Micron總裁談3D EUV與450mm晶圓

時(shí)間：2011-01-13 10:53:03

關(guān)鍵字： MICRON 晶圓 EUV 存儲(chǔ)器

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[導(dǎo)讀]不久之前Micron公司表現(xiàn)為技術(shù)有些滯后，然而最近以來此家存儲(chǔ)器制造商開始追趕上來，似乎在NAND方面己經(jīng)超過它的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。Micron公司正在進(jìn)行25nmNAND生產(chǎn)線的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作,計(jì)劃近期將完成。在DRAM方面,它們正進(jìn)行

不久之前Micron公司表現(xiàn)為技術(shù)有些滯后，然而最近以來此家存儲(chǔ)器制造商開始追趕上來，似乎在NAND方面己經(jīng)超過它的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

Micron公司正在進(jìn)行25nmNAND生產(chǎn)線的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作,計(jì)劃近期將完成。在DRAM方面,它們正進(jìn)行由42nm過渡到3xnm生產(chǎn)線的轉(zhuǎn)換,同樣在NOR方面也走在前列。因此Micron己成為一家存儲(chǔ)器產(chǎn)品類別最完整的公司。

在SEMI主辦的工業(yè)策略年會(huì)ISS上,Micron的總裁與首席運(yùn)營(yíng)官M(fèi)arkDurcan在它的演講中談到芯片制造業(yè)與未來存儲(chǔ)器方面等問題,并接受EETimes的采訪。

以下是Durcan關(guān)于產(chǎn)業(yè)中各種問題的看法；

1、基于硅通孔技術(shù)TSV的3D芯片

Micron己經(jīng)向客戶提供TSV基的樣品,并認(rèn)為目前此類技術(shù)尚剛開始，需要指出的是該技術(shù)是可行的,肯定不是科學(xué)虛構(gòu)。

關(guān)于TSV基的3D芯片量產(chǎn)問題可能要到明年或18個(gè)月之后。它并說Elpida,Samsung及Toshiba都各有自己的TSV基3D芯片,則是進(jìn)度不同而己。

2、450mmfabs

Micron己經(jīng)成功的由200mm完成向300mm芯片生產(chǎn)線的轉(zhuǎn)換，但是對(duì)于未來的450mm生產(chǎn)線,Micron公司并不是一個(gè)忠實(shí)的支持者。

Durcan說,Micron并不熱切盼望450mm硅片時(shí)代馬上來臨。Micron認(rèn)為450mm硅片問題不僅是需要設(shè)備方面的變革，而是涉及到整條生產(chǎn)線的轉(zhuǎn)移，因此對(duì)于一家存儲(chǔ)器制造商感覺還是穩(wěn)妥一些為好,不是沖動(dòng)能解決的事。

至于究竟450mm硅片什么時(shí)候到來,應(yīng)該有充分的依據(jù)來證實(shí),450mm與300mm相比成本能節(jié)省2.5倍。

3、EUV光刻

Micron是EUV光刻的忠實(shí)支持者。它相信EUV的應(yīng)用涉及到許多難題，但是尚須解決大量的配套工作。

4、投資競(jìng)賽

三星計(jì)劃在2011年投資方面超過競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，Micron在2011的投資也由24億美元提高到29億美元。

Durcan又說為了與三星對(duì)抗,Micron的投資必須更加有效。從技術(shù)方面Micron有許多自有的先進(jìn)技術(shù),可以值得與三星拼搏。

5、半導(dǎo)體設(shè)備的整合

近時(shí)期來半導(dǎo)體設(shè)備廠商已經(jīng)進(jìn)行了多次兼并,每個(gè)類別設(shè)備廠商只剩下2-3家，因此對(duì)于芯片制造商的選擇余地己不多。所以未來芯片制造商與設(shè)備制造商必須更加緊密的合作,才能共同生存下去。

6、縮微制程

估計(jì)未來DRAM可能縮小到2xnm,而NAND已經(jīng)作到這個(gè)水年，所以未來縮微一定會(huì)減緩。