(PVD)和化學氣相沉積(CVD)制程不能達到這些要求。Alchimer的濕沉積技術建立在分子構(gòu)建制程的基礎之上，突破了干沉積制程的局限性。
Alchimer的執(zhí)行長BrunoMorel表示：「我們相信，隨著產(chǎn)業(yè)發(fā)展到更小的技術節(jié)點，效能和成本將推動技術的采用。eG在先進鑲嵌應用領域的效能，包括20nm以下的單、雙鑲嵌，已經(jīng)在效能及持有成本兩方面均展現(xiàn)出廣闊前景。與IMEC合作讓我們能夠獲得巨大資源，藉此驗證我們在12寸晶圓制程的技術適宜性，并瞭解如何為18寸晶圓制程做好準備。」
該合作研發(fā)計劃(JDP)的目標是要獲得在22nm以下技術的12寸晶圓制程環(huán)境中，eG濕沉積制程的可靠性資料及電氣效能。作為此項JDP的一部分，兩間公司將對電鍍化學法實施評估，并努力確定12寸晶圓級先進鑲嵌電鍍應用的最佳制程條件。
eG填充允許在阻擋層上進行直接銅填充，而不再需要晶種層。此外，該技術還被證明能夠在7nm節(jié)點裝置上實現(xiàn)無空隙填充，以改善良率及效能?？傊?，它對終端影響很小，且均勻性優(yōu)異。Alchimer高度可擴展的濕沉積技術是滿足先進鑲嵌結(jié)構(gòu)市場需求的唯一解決方案，不僅如此，與傳統(tǒng)的干沉積制程相比，該技術還能降低25%至35%的持有成本。
這是透過盡量減少使用昂貴的PVD與CVD制程實現(xiàn)的，因為該制程可以在僅需最少改裝的傳統(tǒng)設備上實施。造成較低覆層及穩(wěn)定化學作用的超保形層可在使用前即期混合。
下載文檔
