全球晶圓攜手飛思卡爾研發(fā)90納米快閃存儲器技術(shù)

時間：2010-09-06 14:06:06

關(guān)鍵字：存儲器晶圓飛思卡爾芯片

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[導(dǎo)讀]全球晶圓(GlobalFoundries)除了在28納米制程上，宣布以28納米高介電金屬閘極(HKMG)技術(shù)，試產(chǎn)出全球首顆安謀(ARM)Cortex-A9架構(gòu)的芯片外，同時也宣布與飛思卡爾(Freescale)合作研發(fā)90納米快閃存儲器技術(shù)，進一步強化

全球晶圓(GlobalFoundries)除了在28納米制程上，宣布以28納米高介電金屬閘極(HKMG)技術(shù)，試產(chǎn)出全球首顆安謀(ARM)Cortex-A9架構(gòu)的芯片外，同時也宣布與飛思卡爾(Freescale)合作研發(fā)90納米快閃存儲器技術(shù)，進一步強化合作關(guān)系。

全球晶圓與ARM在2009年第3季宣布策略合作計畫，就是看好未來廣大的行動運算市場。而就在全球晶圓與ARM攜手后，臺積電也于2010年宣布與ARM，合作開發(fā)28納米及20納米制程嵌入式存儲器及標(biāo)準(zhǔn)元件庫在內(nèi)的實體智財產(chǎn)品。

因此，全球晶圓大動作公布采用28納米制程產(chǎn)出首顆ARMCortex-A9芯片，亦被業(yè)界認為宣示意味濃厚，全球晶圓進一步指出，該芯片于德國德勒斯登Fab1進行試產(chǎn)，預(yù)計于2010年底前進行量產(chǎn)。

根據(jù)全球晶圓與ARM的估計，相較于40納米制程，28納米制程可望提升40%的效能、同時降低30%的功耗，并提升100%的待機電池續(xù)航力。

ARM執(zhí)行副總裁SimonSegars表示，隨著半導(dǎo)體推進先進制程，設(shè)計與制造端的合作將會更為緊密，透過ARM的矽智材與全球晶圓經(jīng)驗證的量產(chǎn)能力，將會對行動運算領(lǐng)域帶來創(chuàng)新的平臺，并且將使客戶更快速進入28納米HKMG的技術(shù)領(lǐng)域。

同時，全球晶圓也公布和飛思卡爾一系列基于90納米快閃存儲器技術(shù)的新薄膜存儲器(TFS)計畫，飛思卡爾計畫將該技術(shù)應(yīng)用于新一代的的微控制器(MCU)上，可針對從消費電子產(chǎn)品和家用電器到醫(yī)療設(shè)備和智能計量系統(tǒng)的各種應(yīng)用。

全球晶圓指出，90納米薄膜存儲器技術(shù)與其它傳統(tǒng)的NVM架構(gòu)不同，采用1種創(chuàng)新型矽納米晶體技術(shù)，具有位元級的可靠性、速度、功率和尺寸。

根據(jù)雙方的合作細節(jié)，飛思卡爾的TFS技術(shù)具有FlexMemory功能，可配置電可程序設(shè)計存儲器(EEPROM)，將應(yīng)用于飛思卡爾ColdFire和Kinetis系列32位元MCU產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品將采用全球晶圓的90納米技術(shù)制造。早期測試芯片已經(jīng)在全球晶圓位于新加坡的Fab7進行生產(chǎn)，預(yù)計技術(shù)認證將于2011年上半年完成。

隨著摩爾定律延伸，技術(shù)層次越高，如同臺積電發(fā)展More-than-Moore技術(shù)，全球晶圓也寄望切入微機電(MEMS)、類比技術(shù)等領(lǐng)域，拓展多樣性的市場機會。