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[導(dǎo)讀]隨著電子產(chǎn)品朝輕薄短小、功能好、速度快的發(fā)展,內(nèi)部的IC元件功能越來(lái)越精密,后段 IC封裝的檢測(cè)技術(shù)也越具挑戰(zhàn)與重要性。為此工研院開(kāi)發(fā)出國(guó)內(nèi)第一套 3D取像之 「IC封裝形貌檢測(cè)模組」,有效克服傳統(tǒng)平面2D取像檢測(cè)

隨著電子產(chǎn)品朝輕薄短小、功能好、速度快的發(fā)展,內(nèi)部的IC元件功能越來(lái)越精密,后段 IC封裝的檢測(cè)技術(shù)也越具挑戰(zhàn)與重要性。為此工研院開(kāi)發(fā)出國(guó)內(nèi)第一套 3D取像之 「IC封裝形貌檢測(cè)模組」,有效克服傳統(tǒng)平面2D取像檢測(cè)時(shí)對(duì)于載板上錫球高低落差無(wú)法判別的檢測(cè)死角,利用多相位投影解像技術(shù)達(dá)到重復(fù)精度5μm等級(jí)的精準(zhǔn)度,未來(lái)可應(yīng)用在雷射加工設(shè)備之電子零組件與半導(dǎo)體之檢測(cè),可以協(xié)助測(cè)試設(shè)備廠商大幅提升檢測(cè)設(shè)備精度,進(jìn)而強(qiáng)化我國(guó)提升半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。
工研院量測(cè)中心主任段家瑞表示,臺(tái)灣為半導(dǎo)體重鎮(zhèn),IC封裝檢測(cè)市場(chǎng)每年約有新臺(tái)幣4,000億元商機(jī),隨著IC內(nèi)部元件越趨微小精密,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)于量測(cè)精密度的要求也越為提高。在此同時(shí),國(guó)內(nèi)廠商雖擁有自動(dòng)化整合技術(shù)與在地服務(wù)的優(yōu)勢(shì),但是最關(guān)鍵零組件「檢測(cè)模組」都來(lái)自國(guó)外并且價(jià)格昂貴,也無(wú)法客制化調(diào)整或提升檢測(cè)正確率,故難以取得國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。為促進(jìn)國(guó)內(nèi)自動(dòng)化光學(xué)檢測(cè)發(fā)展,工研院在經(jīng)濟(jì)部技術(shù)處的支持下成功開(kāi)發(fā)國(guó)內(nèi)第一套結(jié)合2D與3D形貌檢測(cè)之「IC封裝形貌檢測(cè)模組」,可同時(shí)進(jìn)行高精度的2D缺陷檢測(cè)與3D形貌量測(cè),提供業(yè)者更精確、多元、快速且在地化的測(cè)試支援服務(wù)。

目前大部分的廠商仍以2D取像檢測(cè)方式為IC 封裝產(chǎn)品把關(guān),但僅以平面影像做為檢驗(yàn)判讀,無(wú)法量測(cè) BGA 錫球的表面缺陷,甚是IC本體的翹曲。加上現(xiàn)今IC晶圓多以雷射進(jìn)行微矽穿孔制程,在檢測(cè)精微度上更具挑戰(zhàn)。工研院創(chuàng)新開(kāi)發(fā)的3D「IC封裝形貌檢測(cè)模組」,透過(guò)2D平面檢測(cè)找出破裂、異常連結(jié)、異物、缺件等異常,同時(shí),利用投光散斑的強(qiáng)度造成的陰影斷面來(lái)計(jì)算3D立體排面高度的落差,檢測(cè)出傳統(tǒng)2D檢測(cè)時(shí)容易被忽略的立體高度落差與曲面變型瑕疵,并可用于多種材質(zhì)檢測(cè),有效的協(xié)助廠商達(dá)到精確、快速、低成本目標(biāo),全方位的協(xié)助廠商提高競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

IC封裝形貌檢測(cè)模組」結(jié)合2D/3D同時(shí)取像掃描檢測(cè)模組,未來(lái)可幫助檢測(cè)設(shè)備廠商開(kāi)發(fā)出高精度檢測(cè)設(shè)備,同時(shí)提供客制化介面與功能需求,進(jìn)而提供半導(dǎo)體廠商更佳的檢測(cè)方案,推升半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。




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