霍尼韋爾推出半導(dǎo)體封裝新材料

時間：2014-03-06 05:24:00

關(guān)鍵字：新材料霍尼韋爾半導(dǎo)體封裝 AD

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[導(dǎo)讀]擁有專利技術(shù)的RadLo?低α粒子電鍍陽極，顯著減少由α粒子引起的軟錯誤故障頻率霍尼韋爾宣布推出基于霍尼韋爾專利技術(shù)的新型RadLo? 低α 粒子電鍍陽極產(chǎn)品，幫助降低由于α 粒子放射而引起的半導(dǎo)體數(shù)據(jù)錯誤發(fā)生率

擁有專利技術(shù)的RadLo?低α粒子電鍍陽極，顯著減少由α粒子引起的軟錯誤故障頻率

霍尼韋爾宣布推出基于霍尼韋爾專利技術(shù)的新型RadLo? 低α 粒子電鍍陽極產(chǎn)品，幫助降低由于α 粒子放射而引起的半導(dǎo)體數(shù)據(jù)錯誤發(fā)生率。

新電鍍陽極是RadLo產(chǎn)品系列的擴充，它采用了霍尼韋爾專利的量測和精制技術(shù)，用于半導(dǎo)體封裝晶圓突塊工藝。

“我們已經(jīng)通過一些主要的分包商開始批量生產(chǎn)新型低α 粒子電鍍陽極產(chǎn)品，同時也已在OEM設(shè)備廠商完成了認證程序?！被裟犴f爾電子材料先進金屬和聚合物業(yè)務(wù)產(chǎn)品總監(jiān)克里斯?李（Chris Lee）表示，“新產(chǎn)品能夠迅速獲得認證和采用表明我們的產(chǎn)品能滿足客戶的關(guān)鍵需要，幫助他們解決所面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)和難題。”

半導(dǎo)體封裝材料中的α粒子放射會引起存儲單元中的數(shù)據(jù)錯誤并造成軟錯誤，最終導(dǎo)致手機、平板、服務(wù)器、游戲機以及其他終端設(shè)備的運行故障。隨著半導(dǎo)體尺寸的不斷減小以及功能需求的不斷增加，芯片對軟錯誤的敏感度不斷提高。為了有效解決這個問題，半導(dǎo)體封裝材料的設(shè)計人員需要借助低α 粒子放射的材料，例如霍尼韋爾RadLo系列產(chǎn)品。

在極低的α 粒子放射層級中，由于雜質(zhì)及宇宙射線等背景放射物的影響，測量α射線通量非常困難。為解決這一問題，霍尼韋爾采取了嚴格的量測和程序控管。

隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)倒裝芯片封裝的發(fā)展，使用電鍍的晶圓凸塊工藝變得日益普遍。霍尼韋爾憑借自身的獨特優(yōu)勢，為晶圓突塊工藝提供高純度等級的電鍍陽極(>99.99% )，包括低α鉛(Pb)、低α錫(Sn)以及低α銅(Cu)等。我們提供多種α粒子放射等級，包括每平方厘米每小時小于0.002次的含錫陽極靶材。