[導讀]DRAM合約價再度喊漲成功，雖然5月上半漲幅僅2~3%，但傳出三星電子(SamsungElectronics)成功將2GBDDR3模塊價格拉升至19美元，成為這次拉升合約價主要推手，次要因素則是近期傳出海力士(Hynix)和爾必達(Elpida)40納米制
DRAM合約價再度喊漲成功，雖然5月上半漲幅僅2~3%，但傳出三星電子(SamsungElectronics)成功將2GBDDR3模塊價格拉升至19美元，成為這次拉升合約價主要推手，次要因素則是近期傳出海力士(Hynix)和爾必達(Elpida)40納米制程良率不順和設計問題，導致合約市場持續(xù)供給吃緊。不過，現(xiàn)貨市場需求卻再降溫，現(xiàn)貨和合約價格差距幅度逼近15％，是過去相當少見差距。
2011年以來DRAM合約和現(xiàn)貨市場價格背離現(xiàn)象愈益嚴重，自從日本311大地震后，合約市場供需更吃緊，但現(xiàn)貨市場需求持續(xù)低迷，隨著5月DRAM合約再度成功調漲，2GBDDR3模塊價格平均為18.75美元，最高價來到19美元，換算2GbDDR3芯片為2.1美元，相較現(xiàn)貨價格僅1.8美元，價差約15％。
5月合約價成功調漲推手是三星，2GBDDR3模塊19美元高價，亦是三星祭出的價格，多數PCOEM廠都接受此價格，主因在于品牌DRAM大廠貨源吃緊。存儲器業(yè)者表示，DRAM廠進入40納米制程后，技術門檻越來越難跨過，雖然這次爾必達被點名40納米良率不順，但不是良率真有多大問題，而是無法達到過去制程高良率水平，而海力士40納米則被點名是設計問題。
由于能供給PCOEM廠DRAM貨源大幅減少，加上日本強震后，PCOEM廠原本就擔心會有短缺問題，且原本庫存用到4、5月左右，本來就預定是需要回補時候，偏偏此時遇到40納米技術障礙，使得合約價格有了推升誘因。
反觀現(xiàn)貨市場，下游客戶反應冷到極點，且過去現(xiàn)貨和合約價格有一個先動，另一個都不會脫勾太久，但這次合約價一直往前沖，現(xiàn)貨價卻不動如山，兩者價差已達15％，是過去少見情況。模塊廠指出，目前出廠的計算機都是內建4GB模塊起跳，消費者根本不需要再去零售市場買模塊升級，現(xiàn)貨市場萎縮可能會是常態(tài)，但DRAM廠生意則會持續(xù)加溫。
另外，原為現(xiàn)貨市場霸主的力晶退出第1線品牌銷售后，現(xiàn)貨市場光芒頓時失色許多，雖然由爾必達接手原本力晶業(yè)務，但目前現(xiàn)貨市場流通貨源相當有限，亦是價格無法提升因素之一。
2011年以來DRAM合約和現(xiàn)貨市場價格背離現(xiàn)象愈益嚴重，自從日本311大地震后，合約市場供需更吃緊，但現(xiàn)貨市場需求持續(xù)低迷，隨著5月DRAM合約再度成功調漲，2GBDDR3模塊價格平均為18.75美元，最高價來到19美元，換算2GbDDR3芯片為2.1美元，相較現(xiàn)貨價格僅1.8美元，價差約15％。
5月合約價成功調漲推手是三星，2GBDDR3模塊19美元高價，亦是三星祭出的價格，多數PCOEM廠都接受此價格，主因在于品牌DRAM大廠貨源吃緊。存儲器業(yè)者表示，DRAM廠進入40納米制程后，技術門檻越來越難跨過，雖然這次爾必達被點名40納米良率不順，但不是良率真有多大問題，而是無法達到過去制程高良率水平，而海力士40納米則被點名是設計問題。
由于能供給PCOEM廠DRAM貨源大幅減少，加上日本強震后，PCOEM廠原本就擔心會有短缺問題，且原本庫存用到4、5月左右，本來就預定是需要回補時候，偏偏此時遇到40納米技術障礙，使得合約價格有了推升誘因。
反觀現(xiàn)貨市場，下游客戶反應冷到極點，且過去現(xiàn)貨和合約價格有一個先動，另一個都不會脫勾太久，但這次合約價一直往前沖，現(xiàn)貨價卻不動如山，兩者價差已達15％，是過去少見情況。模塊廠指出，目前出廠的計算機都是內建4GB模塊起跳，消費者根本不需要再去零售市場買模塊升級，現(xiàn)貨市場萎縮可能會是常態(tài)，但DRAM廠生意則會持續(xù)加溫。
另外，原為現(xiàn)貨市場霸主的力晶退出第1線品牌銷售后，現(xiàn)貨市場光芒頓時失色許多，雖然由爾必達接手原本力晶業(yè)務，但目前現(xiàn)貨市場流通貨源相當有限，亦是價格無法提升因素之一。
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