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[導(dǎo)讀]在日本,硅通孔(TSV:ThroughSiliconVia)技術(shù)從10多年前開始就備受業(yè)界關(guān)注。比如,日本超尖端電子技術(shù)開發(fā)機構(gòu)(ASET)從1999年度起就在通過名為“超高密度電子SI”的研究項目推進TSV相關(guān)開發(fā)。2008年東芝在全球率

在日本,硅通孔(TSV:ThroughSiliconVia)技術(shù)從10多年前開始就備受業(yè)界關(guān)注。比如,日本超尖端電子技術(shù)開發(fā)機構(gòu)(ASET)從1999年度起就在通過名為“超高密度電子SI”的研究項目推進TSV相關(guān)開發(fā)。2008年東芝在全球率先開始量產(chǎn)憑借TSV實現(xiàn)小型化的CMOS圖像傳感器。

如上所述,在TSV技術(shù)研發(fā)方面,最初是日本走在了前面,但之后,TSV的用途并沒有多大的擴展,在演講會及研討會上,也傳出了“紙上談兵”這種諷刺之聲?,F(xiàn)在,TSV技術(shù)終于迎來了全面實用期。使用基于TSV的硅轉(zhuǎn)接板的FPGA已開始量產(chǎn),支持高速且低耗電化WideI/ODRAM的基于TSV的應(yīng)用處理器也將于2013~2014年開始量產(chǎn)。

但是,推動這些基于TSV的LSI產(chǎn)品的,主要是海外廠商。這些海外廠商包括:從事手機SoC業(yè)務(wù)的美國高通(Qualcomm)、從事FPGA生產(chǎn)的美國賽靈思(Xilinx)和美國阿爾特拉(Altera)、從事微處理器業(yè)務(wù)的美國IBM、從事硅代工業(yè)務(wù)的臺積電(TSMC)、從事后工序代工業(yè)務(wù)(OSAT)的美國安可科技(AmkorTechnology)和新加坡STATSChipPAC等。而在日本國內(nèi),雖然曾有爾必達存儲器堅持不懈地開發(fā)使用TSV的WideI/ODRAM,但該公司卻于2012年2月宣布破產(chǎn)。甚至有某設(shè)備廠商指出,“日本的TSV要落后世界潮流1~2周”。

雖說如此,TSV技術(shù)也不會從日本消失。比如,東芝就打算在NAND閃存中應(yīng)用在CMOS圖像傳感器的量產(chǎn)中培育起來的,名為“背面通孔(BacksideVia)”的低成本TSV技術(shù)。而且,旭硝子也開發(fā)出了成本有望比硅轉(zhuǎn)接板降低一位數(shù)的玻璃轉(zhuǎn)接板微細加工技術(shù)。此外,以長年從事三維LSI研究的日本東北大學教授,日本未來科學技術(shù)共同研究小心的小柳光正為中心的研究小組,目前正在日本宮城縣多賀城市的“宮城復(fù)興工業(yè)園”內(nèi)建設(shè)可處理300mm晶圓的三維LSI試制生產(chǎn)線,預(yù)定2013年3月完工。因此,日本廠商今后有望在TSV技術(shù)的研發(fā)方面再現(xiàn)輝煌。
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