2011年全球DRAM產(chǎn)能位成長率達(dá)58.8%成長幅度大于2010年49.4%

時(shí)間：2010-12-22 13:30:52

關(guān)鍵字： DRAM 先進(jìn)制程 PC市場(chǎng) ELECTRONICS

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[導(dǎo)讀]2009年第2季全球景氣在歷經(jīng)金融海嘯沖擊后自谷底逐季攀升，DRAM價(jià)格亦伴隨景氣回復(fù)同步自谷底走揚(yáng)。2006年以來，包括臺(tái)、美、日等DRAM廠即因DRAM價(jià)格持續(xù)下跌而處于長期虧損窘境，在金融海嘯期間，更因不耐景氣嚴(yán)寒，

2009年第2季全球景氣在歷經(jīng)金融海嘯沖擊后自谷底逐季攀升，DRAM價(jià)格亦伴隨景氣回復(fù)同步自谷底走揚(yáng)。

2006年以來，包括臺(tái)、美、日等DRAM廠即因DRAM價(jià)格持續(xù)下跌而處于長期虧損窘境，在金融海嘯期間，更因不耐景氣嚴(yán)寒，除削減資本支出，停止原先擴(kuò)廠計(jì)劃外，亦先后采取減產(chǎn)、裁員、關(guān)廠等策略因應(yīng)，為的就是保有手中現(xiàn)金部位。

至2009年第4季前，DRAM廠商對(duì)景氣展望仍相當(dāng)保守，加上缺乏足夠現(xiàn)金部位提供購料投片，即使面對(duì)來自PC市場(chǎng)需求逐季升溫，DRAM供給增加亦相對(duì)有限，這也是DRAM價(jià)格自2009年第2季至2010年第2季得以維持將近5季榮景的重要原因。

然而，2010年第2季以來，先有三星電子(SamsungElectronics)宣布26兆韓元的投資計(jì)劃，率先將30奈米制程導(dǎo)入量產(chǎn)，并大幅擴(kuò)展內(nèi)存產(chǎn)能，加上歐債風(fēng)暴影響，來自PC市場(chǎng)對(duì)DRAM的需求頓時(shí)減弱，兩大因素亦使得DRAM價(jià)格加速下滑，1GbDDR3現(xiàn)貨價(jià)從2010年第2季3.08美元跌至2010年第4季1.16美元，跌幅達(dá)62%，且至12月都尚未見到止跌回穩(wěn)的跡象。

事實(shí)上，除三星外的主要DRAM廠在產(chǎn)能擴(kuò)充的腳步都顯得相當(dāng)保守，但隨先進(jìn)制程占產(chǎn)出比重提高，產(chǎn)?鄖拑M出現(xiàn)明顯成長，以65奈米制程升級(jí)至50奈米制程，產(chǎn)能即可增加50%。從50奈米制程轉(zhuǎn)換至40奈米制程，產(chǎn)能將更進(jìn)一步成長45%。

包括美光、南科、華亞科、瑞晶、爾必達(dá)等DRAM大廠，45/40奈米制程產(chǎn)能將于2011年大量開出，且先進(jìn)制程占營收比重將會(huì)逐季提高，這意味著2008年下半以來DRAM控制產(chǎn)能擴(kuò)張的時(shí)期將告一段落，轉(zhuǎn)而進(jìn)入透過制程升級(jí)來擴(kuò)張產(chǎn)能的新時(shí)期，這也將會(huì)是影響2011年全球DRAM市場(chǎng)景氣榮枯的最關(guān)鍵因素。