瑞薩與臺(tái)積電聯(lián)手開(kāi)發(fā)40nm閃存混載技術(shù)，MCU業(yè)務(wù)外包加速
[導(dǎo)讀]繼長(zhǎng)期虧損的SoC之后，瑞薩又加快了利潤(rùn)最高的MCU的外包制造。該公司于2012年5月宣布，將與臺(tái)積電（TSMC）合作開(kāi)發(fā)40nm工藝的閃存混載MCU制造技術(shù)，并委托臺(tái)積電生產(chǎn)（圖1）。車(chē)載MCU也將成為外包對(duì)象。瑞薩表示，到
繼長(zhǎng)期虧損的SoC之后，瑞薩又加快了利潤(rùn)最高的MCU的外包制造。該公司于2012年5月宣布，將與臺(tái)積電（TSMC）合作開(kāi)發(fā)40nm工藝的閃存混載MCU制造技術(shù)，并委托臺(tái)積電生產(chǎn)（圖1）。車(chē)載MCU也將成為外包對(duì)象。瑞薩表示，到2016年度將把半導(dǎo)體整體的外包生產(chǎn)比例由2011年度的15％提高到30％。
日本國(guó)內(nèi)工廠進(jìn)一步空洞化？
雖然日本企業(yè)的SoC業(yè)務(wù)相繼出現(xiàn)因承受不了巨額設(shè)備投資而轉(zhuǎn)為外包的情況，但要求高品質(zhì)的車(chē)載MCU等以前一直被認(rèn)為難以實(shí)施外包生產(chǎn)。“情況因東日本大地震而發(fā)生了變化”（巖元）。瑞薩生產(chǎn)MCU的主力工廠——那珂工廠受災(zāi)，產(chǎn)品供應(yīng)欠賬的情況持續(xù)了大約半年。結(jié)果，“以汽車(chē)廠商為首的很多客戶要求不僅在日本國(guó)內(nèi)生產(chǎn)，還要在海外進(jìn)行多元化生產(chǎn)”（巖元）。
地震以后，瑞薩就針對(duì)200mm晶圓生產(chǎn)線生產(chǎn)的0.15μm工藝以前的MCU，構(gòu)建能由美國(guó)GLOBALFOUNDRIES公司多元化生產(chǎn)的體制。2011年底，瑞薩決定將300mm晶圓生產(chǎn)線生產(chǎn)的90nm工藝閃存混載MCU委托給臺(tái)積電生產(chǎn)。此次進(jìn)一步就40nm工藝產(chǎn)品與臺(tái)積電展開(kāi)合作。由臺(tái)積電生產(chǎn)的MCU的供貨時(shí)間方面，90nm工藝產(chǎn)品為2013年度，40nm工藝產(chǎn)品為2014年度。
由此可見(jiàn)，瑞薩與臺(tái)積電合作是為了實(shí)現(xiàn)多元化生產(chǎn)，瑞薩還將繼續(xù)堅(jiān)持自主生產(chǎn)。90nm工藝產(chǎn)品將在鶴岡工廠生產(chǎn)，40nm工藝產(chǎn)品將在那珂工廠生產(chǎn)。不過(guò)，可以認(rèn)為半導(dǎo)體外包生產(chǎn)完全有可能以此為契機(jī)進(jìn)一步加快步伐。如果要求高品質(zhì)的車(chē)載MCU等產(chǎn)品也能夠外包生產(chǎn)，那么在更多的半導(dǎo)體產(chǎn)品上利用低成本的代工企業(yè)將成為一種趨勢(shì)。今后，日本國(guó)內(nèi)工廠有可能進(jìn)一步空洞化。
另外，部分報(bào)道稱(chēng)瑞薩將把鶴岡工廠出售給臺(tái)積電，瑞薩對(duì)此不予置評(píng)。
目的在于制造技術(shù)的授權(quán)
瑞薩與臺(tái)積電合作的目的還在于將已在MCU業(yè)務(wù)中構(gòu)建的生態(tài)系統(tǒng)擴(kuò)展到SoC領(lǐng)域（圖2）。瑞薩2011年的MCU市場(chǎng)份額為27％，車(chē)載MCU的份額高達(dá)42％，已經(jīng)建立了軟件開(kāi)發(fā)環(huán)境等生態(tài)系統(tǒng)。但瑞薩對(duì)SoC設(shè)計(jì)環(huán)境的影響力不是很高。因?yàn)镾oC的設(shè)計(jì)環(huán)境大多不是以瑞薩的制造技術(shù)為前提，而是以TSMC等代工企業(yè)的制造技術(shù)為前提構(gòu)建的。
