半導(dǎo)體業(yè)難言探底 一線代工廠需求強(qiáng)勁
[導(dǎo)讀]時(shí)至年末，回顧今年的半導(dǎo)體業(yè)有點(diǎn)戲劇性變化，直至9月大部分市場(chǎng)調(diào)研公司尚認(rèn)為2012年可能會(huì)有5%的增長(zhǎng)。然而進(jìn)入10月以來，風(fēng)向偏離，開始有部分市場(chǎng)調(diào)研公司認(rèn)為可能會(huì)轉(zhuǎn)入負(fù)增長(zhǎng)，如Gartner于11月預(yù)測(cè)明年全球半
時(shí)至年末，回顧今年的半導(dǎo)體業(yè)有點(diǎn)戲劇性變化，直至9月大部分市場(chǎng)調(diào)研公司尚認(rèn)為2012年可能會(huì)有5%的增長(zhǎng)。然而進(jìn)入10月以來，風(fēng)向偏離，開始有部分市場(chǎng)調(diào)研公司認(rèn)為可能會(huì)轉(zhuǎn)入負(fù)增長(zhǎng)，如Gartner于11月預(yù)測(cè)明年全球半導(dǎo)體業(yè)將下降3%，為2980億美元。盡管目前半導(dǎo)體業(yè)還處于下降態(tài)勢(shì)，何時(shí)探底尚很難言。以下從投資預(yù)測(cè)、技術(shù)進(jìn)步及終端市場(chǎng)的需求等方面對(duì)增長(zhǎng)動(dòng)能進(jìn)行分析。
芯片制造設(shè)備投資有變
Gartner最新預(yù)測(cè)表明，2012年WFE銷售額達(dá)314億美元，同比下降13.3%。
SEMI于今年8月的最新預(yù)測(cè)表明，如不計(jì)分立器件，芯片制造設(shè)備投資為350億美元，相比2011年下降1.9%，但預(yù)測(cè)2013年可沖高達(dá)407億美元，增長(zhǎng)率達(dá)16.3%。但Gartner在10月時(shí)卻給出不同的結(jié)果，它認(rèn)為全球半導(dǎo)體前道設(shè)備銷售額2012年趨緩，并將延伸到2013年。Gartner的最新預(yù)測(cè)表明，2012年WFE銷售額達(dá)314億美元，相比2011年下降13.3%，而2013年再下降0.8%，為312億美元。
另外，從先期已公布的投資計(jì)劃看，臺(tái)積電已明確2013年投資將高過2012年的83億美元，可能接近100億美元。Globalfoundries計(jì)劃2013年再投資30億美元，幾乎與2012年的投資持平。另外英飛凌計(jì)劃2013年的投資由原先5億歐元下調(diào)為4億歐元，而它在2012年投資為8.9億歐元。
由于產(chǎn)能供過于求，三星亦下調(diào)資本支出預(yù)算，2012年其半導(dǎo)體事業(yè)資本支出將為12兆韓元，較原定15兆韓元縮減20%，與2011年相比也減少7.7%。三星原計(jì)劃在2012年6月開始動(dòng)工興建的Line17生產(chǎn)線，總投資2.25兆韓元，于2013年年底完工，2014年起投產(chǎn)，采用20nm及14nm制程。由于傳聞蘋果的20nmAP處理器訂單將轉(zhuǎn)給臺(tái)積電，因此該計(jì)劃已經(jīng)暫緩進(jìn)行。另外原計(jì)劃投資5兆韓元～6兆韓元在西安興建NAND閃存廠，由于產(chǎn)能供過于求等，計(jì)劃是否有變尚需后續(xù)觀察。
工藝制程進(jìn)步顯著
之前認(rèn)為14nm節(jié)點(diǎn)是個(gè)坎，如今相信英特爾在2013年時(shí)應(yīng)該有能力實(shí)現(xiàn)。
比利時(shí)微電子(IMEC)營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)LucVanDenHove指出，半導(dǎo)體工藝制程技術(shù)在90nm～65nm時(shí)是采用引變硅StrainedSi技術(shù)，在45nm～28nm時(shí)是采用HKMG技術(shù)，而到22nm以下一直到14nm制程時(shí)，則會(huì)轉(zhuǎn)至3D晶片F(xiàn)inFET技術(shù)。
