VTI宣布進軍MEMS晶振市場

 
為了擴展消費電子領域市場，VTI加寬了產(chǎn)品線，在2010年墨西哥電子展宣布進入MEMS晶振市場。 
    作為MEMS的先驅，在如今高速發(fā)展的市場下晶振市場呈現(xiàn)出平穩(wěn)的發(fā)展。“對目前市面上出現(xiàn)的MEMS產(chǎn)品進行分析，Yole Développement做出MEMS晶振市場是2015年最有發(fā)展?jié)摿Φ氖袌觯⑶沂?009到2015復合年均增長率（CAGR）最高的市場.預期 MEMS晶振會從2009年的USD 7.9百萬增加到USD 644.9百萬在2015年，” 
    VTI消費電子副總裁Mr. Sten Stockmann說
    VTI晶振產(chǎn)品會利用VTI的3D MEMS和封裝技術。VTI目前使用Chip-on-MEMS技術對費級傳感器進行封裝。同樣的技術也會應用在晶振上，不過是相反的MEMS-on-Chip技術。
成熟的MEMS技術
    石英晶振---絕大部分高性能電子系統(tǒng)的計時都是由石英振蕩器---在發(fā)展飛速的消費設備中面臨著挑戰(zhàn)。振蕩的穩(wěn)定性和頻率靈敏度就像石英振蕩器減小尺寸一樣，是相互制約的，這是由于要增加這些更新的振蕩器的晶體阻抗。小的石英振蕩器在頻率偏差方面對震動更靈敏，就像小封裝的振蕩器對于機械振動的公差就會更大一樣。
    硅MEMS振蕩器替代石英晶振。硅MEMS振蕩器尺寸小，價格低，此外不易受撞擊和震蕩。
    VTI提供低成本，小尺寸和超高性能的方案
    MEMS振蕩技術已經(jīng)在市場上普及，它所面對的是低精度和大溫漂這些問題。一個典型的MEMS振蕩器的頻率可以達到10，000ppm。此外，MEMS振蕩器溫度漂移大約在30ppm/攝氏度。
    這種振蕩技術，ASIC必須被設計來補償頻率誤差，增加了尺寸，成本，功耗和噪聲。結果是振蕩器成本提高，切沒有競爭優(yōu)勢。
    VTI技術客服了這些常見的障礙，并且提供可競爭的石英晶振。2011年初，VTI會發(fā)布它第一款晶振。