爾必達(dá)技術(shù)宣言緊咬三星 20納米世代量產(chǎn)時(shí)間拉近
[導(dǎo)讀]爾必達(dá)(Elpida)曾在2011年第2季中因?yàn)閾屜刃汲晒﹂_(kāi)發(fā)25納米制程DRAM芯片，差點(diǎn)與一向技術(shù)領(lǐng)先的三星電子(SamsungElectronics)擦槍走火！三星半導(dǎo)體事業(yè)部社長(zhǎng)權(quán)五鉉曾表示，爾必達(dá)25納米DRAM是否能量產(chǎn)要再觀察；巧
爾必達(dá)(Elpida)曾在2011年第2季中因?yàn)閾屜刃汲晒﹂_(kāi)發(fā)25納米制程DRAM芯片，差點(diǎn)與一向技術(shù)領(lǐng)先的三星電子(SamsungElectronics)擦槍走火！三星半導(dǎo)體事業(yè)部社長(zhǎng)權(quán)五鉉曾表示，爾必達(dá)25納米DRAM是否能量產(chǎn)要再觀察；巧合的是，三星22日公開(kāi)宣布20納米DDR3正式量產(chǎn)后，爾必達(dá)晚間立刻公布其25納米4GbDDR3將會(huì)于年底量產(chǎn)，頗有互相叫陣的意味。
在全球4大DRAM陣營(yíng)中，三星受惠于2008年底全球金融風(fēng)暴所造成的奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)倒閉和臺(tái)廠勢(shì)力削弱，市占率一舉站上40%大關(guān)。而制程技術(shù)上，三星一向都是領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一個(gè)世代，至少1年以上的技術(shù)差距，但偏偏遇上不甘示弱的爾必達(dá)，在2011年以來(lái)，雙方常為了制程技術(shù)的宣示時(shí)間點(diǎn)而擦槍走火。
2011年中，爾必達(dá)表示其25納米制程開(kāi)發(fā)完成，也大張旗鼓的對(duì)外宣布，曾引發(fā)三星不滿，因?yàn)橥饨缫欢纫詾槿堑闹瞥碳夹g(shù)落后爾必達(dá)，當(dāng)時(shí)權(quán)五鉉表示，當(dāng)爾必達(dá)生產(chǎn)50納米DRAM時(shí)，三星已經(jīng)在生產(chǎn)40納米和35納米產(chǎn)品，雖然2009年?duì)柋剡_(dá)也宣布成功開(kāi)發(fā)40納米產(chǎn)品，但似乎并未在市面上大量見(jiàn)到，然三星一直以來(lái)的作法，都是「成功開(kāi)發(fā)」和「量產(chǎn)」宣言同時(shí)發(fā)布。
三星繼表態(tài)不減產(chǎn)后，22日更宣布新12吋晶圓廠Line-16開(kāi)始運(yùn)作，將生產(chǎn)NANDFlash芯片，更宣示其20納米制程的DDR3已開(kāi)始量產(chǎn)。
業(yè)界認(rèn)為，三星此一宣言，讓臺(tái)廠與三星之間的技術(shù)制程差距，由過(guò)去的1~1.5個(gè)世代距離，拉鋸到2個(gè)世代甚至超過(guò)，對(duì)比臺(tái)廠中除了瑞晶已全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)40納米，且目前25%產(chǎn)能已開(kāi)始轉(zhuǎn)進(jìn)30納米外，其他如南亞科、華亞科、力晶等，都正處于轉(zhuǎn)進(jìn)40納米的過(guò)程，然三星卻一舉跳到20納米制程，讓臺(tái)廠再度覺(jué)得很受傷。
不過(guò)業(yè)界也認(rèn)為，三星的20納米要真正見(jiàn)到大量，至少也要到2012年，產(chǎn)能不可能一下子全轉(zhuǎn)到20納米制程。
然有趣的是，三星20納米制程量產(chǎn)一宣布，爾必達(dá)馬上搶在晚間公布25納米制程4GbDDR3也預(yù)計(jì)會(huì)在12月開(kāi)始試產(chǎn)，并同時(shí)量產(chǎn)出貨，爾必達(dá)公布的時(shí)間點(diǎn)如此之亦步亦趨，頗有與三星一較高下的意味。
業(yè)界認(rèn)為，新制程技術(shù)的公布試產(chǎn)和量產(chǎn)，與真正大量出貨的時(shí)間點(diǎn)仍是會(huì)有落差，但其中技術(shù)宣示的意味就顯得相當(dāng)重要。