按ITRS工藝路線圖顯示，2011年為22nm，2013年為14nm。到目前為止能夠聲言實(shí)現(xiàn)的僅英特爾一家，即2011年實(shí)現(xiàn)22nm制程工藝，真正量產(chǎn)要延后3～4個(gè)季度，因此英特爾的工藝制程技術(shù)領(lǐng)先全球2～3年，這與它大量投資研發(fā)有關(guān)。進(jìn)入21世紀(jì)以來，半導(dǎo)體制程技術(shù)的兩次革命性突破(2007年32nm的HKMG技術(shù)與2011年22nm的3DFinFET技術(shù))，均是由英特爾貢獻(xiàn)的，對(duì)于延伸摩爾定律又一個(gè)10年起了決定性的作用。另外，由于EUV技術(shù)的拖后，英特爾已公開表示將不惜增加成本，采用4次圖形曝光技術(shù)，加上浸入式光刻來實(shí)現(xiàn)14nm、甚至10nm節(jié)點(diǎn)。之前一直認(rèn)為14nm工藝節(jié)點(diǎn)是個(gè)坎，如今相信英特爾在2013年時(shí)應(yīng)該有能力實(shí)現(xiàn)。
從代工角度看，前段時(shí)期臺(tái)積電在28nm工藝節(jié)點(diǎn)時(shí)產(chǎn)能不足與良率問題已獲重大突破，據(jù)稱成品率已沖上90%以上，加上新增產(chǎn)能大量開出，因此臺(tái)積電開始提供客戶大量的waferbuy服務(wù)，協(xié)助客戶有效降低28nm芯片的成本。2013年其投片量均明顯較2012年大增30%～50%。臺(tái)積電已計(jì)劃2013年投入80億美元～85億美元擴(kuò)產(chǎn)。據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電計(jì)劃2012年年底開始20nm的試生產(chǎn)，2013年小批量生產(chǎn)。臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀還透露，臺(tái)積電的工藝路線圖在2013年11月試產(chǎn)16nm的FinFET結(jié)構(gòu)，然后2014年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。由此看出，它從20nm開始，采取務(wù)實(shí)的策略，先進(jìn)入過渡節(jié)點(diǎn)16nm，然后再真正進(jìn)入14nm。
Gartner認(rèn)為，2013年工藝制程向前推進(jìn)的趨勢(shì)由40/28nm制程轉(zhuǎn)向32/20nm；電源管理IC將從0.35微米轉(zhuǎn)換至0.13微米；CMOS圖像傳感器芯片從0.11微米轉(zhuǎn)向65nm；LCD驅(qū)動(dòng)IC從0.13微米轉(zhuǎn)至90nm。顯然由于32/20nm工藝制程與掩膜成本過高，近期fabless產(chǎn)品向32/20nm過渡的品種與數(shù)量不會(huì)劇增，所以一線代工廠除了臺(tái)積電外，其他如Globalfoundries等的產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃在2013年有減緩的趨勢(shì)。
終端電子產(chǎn)品市場(chǎng)有亮點(diǎn)
手機(jī)與平板電腦增勢(shì)明顯，成為帶動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)增長(zhǎng)的基礎(chǔ)。
手機(jī)與平板電腦是明年半導(dǎo)體業(yè)增長(zhǎng)的基礎(chǔ)，僅從手機(jī)與平板電腦（Tablet）看，全球手機(jī)出貨量2012年將達(dá)16.9億部，2013年預(yù)測(cè)可達(dá)18.1億部，增長(zhǎng)率達(dá)7.3%。平板電腦的出貨量2012年將達(dá)1.23億臺(tái)，同比增長(zhǎng)67%，而2013年為1.70億臺(tái)，增長(zhǎng)率為39.3%。
代工業(yè)如日中天
無晶圓廠模式愈發(fā)成功，未來幾年一線IC代工廠先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)能需求強(qiáng)勁。
在眾多頂級(jí)IDM廠擁抱fablite（輕晶圓）策略、減緩?fù)顿Y之際，給全球代工廠帶來了更多的訂單。從近期ICInsight公布的2012全球前20大芯片制造商排名預(yù)測(cè)看出，增長(zhǎng)率較快的是3家純晶圓代工廠。值得注意的是，預(yù)計(jì)這3家代工廠營(yíng)收同比2011年平均增長(zhǎng)16%，相對(duì)于全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將衰退2%而言，這實(shí)在是令人印象深刻。隨著無晶圓廠fabless模式越來越成功，ICInsights預(yù)計(jì)未來幾年對(duì)于一線IC代工廠先進(jìn)技術(shù)的產(chǎn)能需求將極為強(qiáng)勁。
