ST采用矽穿孔技術(shù)實(shí)現(xiàn)更精巧的智慧化MEMS晶片
[導(dǎo)讀]意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，ST)率先將矽穿孔技術(shù)(Through-Silicon Via，TSV)導(dǎo)入 MEMS 晶片量產(chǎn)。在意法半導(dǎo)體的多晶片 MEMS 產(chǎn)品(如智慧型感測(cè)器和多軸慣性模組)中，矽穿孔技術(shù)以短式垂直互連方式(short verti
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，ST)率先將矽穿孔技術(shù)(Through-Silicon Via，TSV)導(dǎo)入 MEMS 晶片量產(chǎn)。在意法半導(dǎo)體的多晶片 MEMS 產(chǎn)品(如智慧型感測(cè)器和多軸慣性模組)中，矽穿孔技術(shù)以短式垂直互連方式(short vertical interconnect)取代傳統(tǒng)的晶片連接，在尺寸更小的產(chǎn)品內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的整合度和性能。
矽穿孔技術(shù)透過(guò)短式垂直結(jié)構(gòu)連接同一個(gè)封裝內(nèi)堆疊放置的多顆晶片，相較于傳統(tǒng)的打線接合(wire bonding)或覆晶堆疊(flip chip stacking)技術(shù)，矽穿孔技術(shù)擁有更高的空間使用效率和互連密度。意法半導(dǎo)體已取得矽穿孔技術(shù)專利，并將其用于大規(guī)模量產(chǎn)制造產(chǎn)品，此項(xiàng)技術(shù)有助于縮減 MEMS 晶片尺寸，同時(shí)可提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性和性能。
在大規(guī)模量產(chǎn)制造 MEMS 感測(cè)器和致動(dòng)器方面，意法半導(dǎo)體成功研發(fā)出尺寸小巧、測(cè)量精確且價(jià)格實(shí)惠的動(dòng)作感測(cè)器，并帶動(dòng)消費(fèi)性電子 MEMS 技術(shù)創(chuàng)新。截至今日，意法半導(dǎo)體的 MEMS 晶片出貨量已超過(guò)16億顆，主要用于消費(fèi)性電子、電腦、汽車產(chǎn)品、工業(yè)控制以及醫(yī)療保健領(lǐng)域。
矽穿孔技術(shù)透過(guò)短式垂直結(jié)構(gòu)連接同一個(gè)封裝內(nèi)堆疊放置的多顆晶片，相較于傳統(tǒng)的打線接合(wire bonding)或覆晶堆疊(flip chip stacking)技術(shù)，矽穿孔技術(shù)擁有更高的空間使用效率和互連密度。意法半導(dǎo)體已取得矽穿孔技術(shù)專利，并將其用于大規(guī)模量產(chǎn)制造產(chǎn)品，此項(xiàng)技術(shù)有助于縮減 MEMS 晶片尺寸，同時(shí)可提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性和性能。
在大規(guī)模量產(chǎn)制造 MEMS 感測(cè)器和致動(dòng)器方面，意法半導(dǎo)體成功研發(fā)出尺寸小巧、測(cè)量精確且價(jià)格實(shí)惠的動(dòng)作感測(cè)器，并帶動(dòng)消費(fèi)性電子 MEMS 技術(shù)創(chuàng)新。截至今日，意法半導(dǎo)體的 MEMS 晶片出貨量已超過(guò)16億顆，主要用于消費(fèi)性電子、電腦、汽車產(chǎn)品、工業(yè)控制以及醫(yī)療保健領(lǐng)域。
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