ST率先采用矽穿孔技術(shù) 實(shí)現(xiàn)尺寸更小且更智慧的MEMS晶片

意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST)率先將矽穿孔技術(shù)(Through-Silicon Via，TSV)導(dǎo)入MEMS晶片量產(chǎn)。在意法半導(dǎo)體的多晶片MEMS產(chǎn)品(如智慧型感測器和多軸慣性模組)內(nèi)，矽穿孔技術(shù)以短式垂直互連方式(short vertical interconnect)取代傳統(tǒng)的晶片連接，在尺寸更小的產(chǎn)品內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的整合度和性能。

矽穿孔技術(shù)透過短式垂直結(jié)構(gòu)連接同一個封裝內(nèi)堆疊放置的多顆晶片，相較于傳統(tǒng)的打線接合(wire bonding)或覆晶堆疊(flip chip stacking)技術(shù)，矽穿孔技術(shù)擁有更高的空間使用效率和互連密度。意法半導(dǎo)體已取得矽穿孔技術(shù)專利，并將其用于大規(guī)模量產(chǎn)制造產(chǎn)品，此項技術(shù)有助于縮減MEMS晶片尺寸，同時可提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性和性能。 意法半導(dǎo)體企業(yè)副總裁暨類比產(chǎn)品、MEMS和感測器事業(yè)群總經(jīng)理Benedetto Vigna表示：「消費(fèi)性電子市場對更小封裝的需求很大。意法半導(dǎo)體突破性地將矽穿孔技術(shù)應(yīng)用到MEMS產(chǎn)品，為最佳化手機(jī)等行動產(chǎn)品的電路板空間和功能開啟 了新的篇章。」


意法半導(dǎo)體率先采用矽穿孔技術(shù)，實(shí)現(xiàn)尺寸更小且更智慧的MEMS晶片。
Benedetto Vigna表示：「我們將高性能3D晶片成功整合至智慧型感測器和多軸慣性感測器模組內(nèi)，也代表著我們在推動MEMS普及化的里程中取得了重要的階段性勝利?！?在大規(guī)模量產(chǎn)制造MEMS感測器和致動器方面，意法半導(dǎo)體擁有歷史悠久的制造經(jīng)驗和技術(shù)雄厚的技術(shù)背景。5年前，憑藉創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計、豐富的應(yīng)用知識以及大膽且適時的基礎(chǔ)設(shè)施投資，意法半導(dǎo)體成功研發(fā)尺寸小巧、測量精確且價格實(shí)惠的動作感測器，從而引發(fā)了消費(fèi)性電子MEMS技術(shù)革命。截至今日，意法半導(dǎo)體的MEMS晶片出貨量已超過16億顆，主要用于消費(fèi)性電子、電腦、汽車產(chǎn)品、工業(yè)控制以及醫(yī)療保健領(lǐng)域。