據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司IHSiSuppli于2012年4月的預(yù)測(cè)表明，全球純代工市場(chǎng)規(guī)模2011年為265億美元，增長(zhǎng)3.1%;預(yù)測(cè)2012年為296億美元，增長(zhǎng)12%;2013年預(yù)測(cè)為336億美元，增長(zhǎng)14%。IHSiSuppli在6月預(yù)測(cè)，全球代工占芯片制造的產(chǎn)能比重由2005年占15.8%，提升到2015年的24.2%。
芯片制造設(shè)備投資有變
Gartner最新預(yù)測(cè)表明，2012年WFE銷售額達(dá)314億美元，同比下降13.3%。
SEMI于今年8月的最新預(yù)測(cè)表明，如不計(jì)分立器件，芯片制造設(shè)備投資為350億美元，相比2011年下降1.9%，但預(yù)測(cè)2013年可沖高達(dá)407億美元，增長(zhǎng)率達(dá)16.3%。但Gartner在10月時(shí)卻給出不同的結(jié)果，它認(rèn)為全球半導(dǎo)體前道設(shè)備銷售額2012年趨緩，并將延伸到2013年。Gartner的最新預(yù)測(cè)表明，2012年WFE銷售額達(dá)314億美元，相比2011年下降13.3%，而2013年再下降0.8%，為312億美元。
另外，從先期已公布的投資計(jì)劃看，臺(tái)積電已明確2013年投資將高過2012年的83億美元，可能接近100億美元。Globalfoundries計(jì)劃2013年再投資30億美元，幾乎與2012年的投資持平。另外英飛凌計(jì)劃2013年的投資由原先5億歐元下調(diào)為4億歐元，而它在2012年投資為8.9億歐元。
由于產(chǎn)能供過于求，三星亦下調(diào)資本支出預(yù)算，2012年其半導(dǎo)體事業(yè)資本支出將為12兆韓元，較原定15兆韓元縮減20%，與2011年相比也減少7.7%。三星原計(jì)劃在2012年6月開始動(dòng)工興建的Line17生產(chǎn)線，總投資2.25兆韓元，于2013年年底完工，2014年起投產(chǎn)，采用20nm及14nm制程。由于傳聞蘋果的20nmAP處理器訂單將轉(zhuǎn)給臺(tái)積電，因此該計(jì)劃已經(jīng)暫緩進(jìn)行。另外原計(jì)劃投資5兆韓元～6兆韓元在西安興建NAND閃存廠，由于產(chǎn)能供過于求等，計(jì)劃是否有變尚需后續(xù)觀察。
工藝制程進(jìn)步顯著
之前認(rèn)為14nm節(jié)點(diǎn)是個(gè)坎，如今相信英特爾在2013年時(shí)應(yīng)該有能力實(shí)現(xiàn)。
比利時(shí)微電子(IMEC)營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)LucVanDenHove指出，半導(dǎo)體工藝制程技術(shù)在90nm～65nm時(shí)是采用引變硅StrainedSi技術(shù)，在45nm～28nm時(shí)是采用HKMG技術(shù)，而到22nm以下一直到14nm制程時(shí)，則會(huì)轉(zhuǎn)至3D晶片F(xiàn)inFET技術(shù)。
按ITRS工藝路線圖顯示，2011年為22nm，2013年為14nm。到目前為止能夠聲言實(shí)現(xiàn)的僅英特爾一家，即2011年實(shí)現(xiàn)22nm制程工藝，真正量產(chǎn)要延后3～4個(gè)季度，因此英特爾的工藝制程技術(shù)領(lǐng)先全球2～3年，這與它大量投資研發(fā)有關(guān)。進(jìn)入21世紀(jì)以來，半導(dǎo)體制程技術(shù)的兩次革命性突破(2007年32nm的HKMG技術(shù)與2011年22nm的3DFinFET技術(shù))，均是由英特爾貢獻(xiàn)的，對(duì)于延伸摩爾定律又一個(gè)10年起了決定性的作用。另外，由于EUV技術(shù)的拖后，英特爾已公開表示將不惜增加成本，采用4次圖形曝光技術(shù)，加上浸入式光刻來實(shí)現(xiàn)14nm、甚至10nm節(jié)點(diǎn)。之前一直認(rèn)為14nm工藝節(jié)點(diǎn)是個(gè)坎，如今相信英特爾在2013年時(shí)應(yīng)該有能力實(shí)現(xiàn)。