業(yè)界進(jìn)一步分析，爾必達(dá)有別于一般日系業(yè)者保守作風(fēng)，近期在戰(zhàn)術(shù)策略上常常是緊咬龍頭三星，雖然業(yè)界都了解其實(shí)三星的制程仍是處于較領(lǐng)先的地位，但面對(duì)爾必達(dá)如此積極地的戰(zhàn)略宣示，看在業(yè)界眼里則是格外有趣，反觀全球二哥海力士(Hynix)則是靜悄悄，而美光(Micron)近期似乎對(duì)于NANDFlash市場(chǎng)著墨較多，三星與爾必達(dá)的叫陣，反而意外擦出火花。
在全球4大DRAM陣營(yíng)中，三星受惠于2008年底全球金融風(fēng)暴所造成的奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)倒閉和臺(tái)廠勢(shì)力削弱，市占率一舉站上40%大關(guān)。而制程技術(shù)上，三星一向都是領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一個(gè)世代，至少1年以上的技術(shù)差距，但偏偏遇上不甘示弱的爾必達(dá)，在2011年以來(lái)，雙方常為了制程技術(shù)的宣示時(shí)間點(diǎn)而擦槍走火。
2011年中，爾必達(dá)表示其25納米制程開(kāi)發(fā)完成，也大張旗鼓的對(duì)外宣布，曾引發(fā)三星不滿，因?yàn)橥饨缫欢纫詾槿堑闹瞥碳夹g(shù)落后爾必達(dá)，當(dāng)時(shí)權(quán)五鉉表示，當(dāng)爾必達(dá)生產(chǎn)50納米DRAM時(shí)，三星已經(jīng)在生產(chǎn)40納米和35納米產(chǎn)品，雖然2009年?duì)柋剡_(dá)也宣布成功開(kāi)發(fā)40納米產(chǎn)品，但似乎并未在市面上大量見(jiàn)到，然三星一直以來(lái)的作法，都是「成功開(kāi)發(fā)」和「量產(chǎn)」宣言同時(shí)發(fā)布。
三星繼表態(tài)不減產(chǎn)后，22日更宣布新12吋晶圓廠Line-16開(kāi)始運(yùn)作，將生產(chǎn)NANDFlash芯片，更宣示其20納米制程的DDR3已開(kāi)始量產(chǎn)。
業(yè)界認(rèn)為，三星此一宣言，讓臺(tái)廠與三星之間的技術(shù)制程差距，由過(guò)去的1~1.5個(gè)世代距離，拉鋸到2個(gè)世代甚至超過(guò)，對(duì)比臺(tái)廠中除了瑞晶已全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)40納米，且目前25%產(chǎn)能已開(kāi)始轉(zhuǎn)進(jìn)30納米外，其他如南亞科、華亞科、力晶等，都正處于轉(zhuǎn)進(jìn)40納米的過(guò)程，然三星卻一舉跳到20納米制程，讓臺(tái)廠再度覺(jué)得很受傷。
不過(guò)業(yè)界也認(rèn)為，三星的20納米要真正見(jiàn)到大量，至少也要到2012年，產(chǎn)能不可能一下子全轉(zhuǎn)到20納米制程。
然有趣的是，三星20納米制程量產(chǎn)一宣布，爾必達(dá)馬上搶在晚間公布25納米制程4GbDDR3也預(yù)計(jì)會(huì)在12月開(kāi)始試產(chǎn)，并同時(shí)量產(chǎn)出貨，爾必達(dá)公布的時(shí)間點(diǎn)如此之亦步亦趨，頗有與三星一較高下的意味。
業(yè)界認(rèn)為，新制程技術(shù)的公布試產(chǎn)和量產(chǎn)，與真正大量出貨的時(shí)間點(diǎn)仍是會(huì)有落差，但其中技術(shù)宣示的意味就顯得相當(dāng)重要。
業(yè)界進(jìn)一步分析，爾必達(dá)有別于一般日系業(yè)者保守作風(fēng)，近期在戰(zhàn)術(shù)策略上常常是緊咬龍頭三星，雖然業(yè)界都了解其實(shí)三星的制程仍是處于較領(lǐng)先的地位，但面對(duì)爾必達(dá)如此積極地的戰(zhàn)略宣示，看在業(yè)界眼里則是格外有趣，反觀全球二哥海力士(Hynix)則是靜悄悄，而美光(Micron)近期似乎對(duì)于NANDFlash市場(chǎng)著墨較多，三星與爾必達(dá)的叫陣，反而意外擦出火花。
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