因此，此次合作將把40nm工藝閃存混載技術(shù)作為臺(tái)積電制造技術(shù)的菜單之一（圖3）。基礎(chǔ)的CMOS技術(shù)將使用臺(tái)積電的40nm工藝技術(shù)，在此基礎(chǔ)上追加瑞薩自主的SG-MONOS（split-gatemetal-oxide-nitride-oxide-silicon）型閃存混載技術(shù)。如果該制造技術(shù)能夠被臺(tái)積電的客戶廣泛使用，瑞薩很可能還能獲得SG-MONOS技術(shù)的授權(quán)收入。
日本國(guó)內(nèi)工廠進(jìn)一步空洞化？
雖然日本企業(yè)的SoC業(yè)務(wù)相繼出現(xiàn)因承受不了巨額設(shè)備投資而轉(zhuǎn)為外包的情況，但要求高品質(zhì)的車(chē)載MCU等以前一直被認(rèn)為難以實(shí)施外包生產(chǎn)。“情況因東日本大地震而發(fā)生了變化”（巖元）。瑞薩生產(chǎn)MCU的主力工廠——那珂工廠受災(zāi)，產(chǎn)品供應(yīng)欠賬的情況持續(xù)了大約半年。結(jié)果，“以汽車(chē)廠商為首的很多客戶要求不僅在日本國(guó)內(nèi)生產(chǎn)，還要在海外進(jìn)行多元化生產(chǎn)”（巖元）。
地震以后，瑞薩就針對(duì)200mm晶圓生產(chǎn)線生產(chǎn)的0.15μm工藝以前的MCU，構(gòu)建能由美國(guó)GLOBALFOUNDRIES公司多元化生產(chǎn)的體制。2011年底，瑞薩決定將300mm晶圓生產(chǎn)線生產(chǎn)的90nm工藝閃存混載MCU委托給臺(tái)積電生產(chǎn)。此次進(jìn)一步就40nm工藝產(chǎn)品與臺(tái)積電展開(kāi)合作。由臺(tái)積電生產(chǎn)的MCU的供貨時(shí)間方面，90nm工藝產(chǎn)品為2013年度，40nm工藝產(chǎn)品為2014年度。
由此可見(jiàn)，瑞薩與臺(tái)積電合作是為了實(shí)現(xiàn)多元化生產(chǎn)，瑞薩還將繼續(xù)堅(jiān)持自主生產(chǎn)。90nm工藝產(chǎn)品將在鶴岡工廠生產(chǎn)，40nm工藝產(chǎn)品將在那珂工廠生產(chǎn)。不過(guò)，可以認(rèn)為半導(dǎo)體外包生產(chǎn)完全有可能以此為契機(jī)進(jìn)一步加快步伐。如果要求高品質(zhì)的車(chē)載MCU等產(chǎn)品也能夠外包生產(chǎn)，那么在更多的半導(dǎo)體產(chǎn)品上利用低成本的代工企業(yè)將成為一種趨勢(shì)。今后，日本國(guó)內(nèi)工廠有可能進(jìn)一步空洞化。
另外，部分報(bào)道稱(chēng)瑞薩將把鶴岡工廠出售給臺(tái)積電，瑞薩對(duì)此不予置評(píng)。
目的在于制造技術(shù)的授權(quán)
瑞薩與臺(tái)積電合作的目的還在于將已在MCU業(yè)務(wù)中構(gòu)建的生態(tài)系統(tǒng)擴(kuò)展到SoC領(lǐng)域（圖2）。瑞薩2011年的MCU市場(chǎng)份額為27％，車(chē)載MCU的份額高達(dá)42％，已經(jīng)建立了軟件開(kāi)發(fā)環(huán)境等生態(tài)系統(tǒng)。但瑞薩對(duì)SoC設(shè)計(jì)環(huán)境的影響力不是很高。因?yàn)镾oC的設(shè)計(jì)環(huán)境大多不是以瑞薩的制造技術(shù)為前提，而是以TSMC等代工企業(yè)的制造技術(shù)為前提構(gòu)建的。
因此，此次合作將把40nm工藝閃存混載技術(shù)作為臺(tái)積電制造技術(shù)的菜單之一（圖3）。基礎(chǔ)的CMOS技術(shù)將使用臺(tái)積電的40nm工藝技術(shù)，在此基礎(chǔ)上追加瑞薩自主的SG-MONOS（split-gatemetal-oxide-nitride-oxide-silicon）型閃存混載技術(shù)。如果該制造技術(shù)能夠被臺(tái)積電的客戶廣泛使用，瑞薩很可能還能獲得SG-MONOS技術(shù)的授權(quán)收入。
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