從代工角度看，前段時(shí)期臺(tái)積電在28nm工藝節(jié)點(diǎn)時(shí)產(chǎn)能不足與良率問題已獲重大突破，據(jù)稱成品率已沖上90%以上，加上新增產(chǎn)能大量開出，因此臺(tái)積電開始提供客戶大量的waferbuy服務(wù)，協(xié)助客戶有效降低28nm芯片的成本。2013年其投片量均明顯較2012年大增30%～50%。臺(tái)積電已計(jì)劃2013年投入80億美元～85億美元擴(kuò)產(chǎn)。據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電計(jì)劃2012年年底開始20nm的試生產(chǎn)，2013年小批量生產(chǎn)。臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀還透露，臺(tái)積電的工藝路線圖在2013年11月試產(chǎn)16nm的FinFET結(jié)構(gòu)，然后2014年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。由此看出，它從20nm開始，采取務(wù)實(shí)的策略，先進(jìn)入過渡節(jié)點(diǎn)16nm，然后再真正進(jìn)入14nm。
Gartner認(rèn)為，2013年工藝制程向前推進(jìn)的趨勢(shì)由40/28nm制程轉(zhuǎn)向32/20nm；電源管理IC將從0.35微米轉(zhuǎn)換至0.13微米；CMOS圖像傳感器芯片從0.11微米轉(zhuǎn)向65nm；LCD驅(qū)動(dòng)IC從0.13微米轉(zhuǎn)至90nm。顯然由于32/20nm工藝制程與掩膜成本過高，近期fabless產(chǎn)品向32/20nm過渡的品種與數(shù)量不會(huì)劇增，所以一線代工廠除了臺(tái)積電外，其他如Globalfoundries等的產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃在2013年有減緩的趨勢(shì)。
終端電子產(chǎn)品市場(chǎng)有亮點(diǎn)
手機(jī)與平板電腦增勢(shì)明顯，成為帶動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)增長(zhǎng)的基礎(chǔ)。
手機(jī)與平板電腦是明年半導(dǎo)體業(yè)增長(zhǎng)的基礎(chǔ)，僅從手機(jī)與平板電腦（Tablet）看，全球手機(jī)出貨量2012年將達(dá)16.9億部，2013年預(yù)測(cè)可達(dá)18.1億部，增長(zhǎng)率達(dá)7.3%。平板電腦的出貨量2012年將達(dá)1.23億臺(tái)，同比增長(zhǎng)67%，而2013年為1.70億臺(tái)，增長(zhǎng)率為39.3%。
代工業(yè)如日中天
無晶圓廠模式愈發(fā)成功，未來幾年一線IC代工廠先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)能需求強(qiáng)勁。
在眾多頂級(jí)IDM廠擁抱fablite（輕晶圓）策略、減緩?fù)顿Y之際，給全球代工廠帶來了更多的訂單。從近期ICInsight公布的2012全球前20大芯片制造商排名預(yù)測(cè)看出，增長(zhǎng)率較快的是3家純晶圓代工廠。值得注意的是，預(yù)計(jì)這3家代工廠營(yíng)收同比2011年平均增長(zhǎng)16%，相對(duì)于全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將衰退2%而言，這實(shí)在是令人印象深刻。隨著無晶圓廠fabless模式越來越成功，ICInsights預(yù)計(jì)未來幾年對(duì)于一線IC代工廠先進(jìn)技術(shù)的產(chǎn)能需求將極為強(qiáng)勁。
據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司IHSiSuppli于2012年4月的預(yù)測(cè)表明，全球純代工市場(chǎng)規(guī)模2011年為265億美元，增長(zhǎng)3.1%;預(yù)測(cè)2012年為296億美元，增長(zhǎng)12%;2013年預(yù)測(cè)為336億美元，增長(zhǎng)14%。IHSiSuppli在6月預(yù)測(cè)，全球代工占芯片制造的產(chǎn)能比重由2005年占15.8%，提升到2015年的24.2%。
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